【課題】回路の一部に不具合が生じて新たな回路を同一基板内に再構成する場合に、この新たな回路との関係で伝送される信号のタイミングに不具合が生じないようにすることが可能なＦＰＧＡ、ＦＰＧＡを用いた回路再構成システム、方法およびプログラムを得ること。
【解決手段】回路ブロック監視手段１２が回路ブロックを構成する論理部に不具合があることを検出すると、これに代わる新しい回路ブロックを構成するとき最適化処理実行手段１３は論理部同士を接続する接続部による信号の伝達タイミングを前の回路ブロックの接続部と可能な限り同一になるように最適化する。回路ブロック交代手段１４は新しい回路ブロックの運用を開始させる。 （もっと読む）

【課題】高速、不揮発性、低消費電力のメモリ回路を提供する。
【解決手段】一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴ１０と、一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴもしくは第１導電型のＭＯＳＦＥＴ１２と、ノード４０にゲート電極が接続され一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｐチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｐチャネルのＭＯＳＦＥＴ１４と、ノード４０にゲート電極が接続され、一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｎチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴ１６と、出力端子３７と、を備え、第３トランジスタ１４と第４トランジスタ１６はインバータ回路を構成し、第３トランジスタ１４および第４トランジスタ１６の少なくとも一方がスピンＭＯＳＦＥＴであり、出力端子３７からインバータ回路が出力される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を削減した半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態による半導体集積回路は、第１の電源と第２の電源との間に２つの不揮発メモリと複数のスイッチング素子が接続されたメモリセルを複数含む半導体集積回路であって、少なくとも２つの前記メモリセルの出力配線が接続され、出力配線が接続されたメモリセルに含まれるスイッチング素子の制御ゲートに入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されて、出力配線が接続されたメモリセルの少なくとも１つのメモリセルに含まれる前記入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されたスイッチング素子が非導通となり、少なくとも１つのメモリセルに含まれる前記入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されたスイッチング素子が導通する。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルロジックデバイスに適用してプログラマブルロジックアレー集積回路デバイスの動作速度を増加するための相互接続リソースの提供。
【解決手段】プログラマブルロジック集積回路（１０）は、交差する複数の領域の行および列からなる配列をもって、デバイス上に配置された複数のプログラマブルロジック領域（２０）を有する。領域から領域へおよび／または領域間におけるプログラム可能な相互接続を形成するための相互接続リソース（例えば、相互接続コンダクタ等）が設けられ、これらのうちの少なくともいくつかは、構造的には類似であるが著しく異なる信号伝送速度特性を有する２つの形式で構成される。例えば、これらの双対形式相互接続リソースのうちの主要なまたは大きな部分（２００ａ，２１０ａ，２３０ａ）はノーマル速度と呼ばれるものであり、少ないほうの部分（２００ｂ，２１０ｂ，２３０ｂ）は大幅に高速な信号速度を有する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの小面積化と低消費電力化を実現することが可能なリコンフィギュラブルロジックブロック、並びにこれを用いたプログラマブル論理回路装置、及び、テクノロジマッピング方法を提供する。
【解決手段】最大Ｋ入力（ｘ［０］〜ｘ［Ｋ−１］）のリコンフィギュラブルロジックブロック（Ｋ−Ａ^２ＬＵＴ）は、ｍ入力（ｙ［０］〜ｙ［ｍ−１］、ただしｍはＫよりも小さくｙはｘに属する）の第１ルックアップテーブル１と、ｎ入力（ｚ［０］〜ｚ［ｎ−１］、ただしｎはＫよりも小さくｚはｘに属する）の第２ルックアップテーブル２と、ｐ入力（ｃ［０］〜ｃ［ｐ−１］、ただしｐはＫよりも小さくｃはｘに属する）の組み合わせ回路３と、組み合わせ回路３の出力に応じて第１ルックアップテーブル１と第２ルックアップテーブル２のいずれか一方を選択するセレクタ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留りの向上を実現できる、自己修正可能な半導体を提供する。
【解決手段】自己修正可能な半導体は、同じ機能を実行しかつ副機能ユニットを有する、多数の機能ユニットを備える。半導体は、完全または部分的な１つ以上のスペア機能ユニットを備え、当該スペア機能ユニットは、半導体へと集積される、副機能ユニットの欠陥が検出されると、その副機能ユニットは、切り替えられて、完全または部分的なスペア機能ユニットにおける副機能ユニットと、置き換えられる。この再構成は、副機能ユニットと関連付けられたスイッチング・デバイスによって実現される。欠陥のある機能ユニットや副機能ユニットは、組立後に電源を投入している最中に動作中に周期的に検出されてよく、および／又は手動で検出してもよい。 （もっと読む）

【課題】集積回路の回路情報を記憶するメモリの書き換えを行う際に、電源遮断等の異常が発生しても安全に元の状態に復旧する。
【解決手段】ＦｌａｓｈＲＯＭ２は、装置全体の電源を投入した際にＦＰＧＡ１より読み出される回路情報が格納される第１の領域と、第１の領域の回路情報とは異なる回路情報を格納される第２の領域とを有し、装置全体の電源を投入した際は、ＦＰＧＡ１はＦｌａｓｈＲＯＭ２の第１の領域から回路情報を読み出し、この回路情報によりＦＰＧＡ１内部の回路を構成し、ＦｌａｓｈＲＯＭ２の第２の領域に正常な回路情報が格納されていることを検査し、正常な回路情報が格納されていると判断した場合は、ＦｌａｓｈＲＯＭ２のアドレスを変更する手段により、アドレスを変更し、ＦＰＧＡ１の回路情報の更新を行うことで、ＦｌａｓｈＲＯＭ２の第２の領域から回路情報を読み出し、この回路情報によりＦＰＧＡ１内部の回路を構成し、プロセッサ５のリセットを解除する。 （もっと読む）

【課題】異常が発生した場合に、より確実に正常な状態に復帰することができる画像処理システムを提供する。
【解決手段】FPGA2は、FPGA1の異常を検出する異常監視部を搭載する。コンフィグレーション制御部19は、FPGA2の異常監視部がFPGA1の異常を検出した場合に、FPGA1を使用せずに画像処理を行うため、FPGA1以外のFPGAに対して、FPGA1の通常のコンフィグレーション時に使用する回路情報とは異なる回路情報を用いて再コンフィグレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】同じタイプの特性量を有し、この特性量の値が相互に比例するいくつかの機能ブロックを備える電気回路をコンフィギュレーションする。
【解決手段】機能ブロックは、同様のタイプの少なくとも1組の電気素子(102a〜102d、104a〜104d)と、前記電気素子を互いに接続するおよび/もしくは電気回路100の残部に接続するための手段(106a〜106d、108a〜108d、110a〜110d)とにより構築され、テストされる1組の接続コンフィギュレーションのそれぞれに対して、電気回路のパラメータの値を測定するステップと、テストされる結合コンフィギュレーションの中から、測定されたパラメータの値が、少なくとも1対の機能ブロックの特性量の値間の不整合が最小の1つのコンフィギュレーションを選択するステップと、選択されたコンフィギュレーションに従って、接続する手段をポジショニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】多数の異なるプロトコルに対して、および広範囲のデーターレートに対して、シリアル形式のデータをパラレル形式のデータに変換することが可能な、デシリアライザ回路網を提供する。
【解決手段】プログラマブルロジックデバイス（「ＰＬＤ」）などの高速シリアルデータレシーバ回路網用のデシリアライザ回路網（１０）は、シリアルデータを任意の複数のデータ幅を有するパラレルデータに変換するための回路網を含む。該回路網（１０）はまた、広範囲の周波数の中の任意の周波数で動作可能である。該回路網（１０）は様々な観点において構成可能／再構成可能であり、その構成／再構成の少なくとも１部分はダイナミックに（すなわち、ＰＬＤのユーザーモードオペレ−ションの間に）制御され得る。 （もっと読む）

【課題】 スイッチアレイの占有面積の縮小を図る。
【解決手段】本実施形態のスイッチアレイは、基板上に設けられる２つのスイッチと、第１の方向に延在する第１及び第２の制御線と、を具備し、スイッチのそれぞれは、メモリセルトランジスタが設けられる第１のアクティブ領域と、パストランジスタが設けられる第２のアクティブ領域と、を含み、アクティブ領域内でトランジスタのチャネル長方向に隣接するメモリセルトランジスタはソース又はドレインを共有し、第１及び第２のアクティブ領域は、トランジスタのチャネル幅方向に互いに隣接している。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】供給電圧及び電力消費を調整すること。
【解決手段】プログラム可能なロジックデバイス（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）｛ピーエルデー（ＰＬＤ）｝は該ピーエルデー内の回路の少なくとも１部分（ブロック、サブブロック、又は領域の様な）の供給電圧を制御する回路を有する。該回路は又該ピーエルデー内のノイズをフイルターする。該供給電圧を制御することは、速度及び電力消費の様な、種々の性能特性をトレードオフすることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】再構成可能な論理装置を提供する。
【解決手段】第１論理ブロックと、第２論理ブロックとを含む少なくとも２つの論理ブロック；第１論理ブロックに連結される複数の第１グローバル配線と、前記第２論理ブロックに連結される複数の第２グローバル配線と、を含むグローバル配線グループ；複数の第１グローバル配線と、複数の第２グローバル配線とが交差する領域にそれぞれ配される複数の第１不揮発性メモリ素子を含み、論理装置の動作をリアルタイムで再構成するために、複数の第１不揮発性メモリ素子それぞれに保存された第１データを基に、複数の第１グローバル配線及び第２グローバル配線のルーティングを制御するグローバル制御部；を含む再構成可能な論理装置である。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルロジックデバイスに適用してプログラマブルロジックアレー集積回路デバイスの動作速度を増加するための相互接続リソースの提供。
【解決手段】プログラマブルロジック集積回路（１０）は、交差する複数の領域の行および列からなる配列をもって、デバイス上に配置された複数のプログラマブルロジック領域（２０）を有する。領域から領域へおよび／または領域間におけるプログラム可能な相互接続を形成するための相互接続リソース（例えば、相互接続コンダクタ等）が設けられ、これらのうちの少なくともいくつかは、構造的には類似であるが著しく異なる信号伝送速度特性を有する２つの形式で構成される。例えば、これらの双対形式相互接続リソースのうちの主要なまたは大きな部分（２００ａ，２１０ａ，２３０ａ）はノーマル速度と呼ばれるものであり、少ないほうの部分（２００ｂ，２１０ｂ，２３０ｂ）は大幅に高速な信号速度を有する。 （もっと読む）

【課題】論理回路の冗長性を排除することで、面積効率を高めることが可能なプログラマブル論理回路装置およびその回路決定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プログラマブル論理回路は、構成データによる回路変更および配線スイッチ部による配線の入れ替えにより、一の論理関数を実現するゲート回路を、該一の論理関数とＮＰＮ同値類に属する他の論理関数のみを実現するゲート回路と共通させている。この回路変更は、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる入力反転部と、２入力ＮＡＮＤゲートまたは２入力ＯＲゲートが、二分木の木構造で、それぞれの接続線の間にプログラマブルＮＯＴゲートを介在させて接続された基本回路と、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる出力反転部とに、構成データを与えることにより行う。 （もっと読む）

【課題】ユーザによってプログラミング可能な集積回路を複数用いるシステムの設計・検証期間を短縮する。
【解決手段】集積回路であるフィールド・プログラマブル・ゲートアレイ１は、外部からユーザによってプログラミング可能な論理回路である処理ブロック２と、外部からの入力データＩ１ａ，Ｉ１ｂを内部クロックＣＫでリタイミングするＦＩＦＯレジスタ３−１，３−２と、処理ブロック２の出力データとＦＩＦＯレジスタ３−２の出力データのうちどちらか一方を選択して外部に出力するセレクタ４−１と、処理ブロック２の出力データとＦＩＦＯレジスタ３−２の出力データのうちどちらか一方を選択して入力データとして処理ブロック２に入力するセレクタ４−２とを有する。 （もっと読む）

【課題】プログラム可能な半導体装置において、クロック周波数を保証しつつ、複数の演算命令の組み合わせで形成される演算処理を効率的に実行できる。
【解決手段】本開示の一実施形態は、一定のクロック信号に同期して演算を行う半導体装置であって、演算制御情報を出力する制御部１３と、データを記憶する記憶部１１と、第１のデータに対して第１の演算制御情報に従い演算を行う演算ユニット１００と、第２のデータに対して第２の演算制御情報に従い演算を行う演算ユニット１０１とを備える。演算ユニット１００は、演算回路を複数個備える。演算ユニット１０１は、論理ゲート段数ｎ（ｎ＞ｍ）の演算回路を少なくとも１個備える。 （もっと読む）

【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】下地層６５の上に設けられた磁化の向きが膜面に垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層７２上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層７４上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層７８上に設けられたトンネルバリア８０と、トンネルバリア８０上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直かつ不変で第１強磁性層７２の磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する第３強磁性層８２と、半導体層７４の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、半導体層７４と反対側に位置するように設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 節電効率を向上させることができるプログラマブル論理回路装置及び画像処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプログラマブル論理回路装置１００は、素子間の接続の変更により再構成される回路を備える複数の再構成領域Ｒ０−Ｒ５と、複数の再構成領域Ｒ０−Ｒ５の各々に対して、実行させる処理を割り当てて、複数の再構成領域Ｒ０−Ｒ５の各々が実行する処理の状態に基づいて、複数の再構成領域Ｒ０−Ｒ５を選択的に再構成して節電状態にする管理領域Ｒ０及びＲ５と、管理領域Ｒ０及びＲ５が複数の再構成領域Ｒ０−Ｒ５を選択的に再構成するタイミングを調整する同期管理部２２及び４２と、を備える複数のプログラマブル論理回路部５０及び６０を有し、同期管理部２２は、他の同期管理部４２と同期して、タイミングを調整する。 （もっと読む）