【課題】電子機器が特定のモードである際にのみ操作される操作スイッチを有する信号出力回路であって、消費電力の増大、生産効率の低下、出力信号を受信するマイコンの構成の複雑化を防止することができる信号出力回路を提供すること。
【解決手段】複数の操作スイッチを有し、操作スイッチの操作に応じた電圧信号をマイコン３０の第２のポートＰ２０に出力する第１のスイッチ入力部１０及び第２のスイッチ入力部２０によって信号出力回路が構成され、第１のスイッチ入力部１０は、トランジスタＱ１１と、抵抗Ｒ１２とによって構成された信号受信部によって受信した２値信号に応じて、動作状態あるいは非動作状態に制御され、動作状態に制御されている際には、第１のスイッチ入力部１０が有する操作スイッチが全て非操作状態である際にも、非動作状態に制御されている際とは異なる電圧信号をマイコン３０の第２のポートＰ２０に出力する。 （もっと読む）

【課題】 負荷側に短絡故障が生じた場合であっても、構成部品の破損を防止できるプッシュプル回路を提供する。
【解決手段】 第１のＰＮＰトランジスタ１と第１のＮＰＮトランジスタ２とのコレクタを共通に接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１のエミッタを直流電源に接続し、第１のＮＰＮトランジスタ２のエミッタを基準電位点に接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１及び第１のＮＰＮトランジスタ２の双方のベースに同一の入力信号を加え、共通のコレクタから負荷に出力を取り出すプッシュプル回路であって、第１のＮＰＮトランジスタ２のベースにアノードが接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１のベースにカソードが接続する整流素子３と、第１のＰＮＰトランジスタ１及び第１のＮＰＮトランジスタ２の双方のベース及びエミッタに接続する保護回路５，６と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】複数のノードそれぞれが単線の通信路に接続されてなる通信システムにおいて、ショートが発生した場合に各ノードのスリーステート素子が破損することを防止する。
【解決手段】各ノード２のＨ側経路５６およびＬ側経路５８を流れる電流を電流制限回路４６，４８により制限するため、その経路がショートして大きな電流が流れうる状況になっても、その定められた制限値より大きな電流が流れることはない。この制限値は、スリーステート素子４２を形成するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流すことのできるコレクタ電流の最大定格値以下に設定されているため、Ｈ側経路５６，Ｌ側経路５８または通信路３にショートが発生しても、各ノード２のスリーステート素子４２を構成するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が破損するような電流が流れることを防止でき、その結果、各ノード２のスリーステート素子４２が破損してしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】安定したスイッチング特性を有するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】コレクタが定電流源１１を介して電源Ｖｃｃに接続され、エミッタが基準電位ＧＮＤに接続されたトランジスタ１２と、コレクタの電位に基づき、トランジスタ１２のゲートに信号を出力してオンとオフを切換え、オフからオンに切り換えるときには、入力電圧Ｖｉｎがトランジスタ１２の閾値電圧Ｖｔｈより高い第１の電圧Ｖ１のときにトランジスタ１２を切換え、オンからオフに切り換えるときには、入力電圧Ｖｉｎがトランジスタ１２の閾値電圧Ｖｔｈより低い第２の電圧Ｖ２のときにトランジスタ１２を切換えるドライブ手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易であり且つ切替直後のチャタリングを防止可能な小さなヒステリシスを有するコンパレータ回路を提供する。
【解決手段】基準電圧Ｖ_ｒｅｆ及び比較される電圧Ｖ_ｉｎを入力される一対の差動入力トランジスタＱ_１２，Ｑ_１４と、トランジスタＱ_１２，Ｑ_１４の夫々のコレクタと電源線との間に接続され且つベース同士が接続された一対の負荷トランジスタＱ_１５，Ｑ_１６と、トランジスタＱ_１５，Ｑ_１６の夫々のエミッタと電源線との間に接続された第１及び第２の抵抗Ｒ_１３，Ｒ_１４とを有する差動増幅回路５２、差動増幅回路５２の反転に応答してトランジスタＱ_１５，Ｑ_１６のエミッタへ供給される第１の電流Ｉ_１を発生させる第１の電流源回路５４、並びに差動増幅回路５２の反転に応答して所定時間の間第１の電流Ｉ_１に重畳される第２の電流Ｉ_２を発生させる第２の電流源回路５４を有する。 （もっと読む）

【課題】温度制御を高感度でおこなえる温度センサを組み込んだ電力制御装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】電力制御装置１００は、トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１２及びトレンチ型ダイオードデバイス１３がトレンチ４’，４で区画されている。トレンチ型ダイオードデバイス１３は、基板１、エピタキシャル層２、第１バイアス拡散層３、及び低ドープアノード層１０がこの順に積層され、第１バイアス拡散層３の一部は低ドープアノード層１０を貫通して表面に露出し、その上に第２バイアス拡散層１１が形成され、低ドープアノード層１０の上に高ドープアノード層７及びカソード層８が形成され、高ドープアノード層７側の表面からエピタキシャル層２に達する位置にトレンチ４が周囲を囲むように形成され、高ドープアノード層７、カソード層８、第２バイアス拡散層１１、及びトレンチ４にそれぞれ電極が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルコントローラの入力回路においては、限流抵抗による発熱が大きくなっている。
【解決手段】入力信号を取り込むフォトカプラと直列にスイッチング素子を接続する。このスイッチング素子のベースと限流抵抗の出力側間に第２のフォトカプラを接続する。演算部の制御手段は、この第２フォトカプラを介してスイッチング素子をオン・オフ制御するよう構成する。また、スイッチング素子のオン・オフ信号のデューティー比を可変可能に構成する。また、スイッチング素子のオン・オフ信号と、サンプリング信号のクロックを同一クロックで構成した。 （もっと読む）

【課題】 負荷デバイスへの電源電圧レベルをトリガ信号に応じて可変制御する電源制御回路を、仕様変更が繁雑なソフトウェア構成ではなく、ハードウェア構成とし、かつ誤動作を防止する構成とすること。
【解決手段】 トリガ信号５を、初段インバータのＰＮＰトランジスタ１２に供給してレベル反転し、この出力レベルを次段インバータのＮＰＮトランジスタ１４に供給して更にレベル反転する。この出力をＰチヤネルＦＥＴ６のオンオフ制御信号とする。初段インバータの電源はトリガ信号５のハイレベルと同等の電圧とし、次段インバータの電源は電源１の電源電圧とする。これにより、トリガ信号５のレベルが、ＦＥＴ６のオンオフ制御をなすに十分なレベルに確実に変換される。 （もっと読む）

【課題】プルアップ抵抗遮断用ＭＯＳトランジスタの駆動回路の消費電流を小さくすること。
【解決手段】電源ＶＢとグランドとの間に抵抗素子Ｒ４とＲ５とを直列に接続する。また、抵抗素子Ｒ４と電源ＶＢとの間にＭＯＳトランジスタ８を接続する。さらに、抵抗素子Ｒ５とグランドとの間に定電流源９を接続する。ＭＯＳトランジスタ８は制御信号入力端子３からの信号に基づいてオンオフ制御するようになっている。これにより、プルアップ抵抗遮断用ＭＯＳトランジスタ２をオフしているときには、ＭＯＳトランジスタ８、抵抗素子Ｒ４、Ｒ５に流れる電流を定電流源９で規定することができ、定電流源９に流れる電流を小さい値に設定することにより、プルアップ抵抗遮断用ＭＯＳトランジスタの駆動回路１００の消費電流を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 操作終了の直後に再度操作スイッチが操作された場合であっても、この再度の操作を正しく検出することができる携帯可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 ユーザによる操作開始により遮断状態から導通状態に遷移するとともに、操作終了により導通状態から遮断状態に遷移し、導通状態において導通信号Ｓ５を出力するタクトスイッチ６と、導通信号に基づいて電荷を蓄積する操作検出用コンデンサーＣと、導通信号に基づいてタクトスイッチ６の導通状態から遮断状態への状態遷移時に操作検出用コンデンサーＣを放電させる放電用スイッチング素子３４と、操作検出用コンデンサーＣの電荷蓄積量Ｑを閾値と比較し、この比較結果に基づいて操作検出信号Ｓ６を生成する操作検出回路３５により構成される。 （もっと読む）

【課題】入力信号をフィルタ処理すると共に処理された信号の初期及び終期の変化における遅延時間に差が生じないようにする。
【解決手段】電源ＶＢと入力端子Ｉ１との間に直列に接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１からなるローパスフィルタＬＰＦと、そのコンデンサＣ１と並列に時定数切替回路ＣＴを構成するコンデンサＣ２及び抵抗Ｒ２を設け、コンデンサＣ２及び抵抗Ｒ２の入力端子Ｉ１側をダイオードＤ１を介して抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１のノードに接続し、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１のノードとトランジスタＱ１のベースとをダイオードＤ２を介して接続する。フィルタ回路による初期変化の応答遅れと略同一の応答遅れとなる入力信号の終期変化とすることができ、入力信号処理回路に対する入力信号と出力信号との信号長さを同じにすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、印加電圧の変化幅に応じた放電制御を行って容量性負荷に印加する多値の電圧を高速に可変制御できる容量性負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】容量性負荷に多値の電圧を印加して駆動する容量性負荷駆動回路において、電圧制御信号を生成して出力する電圧制御信号生成手段と、前記電圧制御信号を電圧増幅する電圧増幅手段と、前記電圧増幅手段の出力を電流増幅して前記容量性負荷の充電を行う電流増幅手段と、前記電圧制御信号の立ち下がりの幅が所定値を超えるとき所定パルス幅の立ち下がりパルスを発生する立ち下がり制御信号発生手段と、前記立ち下がりパルスの供給により前記容量性負荷の放電を行うスイッチ手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】過温度保護を適切に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、スイッチ素子ＳＷ１と、スイッチ素子ＳＷ１に電圧を供給する駆動回路３と、周囲温度を検出し、検出した周囲温度が基準温度より高い場合には駆動回路３によるスイッチ素子ＳＷ１への電圧供給を制御してスイッチ素子ＳＷ１をオフ状態とする過温度保護回路１と、ワイヤＷ２を含み、ワイヤＷ２が剥離した場合には基準温度を低くする故障検出回路２とを備える。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収するに際しても発熱が生じるのを防止するようにした誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】外部供給電源１２と誘導性負荷１４の間に介挿される第１のスイッチング素子２８、誘導性負荷１４とアース２４の間に介挿される第２のスイッチング素子３０、第１のスイッチング素子２８と誘導性負荷１４との間で分岐してアース２４に接続される電路４０を有すると共に、第１のスイッチング素子２８がオフ、第２のスイッチング素子３０がオンされるとき、誘導性負荷１４の逆起電圧によって生じる逆起電流をアース２４に還流させる還流回路１８、さらに誘導性負荷１４と第２のスイッチング素子３０との間で分岐して外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電流を外部供給電源１２に還元する逆起電流還元回路２０を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】省スペースでも入出力端子を兼用することでユーザの設計の自由度を高めたオープンコレクタ型インターフェース回路を提供する。
【解決手段】制御部１によって第１のポートＰ１の出力レベルを切り換えることにより第１のスイッチング素子３をＯＮ／ＯＦＦさせて、第１の通電回路Ａと第２の通電回路Ｂを切り換えて通電し同一のコネクタ端子２に入力端子と出力端子を兼用させる。 （もっと読む）

【課題】地絡あるいは天絡等から回路を好適に保護する保護機能を実現する。
【解決手段】負荷駆動回路１０は、第１の固定電圧Ｖｄｄと第２の固定電圧ＧＮＤ間に直列に接続されたバイポーラトランジスタである第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２を含み、２つのトランジスタの接続点である出力端子Ｔ１に接続された負荷に、２つのトランジスタのオンオフ状態に応じた駆動電流Ｉｄｒｖを供給する。電流源１２は、第１トランジスタＱ１に供給するベース電流Ｉｂ１を制御する。保護回路２０は、出力端子Ｔ１の出力電圧Ｖｏｕｔを所定のしきい値電圧Ｖｔｈと比較するとともに、第１トランジスタＱ１のオン、オフ状態をさらに監視する。保護回路２０は、Ｖｏｕｔ＜Ｖｔｈであり、かつ、第１トランジスタＱ１がオンの状態において、第１トランジスタＱ１のベース電流Ｉｂ１を低減する。 （もっと読む）

【課題】電池容量の使用効率を向上できかつ電池交換手間を減らせる一次電池駆動型昇圧チョッパ回路を提供すること。
【解決手段】昇圧チョッパ回路部３１のトランジスタQ２を駆動する発振回路部３２は、トランジスタQ１とそのコレクタ抵抗Ｒ１とからなる駆動段３３を有する。トランジスタQ１のベースは、コンデンサＣ２により負荷駆動端Ｔｏに、ＣＲ回路３０により接地端（Ｔｅ）に接続されている。また、接地端（Ｔｅ）はコンデンサＣ１により電源入力端（Ti）に接続されている。これにより、一次電池１の電圧が低くても、トランジスタＱ１、Ｑ２が安定にオンすることができる。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の精度を高めながらも消費電流や発熱の増加を抑制し得るサンプルホールド回路を提供する。
【解決手段】スイッチＳＷ１の入力端子Ｐ10を出力端子Ｐ11、スイッチＳＷ２の出力端子Ｐ20を入力端子Ｐ21、スイッチＳＷ３の出力端子Ｐ30を入力端子Ｐ32、にそれぞれ切替えると、オペアンプＯＰ２による電圧フォロア回路を介したオペアンプＯＰ１による電圧フォロア回路がループＬＰ１により構成されるので、オペアンプＯＰ２によるオフセット電圧をオペアンプＯＰ１で吸収できる。一方スイッチＳＷ１の入力端子Ｐ10を出力端子Ｐ12、スイッチＳＷ２の出力端子Ｐ20を入力端子Ｐ22、スイッチＳＷ３の出力端子Ｐ30を入力端子Ｐ31、にそれぞれ切替えると、オペアンプＯＰ３による電圧フォロア回路を介したオペアンプＯＰ１による電圧フォロア回路がループＬＰ２により構成されるので、オペアンプＯＰ３によるオフセット電圧をオペアンプＯＰ１で吸収できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基準電圧に基づいて電源電圧の低下を検出する回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、電源電圧の分圧電圧をゲートに入力する第１のＮＭＯＳトランジスタと、基準電圧をゲートに入力する第２のＮＭＯＳトランジスタと、ダイオード接続の第１のＰＭＯＳトランジスタ及び第２のＰＭＯＳトランジスタと、第１のＰＭＯＳトランジスタとゲート同士が接続された第３のＰＭＯＳトランジスタと、第２のＰＭＯＳトランジスタとゲート同士が接続された第４のＰＭＯＳトランジスタと、ダイオード接続の第３のＮＭＯＳトランジスタと、第３のＮＭＯＳトランジスタとゲート同士が接続された第４のＮＭＯＳトランジスタと、抵抗を含み、その抵抗の第２端を第４のＰＭＯＳトランジスタのドレインと第４のＮＭＯＳトランジスタのドレインとに接続し、抵抗の第２端の電位を出力とすることで、電源電圧が所定値より低くなったことを検出する。 （もっと読む）

【課題】レーザ接続端子の電圧と駆動回路の電源電圧もしくは接地電圧の関係に依存することなくパルスの立下り時間を短くすることを可能にする。
【解決手段】可変電流源１０３からの電流と第１のパルス制御信号１０１とが入力され第１のパルス制御信号１０１に同期した第１の駆動電流を出力する第１の駆動回路１０５と、第１のパルス制御信号１０１の立ち下がりエッジ検出時にパルス信号を出力するパルス出力回路１０７と、可変電流源１０４からの電流と第２のパルス制御信号１０２とが入力され第２のパルス制御信号１０２に同期した第２の駆動電流を生成するとともに、第２の駆動電流において少なくともパルス信号に同期したタイミングで電流値を低下させて出力する第２の駆動回路１０６とを備えたものである。 （もっと読む）