説明

Fターム[5J055DX03]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 主スイッチを構成する素子 (3,300) | バイポーラトランジスタ (323)

Fターム[5J055DX03]の下位に属するFターム

nPn (87)
PnP (47)
マルチエミッタ、マルチコレクタ
構造

Fターム[5J055DX03]に分類される特許

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【課題】半導体スイッチング素子を過電圧から保護するため、電圧クランプ回路を用いるが、一定電圧にクランプする方式では、スイッチング損失が大きく、装置が大型で、高価になる課題がある。
【解決手段】IGBTのゲートとコレクタ間に、複数の定電圧ダイオードと逆素子ダイオードの直列回路を接続し、さらに何れかの定電圧ダイオードと並列にコンデンサを接続し、ターンオフ時のクランプ電圧を電流が大きい時には低く、電流が小さくなるにつれて徐々に高くし、最終的には素子耐圧の許容値以下に電圧クランプする。 (もっと読む)


【課題】
パワーモジュールに大きな電流を流すインバータ装置であっても、高電位側IGBTを駆動する信号の基準電位端子とゲート駆動ICの基準電位端子間の逆サージを効果的に回避する。
【解決手段】
高電位側のIGBT121及び低電位側のIGBT123を有するIGBTモジュール113と、高電位側IGBT121及びIGBT123を駆動する信号を出力するゲート駆動IC101と、ゲート駆動IC101の高電位側IGBT駆動信号用基準電位端子106と低電位側のIGBT123のコレクタ端子117との間に設けられた容量128と、ゲート駆動IC101の高電位側IGBT駆動信号用基準電位端子106と高電位側IGBT121のエミッタ端子116との間に設けられた抵抗127と、を有するインバータ装置。 (もっと読む)


【課題】 電路を遮断する精度が環境温度の変化によって低下しない過電流保護回路を実現する。
【解決手段】 検出抵抗R3に流れる過電流を検出するカレントミラー回路9を構成する第1および第2のトランジスタT1,T2は同じ温度特性を有する。第1および第2の制限抵抗R1,R2と、検出抵抗R3と、電流I1,I2とには、R1=R2−(I3/I1)R3の関係があり、過電流が流れる前はI1>I2、過電流が流れた瞬間以降はI2>I1となるように設定されている。上記の式には、ベースエミッタ間電圧など、温度特性によって変動するパラメータが存在しないため、環境温度が変化した場合であっても第2のトランジスタT2が第4のトランジスタT4をオンするタイミングが変動しない。 (もっと読む)


【課題】 必要以外の高調波成分を低減することなく、必要な帯域の高調波成分のみを低減することができるスイッチング回路及び折線波形最適化方法を提供すること。
【解決手段】 スイッチング素子M1を駆動して負荷5を作動させるスイッチング回路1において、特定の高調波周波数成分が小さくなる折線波形を出力する規範電圧波形生成部3を備え、負荷5との接続部分で計測されるスイッチング回路1の出力が規範電圧波形生成部3から出力される折線波形となる回路構成にした。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体スイッチのドライバ回路内部で、信号電圧を伝送するための回路と方法を提供する。
【解決手段】ドライバ回路6の1次側8aに、第1信号電圧US1のための信号入力14aと、第1信号電圧US1と相関関係のある電流I、I’のための電流源16、16’と、電流I、I’のための接続ライン20、20’とを含み、この接続ラインは、電流源16、16’からドライバ回路6の2次側8bへ連結している。さらに、2次側8bには、電流I、I’を、この電流と相関関係のある第2信号電圧US2に変換するための電流・電圧変換器24、24’と、第2信号電圧US2のための信号出力14bとを含んで出力される。 (もっと読む)


【課題】 PNPトランジスタの電源電圧が急激に上昇しても、オフ状態であるPNPトランジスタが誤ってオン状態になることを防止することができる誤動作防止装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 誤動作防止回路1は、PNP型のトランジスタQ3および抵抗素子R4とを含んで構成される。抵抗素子R4の一端は電源電圧Vccの電源に接続され、他端はトランジスタQ3のベースに接続される。トランジスタQ3のエミッタは電源電圧Vccの電源に接続され、コレクタはスイッチング回路2のPNP型のトランジスタQ2のベースに接続される。寄生容量C1の静電容量と寄生容量C2の静電容量とが同じ容量で、かつ抵抗素子R4の抵抗値が抵抗素子R1の抵抗値よりも大きい値である。電源電圧Vccが急激に上昇した場合、トランジスタQ2がオフ状態からオン状態に変化する前に、トランジスタQ3がオフ状態からオン状態に変化する。 (もっと読む)


【課題】励磁OFFの高速化が図れ、また電磁波ノイズの輻射を効果的に減衰でき、しかもトランジスタ破壊を確実に防止することが可能な電磁石コイル駆動回路を提供する。
【解決手段】リレーまたはソレノイド等に使用するコイル、そのコイルに駆動電流を供給するトランジスタ、そのコイルに直列接続する複数個数のツェナーダイオード、同ツェナーダイオードに直列に接続する接合容量(Cjo)の大きな高速ショットキーバリアダイオード、コイルの片側に接続する直流電圧源、コイルの電源側に接続するバイパスコンデンサ、トランジスタのベース、エミッタ間に接続する抵抗、トランジスタのベースに接続してトランジスタのオン/オフを制御する電圧源、同電圧源とトランジスタのベースを接続するベース抵抗により構成する。 (もっと読む)


【課題】一時的な短絡やノイズにより負荷部の動作が停止されないようにすると共に、安全性や信頼性を求められる負荷部を駆動する装置として採用するのに適した負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷駆動装置1は、電源部100から負荷部200へと至る供給経路に直列に接続された第1のスイッチ部30を備え、また、供給経路に直列に,かつ,第1のスイッチ部30と並列に接続された第2のスイッチ部40を備えており、この第2のスイッチ部40を第1のスイッチ部30と共に供給経路を導通させることによって、その負荷部を駆動する。そして、この第2のスイッチ部40には、少なくとも供給経路に短絡が発生した場合に該供給経路に流れる電流を、この第2のスイッチ部40が導通させた導通経路に正常に流すことのできるデバイスが用いられている。 (もっと読む)


【課題】ソフトシャットダウン機能を有するパワーデバイスドライブ装置の出力端子とパワーデバイスを接続する信号線を短縮化する。
【解決手段】パワーデバイスドライブ装置50には、光結合部1とパワーデバイスドライブ回路部2が設けられる。パワーデバイスドライブ回路部2には、ドライバ部21、ディセイブル回路22、I/V変換回路23、サンプルホールド回路24、ソフトシャットダウン回路25、制御端子PDisb、Vcc端子PVcc、Vo端子PVo、及びVss端子PVssが設けられる。IGBT4の短絡等の異常事態が発生したとき、制御信号Ssetがディセイブル状態となる。ディセイブル状態の制御信号Ssetがディセイブル回路22に入力され、出力部から出力される信号がHz状態となり、ソフトシャットダウン回路25のNch MOSトランジスタNMT3が“ON”しIGBT4をソフトシャットダウン状態にする。 (もっと読む)


【課題】電源投入時に流れる突入電流を削減すること。
【解決手段】商用電源2から電気機器3に電力を供給する電源装置1において、ON/OFFスイッチ22をONするとタイミング制御回路7で制御された無接点リレー6Aが交流波形の立ち下がりのゼロクロス点で交流電源電圧の供給を開始し、かつ、ON/OFFスイッチ22をOFFするとタイミング制御回路7Aで制御された無接点リレー6Aが交流波形の立ち下がりのゼロクロス点で交流電源電圧の供給を終了するようにした。 (もっと読む)


【課題】従来の技術のリレー回路を、供給電圧の低下の際にリレー回路の安全を改善すること。
【解決手段】リレー(K1,K2)は、異なった最小限の保持電圧(UHalt,min1;UHalt,min2)および/またはコイル抵抗(Rspl,Rsp2)を有する。 (もっと読む)


【課題】システムの稼動率を維持しながら、1チップICのチップ全体の温度上昇を防ぐ。
【解決手段】ドライバIC20(1チップIC)は、外部負荷40または外部モジュール50との間で各種信号のやり取りを行う複数の外部負荷駆動部23または通信制御部24と、外部負荷駆動部23等の作動に必要な大きさの電源を供給するメイン電源22(電源供給手段)とを備える。外部負荷駆動部23等は、その温度が温度Tsub1等(第1保護温度)に達したとき、その外部負荷駆動部23等の機能を停止する過熱保護機能部23a等(機能制御側過熱保護手段)を備える。メイン電源22には、メイン電源22の温度が温度Tsub1に比して高く設定された温度Tmain(第2保護温度)に達したとき、メイン電源22の電源供給機能を停止する過熱保護機能部22a(電源供給側過熱保護手段)を備える。 (もっと読む)


【課題】容量性負荷のための改良されたパワースイッチアッセンブリを提供する。
【解決手段】共通電極14並びに第1及び第2の個別電極16、18を含む容量性負荷10のためのパワースイッチアッセンブリは、電圧源Vccに結合されて、そこから電力を受け取るためのノードn1と、このノードn1と接地点との間に接続された第1スイッチング装置と、ノードn1と接地点との間に接続された第2スイッチング装置と、ノードと接地点との間に接続された駆動回路とを備えている。駆動回路は、容量性負荷の共通電極14に接続された出力端子を含む。第1スイッチング装置は、容量性負荷の第1電極16に結合され、第1方向における容量性負荷10の移動を制御するように構成される。第2スイッチング装置は、容量性負荷の第2電極18に結合され、第1方向とは逆の第2方向における容量性負荷10の移動を制御するように構成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体スイッチング素子がターンオンするときの誤作動を防止することができる、スイッチング装置の提供を目的とする。
【解決手段】半導体スイッチング素子Q1のスイッチング装置であって、半導体スイッチング素子Q1のゲート電圧の時間変化率を検知する時間変化率検知手段H1と、時間変化率検知手段H1の検知結果に基づいて、前記時間変化率の符号の変化を検知する符号変化検知手段CMP1,2と、符号変化検知手段CMP1,2によって検知された前記時間変化率の符号の変化の検知タイミングに応じて、スイッチング素子Q1をターンオンさせる駆動電圧又は駆動電流を変化させる切替手段G1,M6,R3とを備えることを特徴とする、スイッチング装置。 (もっと読む)


駆動回路は、第1電圧を出力する電源と、第2電圧を出力するエネルギー蓄積装置と、負荷とを含んでいる。複数のスイッチが、一方の流れ方向またはこれとは逆方向の流れ方向に、負荷を流れる電流の流れを制御する。第1、第2の電圧は、電流を発生させることができる。
(もっと読む)


【課題】入力側が故障しても最低限の負荷駆動ができ安全性の向上した負荷制御装置を提供すること。
【解決手段】駆動命令信号が第1の入力しきい値以下になったことを検出する第1の入力回路(Q1,R1,R2)と、第1の入力回路の検出に応じて起動される第1の定電流源(1)と、第1の定電流源により起動され、PWM信号を供給するPWM信号供給手段(3,Q5)と、第1の入力回路または第1の定電流源の故障時に一定の制御信号を供給する一定制御信号供給手段(Q2,R3,R4,2,Q3,Q4)と、PWM信号供給手段からのPWM信号に応じてPWM駆動制御信号を生成すると共に、一定制御信号供給手段からの一定の制御信号に応じて一定駆動制御信号を生成する駆動制御手段(Q6,Q7,R5,R6,R7)と、PWM駆動制御信号または一定駆動制御信号で制御され、負荷(6)を駆動する負荷駆動素子(5)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】出力信号の時間幅の増大を招来することのない、ボイラや燃焼炉等の点火制御に用いるに好適な、取り扱い性に優れた簡易な構成のタイマー回路を提供する。
【解決手段】充放電用のコンデンサを用いて構成される燃焼制御用のタイマー回路であって、入力信号を受けて作動して前記コンデンサに対する充電路および放電路を択一的に形成し、前記コンデンサの充電電圧が第1の閾値電圧に達するまで前記コンデンサを充電した後に前記コンデンサを放電させて、前記コンデンサの放電電圧が第2の閾値電圧に達するまでの期間に亘って出力信号を生成する充放電制御回路を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを過電流及び過熱から保護しながら効率良く使うことが可能な電源供給装置及び電源供給方法を提供する。
【解決手段】負荷10に電線11を介して電流を流す半導体スイッチ12と、電線11に流れる負荷電流を検出する電流検出回路13と、検出した電流値から2乗電流値を演算して出力する電流変換回路14と、電流変換回路14から2乗電流値を入力して半導体スイッチ12の温度相当値を演算して出力する熱等価回路15と、熱等価回路15から出力された半導体スイッチ12の温度相当値が、半導体スイッチ12の限界温度に基づき設定された第1異常判定値を超えた場合に異常と判定する異常判定回路16とを備え、異常と判定された場合に半導体スイッチ12をFET駆動回路17によりオフにする。 (もっと読む)


【課題】 実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】 インダクタ負荷(R)を駆動するバイポーラトランジスタ(TR)のサージ吸収保護回路(100)において、前記インダクタ負荷はバイポーラトランジスタのコレクタ(C)に接続され、前記バイポーラトランジスタに対して双方向ツェナーダイオード(ZD)と第一抵抗(R)を導線(104)により並列に設け、前記バイポーラトランジスタのエミッタ(E)により導線(103)をアース(GND)し、前記第一抵抗(R)の他端側は導線(105)により導線(103)に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗間の導線(104)にバイポーラトランジスタのベース(B)に接続する導線(106)を分岐させ、この導線(106)の他端に第二抵抗(R)を設けた構造のインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路。 (もっと読む)


【課題】トランスの結合係数が悪くても誤動作を抑えることが可能な信号伝達回路を提供することを目的とする。
【解決手段】入力信号の立上りタイミングにおいて、トランス193の1次側コイルにプラス極性の電圧をかけ、入力信号の立下りタイミングにおいて、1次側コイルにマイナス極性の電圧を発生させる駆動回路5と、トランス193の2次側コイルにプラス極性の電圧が発生すると、出力信号を立ち上がらせ、2次側コイルにマイナス極性の電圧が発生すると、出力信号を立ち下がらせる2次側回路192と、1次側コイルにプラス極性の電圧が発生した後、2次側回路192が動作しない大きさのマイナス極性の電圧を1次側コイルにかけ、1次側コイルにマイナス極性の電圧がかかった後、2次側回路192が動作しない大きさのプラス極性の電圧を1次側コイルに発生させる抵抗8とを備えて信号伝達回路1を構成する。 (もっと読む)


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