【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】設計期間が短く、面積効率が高く、電源配線における電圧降下が小さな半導体チップと、その設計方法を提供する。
【解決手段】この半導体チップは、複数の電源ドメインＤ１〜Ｄ４に分割された内部回路２を備える。互いに異なる電流駆動能力を有する複数種類のレギュレータＲ１，Ｒ２を予め準備しておき、各電源領域毎に、当該電源領域の最大負荷電流を供給するために必要なレギュレータの種類と数を選択し、選択した１または２以上のレギュレータによって当該電源領域用の電源回路を構成する。したがって、設計期間が短くて済む。 （もっと読む）

【課題】センサーデバイスからの検出信号の精度の高いＡ／Ｄ変換を実現できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、電源電圧ＶＤＤＡを生成する電源回路６０と、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡに基づいて動作し、電源電圧ＶＤＤＡにより規定されるＡ／Ｄ変換範囲で、センサーデバイス３０からの検出信号に対応する信号についてのＡ／Ｄ変換を行うＡ／Ｄ変換器ＡＤＣと、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡをセンサーデバイス３０に供給する電源端子ＰＶＤＡを含む。 （もっと読む）

【課題】 間欠動作する論理回路の動作停止時（待機時）のリーク電流を低減するとともに、さらに論理回路の動作時の駆動電流を十分に供給可能とする。
【解決手段】 論理回路と電源の間に接続のパワースイッチを論理回路の間欠動作に合わせて制御する構成において、２つのパワースイッチは論理回路と正の電源電位との間にｎＭＯＳトランジスタを接続し、論理回路と接地電位との間にｐＭＯＳトランジスタを接続した構成とし、論理回路の動作停止時にｐＭＯＳトランジスタのゲート端子を正の電源電位に接続して非導通とし、論理回路の動作時にｐＭＯＳトランジスタのゲート電位を接地電位に接続して導通させるスイッチを備え、論理回路の動作停止時にｎＭＯＳトランジスタのゲート端子を接地電位に設定して非導通とし、論理回路の動作時にｎＭＯＳトランジスタのゲート端子を正の電源電位以上の電位に設定して導通させる電圧変換器を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電源遮断（パワーゲーティング）を適用する際に、待機モード時の出力が一意に定まらない場合がある。そのような場合には、複数のバッファ電源線と複数の電源セレクタを用意することでパワーゲーティングを適用する。しかし、このような方法では回路面積が増加してしまうという問題がある。
【解決手段】そこで、パワーゲーティングを適用した回路が非活性状態から活性状態に復帰する際のタイミングを半導体装置に発行されたコマンド、又はサブ電源線が復帰電圧の監視、に基づいて定めることとする。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態への設定と解除が頻繁に繰り返されることにより、消費電力が増大することを避けることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】内部回路５０と、第１制御信号を受けて内部回路への電源供給を制御する電源制御回路４０と、第２制御信号を受けて第１制御信号を出力する制御信号発生回路３０と、を備え、制御信号発生回路３０は、第２制御信号の非活性期間が第１の期間未満であるときに第１制御信号を非活性状態とせず、第１の期間以上であるときに第１制御信号を非活性状態とする。 （もっと読む）

【課題】電源遮断時に、電源遮断対象ブロックへの電源配線を有効に活用することのできる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路は、第１の電源パッドと、第２の電源パッドと、第１の電源パッドに接続された第１の電源配線と、第２の電源パッドに接続された第２の電源配線と、を備え、第１のスイッチを介して第１の電源配線に接続される電源遮断対象ブロックと、第２の電源配線に接続される常時電源供給対象ブロックと、第１の電源配線と第２の電源配線との間に接続された第２のスイッチと、を備える。 （もっと読む）

【課題】他の回路のタイミングに影響を与えずに、動作モードにおける組み合わせ回路のオフリーク電流を低減させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】組み合わせ回路３２と、組み合わせ回路の出力信号をクロック信号ＣＫに同期して保持する順序回路１００と、を備え、順序回路は、クロック信号のエッジを検出してパルスを生成するパルス生成回路と、出力信号をパルスに同期してラッチするラッチ回路と、クロック信号とパルスとから組み合わせ回路の電源制御信号を生成する電源制御信号生成回路と、電源制御信号により導通非導通が制御され、導通するときに組み合わせ回路に電源を供給する電源スイッチと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を削減する。
【解決手段】回路動作スケジュール補正部１４が、回路動作スケジュールを入力し、複数の回路動作期間を連続するように、回路動作期間の開始時刻または終了時刻を補正し、電源スイッチ制御部１５が、補正された回路動作スケジュールにしたがって、回路１１へ電源を供給するか否かを切り替える電源スイッチ１２をオンまたはオフすることで、電源スイッチ１２の動作回数が減少し、電源スイッチ１２をオフからオンする際の、電源復帰時のエネルギー損失が減少し、消費電力が低減される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、電源制御領域への突入電流の発生を抑制するためにチップ面積が増大する問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、オン抵抗が大きな第１のスイッチトランジスタＳＷＬと、オン抵抗が小さな第２のスイッチトランジスタＳＷＳと、を有し、第１、第２のスイッチトランジスタＳＷＬ、ＳＷＳは、異なる領域に電流を供給し、第１のスイッチトランジスタＳＷＳは、制御信号ＣＯＮＴを直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、前記制御信号を直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬのうち初段に配置される第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、第１のスイッチトランジスタＳＷＳのうち最も後ろに配置される第１のスイッチトランジスタＳＷＳが出力する制御信号ＣＯＮＴが入力される。 （もっと読む）

【課題】容量値の切り換えが可能なデカップリング回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、インバータ２１を有する。インバータ２１は、ゲート電極Ｇ１を有するｉ（ｉは１以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｊ（ｊは０以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタを有する。また、インバータ２１は、ゲート電極Ｇ３を有するｍ（ｍは１以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｎ（ｎは０以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタを有する。ゲート電極Ｇ１〜Ｇ４は、インバータ２１の入力端と接続される。ゲート電極Ｇ１及びＧ２の合計面積は、ゲート電極Ｇ３及びＧ４の合計面積と異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】内部回路（ＬＫ＃２）の内部ノードに対応して対応の内部ノードの信号をラッチする複数のラッチ回路（Ｆ１−Ｆ７）をテストパス（３０２）に配置する。内部回路のＭＩＳトランジスタは、ラッチ回路のＭＩＳトランジスタよりスタンバイ状態時にゲートトンネル電流が低減される状態に設定される。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ電流を低減したい回路ブロックに電流の供給を制御するスイッチ回路のレイアウト面積を抑制する。
【解決手段】半導体基板上に、第1方向に延伸する第1及び第2電源線で、第1及び第2電源線は第1方向に直交に配置され、第1電源線に第1電源電位が供給され、第2電源線に第2電源電位が供給される第1及び第2電源線と、第1方向に延伸し、第2方向に配置された第3電源線と、アクティブ時に第1及び第2電源電位の間の第1電源電圧で動作する回路ブロックで、複数の第1導電型の第1トランジスタと複数の第2導電型の第2トランジスタを備え、複数の第1トランジスタの少なくとも1つは第3電源線に接続される回路ブロックと、第1電源線と第3電源線の間に接続され、回路ブロックがアクティブ状態のとき第1及び第3電源線を導通状態として第3電源線に第1電源電位を供給し、スタンバイ状態のとき第1及び第3電源線とを非導通状態とする第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路１５０および差動回路１６０を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ１０５、１０６を介して差動回路１６０に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 スイッチの信頼性を低下することなく、内部電圧線を所定の電圧に迅速に設定し、半導体集積回路の動作速度を向上する。
【解決手段】 半導体集積回路は、第１高電圧が供給される第１高電圧線を内部電圧線に接続するために第１スイッチ制御信号の活性化に応じてオンする第１スイッチと、第１高電圧を生成するために第１電圧生成信号の活性化に応じて動作する第１電圧生成回路と、第１電圧生成信号の活性化に応じて動作し、第１高電圧と内部電圧線の電圧とを比較し、第１高電圧と内部電圧線の電圧との差が所定値になったときに第１スイッチ制御信号を活性化するレベル比較器とを備えている。第１スイッチの両端に掛かる電圧を比較し、電圧差が小さくなったときに第１スイッチをオンすることで、第１スイッチの信頼性を低下することなく、内部電圧線を所定の電圧に迅速に設定できる。 （もっと読む）

【課題】実装面積を削減できる回路装置、電子機器及び電源回路等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、共振回路を有する電源回路と、論理回路と、を含む。共振回路は、第１のコイルＬ１と、第１のコイルＬ１とコア部を共有する第２のコイルＬ２と、を有する。論理回路は、共振回路により生成された電源電圧ＶＰ、ＶＭが供給されることで断熱的回路動作を行う。 （もっと読む）

【課題】電源スイッチを非導通状態から導通状態に遷移させる時間を最適化できる半導体集積回路及びその電源スイッチ制御方法を提供する。
【解決手段】共通電源配線と、第１の回路と、それぞれ電源スイッチ制御信号に基づいて導通、非導通が制御され共通電源配線と第１の回路との間を並列に接続する複数の電源スイッチと、電源スイッチ制御信号と複数の電源スイッチとの間に接続され電源スイッチ制御信号が非導通状態から導通状態に遷移するときに電源スイッチ制御信号の遷移をそれぞれ異なった遅延時間だけ遅延させて複数の電源スイッチに伝え複数の電源スイッチをそれぞれ時間をずらして非導通状態から導通状態に遷移させる遅延回路と、各遅延回路の遅延時間の増減を制御する遅延時間制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、複数段の電源スイッチを段階的にオンすることによって内部回路に電源供給する半導体装置において、電源供給開始から起動可能となるまでの復帰時間を短縮することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、複数段の電源スイッチを段階的にオンすることによって内部回路に電源供給する電源供給回路を解析する解析装置であって、前段までの電源スイッチをオン状態とし、オンすることによって発生する許容ノイズ量を超えない最大電源ノイズ量となる電源スイッチサイズを次段の電源スイッチとして決定する電源スイッチサイズ決定手段と、前記次段の電源スイッチサイズによる電源ノイズが前記オンされてから収束判定量以下となるまでの時間をオン時間間隔として決定するオン時間間隔決定手段とにより達成される。 （もっと読む）

【課題】基準電位の異なるＴＴＬレベルの信号をＣＭＯＳレベルの信号へ正しく変換が行えるレベル変換回路及びバッテリ装置を提供する。
【解決手段】第１電源と第３電源の間に設けられＴＴＬレベルの信号を入力し第１電源の電圧または第３電源の電圧に反転して出力する反転回路を備えた入力部と、第１電源と第３電源の間に設けられ入力部の出力信号を反転して出力するインバータ回路と、第１電源と第２電源の間に設けられ入力部の出力信号とインバータ回路の出力信号を入力しインバータ回路の出力信号をＣＭＯＳレベルの信号に反転して出力するレベル変換部と、を備え、入力部の反転回路は直列に接続したＰＭＯＳトランジスタと電流リミット回路とＮＭＯＳトランジスタを備えた。 （もっと読む）

【課題】回路本体のリーク電流を速やかに低減させる。
【解決手段】半導体集積回路１００は、回路本体１０１、回路本体１０１の電源端１０１ｂに接続された疑似電源線ＶＡ、疑似電源線ＶＡにＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＳ１を介して接続された低電位電源線Ｖ１、回路本体１０１の電源端１０１ａに接続された高電位電源線Ｖ２、導通時に疑似電源線ＶＡと高電位電源線Ｖ２との電位差を小さくするように疑似電源線ＶＡ及び低電位電源線Ｖ１に接続されたダイオードＤＩ１、及び疑似電源線ＶＡ及び高電位電源線Ｖ２に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＳ２を備える。 （もっと読む）