【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 （もっと読む）

【課題】接続される低雑音増幅器の破壊を防止すると共に、この増幅器の飽和の範囲を狭くし正常動作の範囲を広くすることが可能なリミッター回路を提供すること。
【解決手段】一例のリミッター回路は、高周波入力端子に接続され、一定の飽和入力電力範囲を有する低雑音増幅器の入力端子と接地との間に接続されたＰＩＮダイオードと、前記低雑音増幅器の入力端子に一端を接続され他端は接地される、所定周波数の１／４波長の長さの伝送線路と、前記低雑音増幅器の入力端子に前記飽和入力電力範囲に入る信号が入力されるときに、前記伝送線路の他端と接地との間に、直列接続される電力設定用抵抗器及び定電圧電源を接続し、前記低雑音増幅器の入力端子に入る信号を、この範囲より電力の小さい正常入力電力範囲の信号に下げて前記低雑音増幅器の入力端子に入力する手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アンテナの負荷インピーダンスによらず、食品を高速に加熱すること。
【解決手段】制御部１７で伝送線路１５の長さのバラツキの影響を補正することによって、電力増幅器１４の出力端での反射係数を高い精度で推測し、さらにその反射係数の値に従って予め用意された参照テーブルをベースにきめ細やかに電力増幅器１４への入力電力を過剰に低下することなく制御することによって、高い精度で電力増幅器１４の破壊や発振などを防ぎ、アンテナからの高周波出力を高いレベルに維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】熱時定数による増幅利得の時間的な変化を補償でき、良好な直線性を有するパルス増幅装置を提供する。
【解決手段】パルス電力増幅装置１０は、高周波信号を変調するパルス信号を入力され、前記パルス信号を入力され第１の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第１の微分回路と、前記パルス信号を入力され第２の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第２の微分回路と、励振回路及び最終段増幅器の入力側の負バイアス端子に供給される負バイアス電圧を出力する負バイアス電源１８と、この負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第１の微分回路の出力を加算して前記第１の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第１の加算回路と、前記負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第２の微分回路の出力を加算して前記第２の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第２の加算回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】分布定数型差動増幅器の出力波形におけるジッタを低減する。
【解決手段】分布定数型増幅器は、複数の増幅器を有する。複数の増幅器はそれぞれ、固有の遅延時間を持って一の信号源からの入力信号を受ける。また、複数の増幅器はそれぞれ、固有の遅延時間に対応する遅延時間をもって共通の負荷に出力信号を提供する。複数の増幅器それぞれに関して、固有の遅延時間と対応する遅延時間の和は等しく設定されている。複数の増幅器のそれぞれは、一対の差動トランジスタと、該一対の差動トランジスタと当該増幅器の出力との間に直列に挿入された一対のカスコードトランジスタを含む。一対の差動トランジスタは、当該一対の差動トランジスタそれぞれのコレクタ−ベース間の接合容量が準飽和領域の接合容量となるように、バイアスされている。 （もっと読む）

【課題】進行波管等の電子管の負荷変動により高周波信号の位相が高速に変動した場合でも、その位相変動を抑制できる高周波回路システムを提供する。
【解決手段】電子管及び該電子管に所定の直流電圧を供給する電源装置を備えた高周波回路システムに、電子管へ入力する第１高周波信号と電子管から出力された第２高周波信号との位相差に対応する電圧を出力する位相比較器を備える。電源装置は、位相比較器の出力電圧に基づき、第１高周波信号に対する第２高周波信号の位相変化がある場合、第１高周波信号の位相と第２高周波信号の位相が一致するように、カソード電極とヘリックス間に供給する直流電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ ＨＥＭＴ）電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用３ステージ（Ｔｈｒｅｅ−Ｓｔａｇｅ）ＧａＮ ＨＥＭＴドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】二重進行波管増幅器において不使用の進行波管の電力消費を減少できるようにした電力管理システムを提供する。
【解決手段】衛星搭載用二重進行波管増幅器のための電力管理システムであって、前記二重進行波管増幅器は２つの進行波管２４とこれらに電力を供給する電子電力調整器２０、２１、２２とからなり、前記電力管理システムは前記電子電力調整器に組み込まれる。各進行波管２４はアノードゼロ電極を備え、該電極には各進行波管２４と関連付けられる電力管理手段２２から電圧Ａ０が印加される。そして、前記電力管理システムは、スリープモードが起動されたときに前記電力管理手段２２により、アノードゼロ電極の電圧Ａ０が所定の最小値に設定され、これにより進行波管２４の動作電力が名目上の動作範囲よりも低い値に維持されるように機能する。望ましくは、前記スリープモードはＲＦミュートモードと組み合わされる。 （もっと読む）

【課題】 非常に高効率のフレキシブルな進行波増幅器を提供する。
【解決手段】 カソード、ヘリックス、ＲＦ入力部、ＲＦ出力部、および複数のコレクタを備える進行波管（２２６）と、
前記進行波管（２２６）に電源および電極分極を与える電子電力調整器と
を少なくとも備える進行波管増幅器であって、
前記電子電力調整器が、データバスによって送られる制御コマンドにより、ヘリックス・カソード間電圧およびコレクタ電圧を調節することを可能にするフレキシビリティ制御手段（２４）を備える、進行波管増幅器。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、入力整合回路１７に接続された高温動作用ゲートバイアス回路６０および運用時用ゲートバイアス回路７０と、高温動作用ゲートバイアス回路６０に接続された高温動作用ゲートバイアス端子３１ａと、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１。 （もっと読む）

【課題】サーミスタを使わずに簡便な回路で所望の温度補償が達成できると共に、抵抗での消費電力が増加しないようにし、また温度補償の特性変更や調整を抵抗の仕様等の変更のみで任意に行えるようにする。
【解決手段】ＦＥＴ１のゲート電圧を制御するためのＰＮＰの第１トランジスタＱ1 が設けられ、上記ＦＥＴ１のドレイン及び第１トランジスタＱ1 のエミッタには、ＦＥＴ１のドレイン電流検出用の抵抗Ｒ_４を介して正電源４が配置され、第１トランジスタＱ1 のベースと接地との間に第１抵抗Ｒ_１、このベースと正電源４との間に第２抵抗Ｒ_２が接続される回路で、上記第２抵抗に対し並列となるように、直列接続のダイオード（ＰＮＰトランジスタでもよい）Ｄ1 と第３抵抗Ｒ_３を接続する。これによれば、Ｒ_２とＲ_３のそれぞれの値の組合せの調整で任意の温度勾配のドレイン電流を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器を有するマイクロ波受信機において、小形な保護回路で、大電力のマイクロ波信号が入力されたときの後段増幅器の破壊・劣化を防ぐとともに、前段増幅器への反射電力を抑圧する。
【解決手段】この発明のマイクロ波受信機の前段増幅器の出力端と後段増幅器の入力端の間に挿入接続される保護回路は、その入力端子から出力端子へ至る使用周波数で約４分の１波長の伝送線路と、前記入力端子に一端が接続された第１の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にカソード端子が接続されアノード端子が接地されたダイオードと、前記バイアス端子と前記ダイオードのカソード端子間に接続された第２の抵抗と、前記ダイオードのカソード端子と前記ゲートバイアス回路間に接続された第３の抵抗と、から構成した。 （もっと読む）

【課題】温度変化等に起因して回路特性が変化した場合であっても増幅装置の利得を所定範囲内に設定することが可能な増幅装置を得る。
【解決手段】増幅装置３は、ドハティ型の増幅装置であって、入力信号Ｓ１を入力信号Ｓ３と入力信号Ｓ４とに分配する分配器１６と、入力信号Ｓ３を増幅するメインアンプ１２と、入力信号Ｓ１の信号レベルが所定値以上である場合に、入力信号Ｓ４を増幅するピークアンプ１３と、メインアンプ１２から出力された出力信号Ｓ５と、ピークアンプ１３から出力された出力信号Ｓ６とを合成して出力する出力部１７と、メインアンプ１２及びピークアンプ１３の双方のゲートバイアス電圧Ｖｇｍ，Ｖｇｐを略線形関係で制御することによって、増幅装置３の利得を所定範囲内に設定する制御部１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】パルス増幅動作時間の近傍において不要な信号の送出を制限できる化合物半導体デバイスを使用した電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００は、電力増幅する高周波増幅素子１１への電源を電源制御トランジスタ２１が遮断する。放電用トランジスタ３１は、電源制御トランジスタ２１による電源遮断に同期して電源制御トランジスタ２１及び高周波増幅素子１１に残留する電荷を放電する。 （もっと読む）

【課題】入力信号が過大レベルになっても半導体増幅素子に機能破壊が生じないようにした高周波増幅装置を提供すること。
【解決手段】ＦＥＴ１０１を用いた高周波増幅装置において、ＦＥＴ１０１対する電源電流Ｉの供給ラインに直列にパワーサーミスタ１３１を設け、入力信号のレベルの増加による電源電流Ｉの急激な増加に対する抑制機能がパワーサーミスタ１３１の電圧降下により与えられるようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の種類および入力信号電力レベルに依存することなく、常に高効率で動作させることが可能な電力増幅器の提供。
【解決手段】 電力増幅器は高周波入力信号のキャリアを増幅するキャリア増幅器２と、高周波入力信号のピーク成分を増幅するピーク増幅器３と、高周波入力信号の平均電力レベルを検出する平均電力レベル検出回路１１と、高周波入力信号のピーク電力レベルを検出するピーク電力レベル検出回路１２と、平均電力レベル検出回路１１の出力電圧信号に応じてキャリア増幅器２に供給する直流電圧を制御する第１電圧制御器１０ａと、ピーク電力レベル検出回路１２の出力電圧信号に応じてピーク増幅３器に供給する直流電圧を制御する第２電圧制御器１０ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】増幅率及び雑音特性の両方の性能を良好にすることができる増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】入力信号が入力される入力信号ノード（ＩＮ）と、ゲートに前記入力信号ノードが接続される第１の電界効果トランジスタ（ＴＲ１）と、前記第１の電界効果トランジスタに直列に接続され、ゲートに第１のバイアス電圧ノードが接続される第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ２）と、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの相互接続点と第１の電位ノードとの間に電流を流すための電流パス（１０３，１０４，ＴＲ３）とを有することを特徴とする増幅回路が提供される。 （もっと読む）