【課題】振幅が制御された差分信号を出力すると共にＤＣレベルを制御する、低ノイズ且つ高安定なクリスタルオシレータを実現する回路、方法および装置を提供する。
【解決手段】クリスタルオシレータ回路であって、フィードバックループを２つ有する。一方はクリスタルオシレータ信号のＤＣレベルを設定するために用いられ、他方はクリスタルオシレータ信号の振幅を調整するために使用される。ＤＣレベル設定フィードバックループは、オシレータ信号のＤＣ成分を２つの供給電圧の間に収まるように設定することができる。振幅制御ループは、クリスタルオシレータの出力信号の振幅を一定の範囲内に収める。振幅は、供給電圧をクリッピングすることなく安定性を高めジッタを低減することができる範囲内でスイングが最大となるように設定することができる。振幅制御回路は、ノイズ性能を改善するべくデジタル回路としてもよい。上記２つのループの時定数は、不安定化を避けるために分離してもよい。 （もっと読む）

【課題】電源変動特性に優れた圧電発振器に関して優れたノイズ特性が実現できないという問題を解決する。
【解決手段】圧電振動子と、該圧電振動子の周波数信号を増幅し、発振する為の第一のトランジスタと、該発振用トランジスタの出力信号を増幅する為の第二のトランジスタとを備え、前記第一のトランジスタと前記第二のトランジスタとをカスコード接続した圧電発振器に於いて、前記第二のトランジスタのベースと接地との間にＭＯＳＦＥＴを順方向接続し、該ＭＯＳＦＥＴのゲートを前記第二のトランジスタのエミッタに接続するよう構成したことを特徴とする圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】 起動動作時における電流の増大を必要最小限に抑え、安定した起動動作が可能で、小型な低消費電力回路を提供する。
【解決手段】 カレントミラー回路Ｍ１と、カレントミラー回路Ｍ１の出力端に一端を接続した第１分割抵抗Ｒ1、この第１分割抵抗Ｒ1に一端を接続した第２分割抵抗Ｒ2との直列回路からなるバイアス分割回路Ｒ12と、第１分割抵抗Ｒ1の一端に制御端子（ゲート端子）を、第２分割抵抗Ｒ2の他端に第２主電流端子を、ＧＮＤに第１主電流端子を接続した第１トランジスタＮ1と、第２分割抵抗Ｒ2の他端に制御端子（ゲート端子）を、カレントミラー回路Ｍ１の入力端に第２主電流端子を、第２主電源ＧＮＤに第１主電流端子を接続した、第１トランジスタＮ1と同一チャネル導電型の第２トランジスタＮ2とを含み、起動時に第１分割抵抗Ｒ1と第２分割抵抗Ｒ2との接続ノードに起動電流Ｉ_STを印加する。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成によって周波数の温度補償が可能で、ＩＣ化に適した温度補償発振器に関する。
【解決手段】圧電振動子と、増幅器と、温度補償回路とを備えた温度補償発振器であって、圧電振動子は、常温近傍では周波数の偏移が小さく、常温以上の高温領域では周波数が曲線的に上昇し、常温以下の低温領域では周波数が曲線的に低下する温度周波数特性を有し、温度補償回路は、圧電振動子の低温領域の周波数偏移を補償する為の低温補償用のＭＯＳ容量素子と圧電振動子の高温領域の周波数偏移を補償する為の高温補償用のＭＯＳ容量素子とを含み、ＭＯＳ容量素子を制御電圧により容量値が変化する電圧制御型の可変容量素子により構成した。 （もっと読む）

【課題】
広い周波数範囲で安定した発振信号を得る。
【解決手段】
発振回路は、セルベースＩＣのような半導体装置において使用される。入出力端子間に水晶発振子ＸＬを接続可能とし、制御信号ＣＮＴによって利得を調整可能とするように構成される反転増幅器１０と、反転増幅器１０が出力する発振信号を波形整形するシュミット回路等の波形整形回路１１とを備える。反転増幅器１０は、選択的に動作可能とされる複数のインバータ回路を含み、複数のインバータ回路から１あるいは２以上のインバータ回路を選択して反転増幅器として機能させる。制御信号ＣＮＴによってインバータ回路を選択することで反転増幅器の利得を調整する。また、波形整形回路１１は、反転増幅器の利得調整に対応して波形整形の際の利得を制御信号ＣＮＴによって調整可能となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 広い電源電圧範囲で安定した発振特性を得ると共に、発振出力の振幅を調整することができる圧電発振回路を提供すること。
【解決手段】 直流電源ＶDDから供給される直流電圧の電圧変動を安定化する安定化電源６と、水晶振動子Ｘ１を振動源とする発振回路部１と、この発振回路部１の出力信号を入力とし、インバータ回路を複数段直列に連結し、その最終段のインバータ回路にデプレッション型ＭＯＳトランジスタが接続されたバッファ回路部２、３、４と、バッファ回路４の出力を増幅する出力増幅回路５とを備えた圧電発振回路において、メモリ回路11に保持されたデータに基づいて複数のＭＯＳスイッチＭsw1〜Msw3により選択される抵抗素子ＲＤ１〜ＲＤ３により、出力増幅回路５を構成するＮｃｈ−トランジスタＭ９のゲート電圧を可変して出力レベルを調整する機能を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩから制御可能な汎用ポートの“Ｈ”レベルのレベルが、トランスミッションゲートの“Ｈ”レベルを認識する最小許容値を満足しない可能性が発生し、水晶振動子の発振安定に時間かかる。
【解決手段】電源起動時はＮＰＮトランジスタＱＮ１を遮断状態にして、第１のトランスミッションゲートＧ１を導通状態に、第２のトランスミッションゲートＧ２を遮断状態にし、電源電圧ＶＤＤを第１のトランスミッションゲートＧ１を介して電圧制御発振回路１００の制御入力端子ｎ３に印加する。水晶振動子Ｘの発振安定後は汎用端子１２への制御信号によりＮＰＮトランジスタＱＮ１を導通状態に切り替えることを通じて第１のトランスミッションゲートを遮断状態に、第２のトランスミッションゲートを導通状態に切り替え、電圧制御端子１１の電圧を第２のトランスミッションゲートＧ２を介して電圧制御発振回路の制御入力端子に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で小型化に対応可能であり、かつ発振回路の後段にバッファ回路を必要とせずに、出力負荷による影響を抑えることが可能な圧電発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】電源と接地との間にＰチャネル型のＭＯＳ−ＦＥＴとＮチャネル型のＭＯＳ−ＦＥＴとの直列接続によるＣＭＯＳ構造にて構成されたインバータ増幅器と第１の負荷インピーダンスとの接続回路を挿入し、前記インバータ増幅器の入力と接地との間に圧電振動子と周波数調整回路との直列回路を挿入し、前記インバータ増幅器の入力と前記インバータ増幅器と前記第１の負荷インピーダンスとの接続点に第２の負荷インピーダンスを直列に挿入接続し、更に、前記インバータ増幅器の入出力間に抵抗を接続することにより圧電発振発振器を構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動腕部を備えた音叉型の圧電振動子についてＣＩ値を小さい値に抑えながら衝撃性を向上させること。
【解決手段】振動腕部の表面部及び裏面部の少なくとも一方に、当該振動腕部の基端部から長さ方向に沿って伸びると共に長さ方向に２つに分割された第１の溝部（基端側）と、第２の溝部（先端側）とを形成する。そして振動腕部の基端部から第２の溝部の先端までの距離Ｌ１に対する第１の溝部の長さＬ２の比Ｌ２／Ｌ１を０．３５〜０．６５とし、振動腕部の基端部から第２の溝部の先端までの距離Ｌ１に対する第１の溝部及び第２の溝部の間隔ｄの比ｄ／Ｌ１を０．０１０〜０．０１８とする。 （もっと読む）

【課題】３次高調波のＣＩ値を低減することのできる音叉型の水晶振動子を提供し、音叉型の水晶振動子の適用範囲を広げること。
【解決手段】基部から平行に延びる２本の振動腕部の各表面部及び裏面部に、当該振動腕部の基端部から長さ方向に沿って伸びると共に長さ方向に３つに分割された第１の溝部、第２の溝部及び第３の溝部を形成する。これら溝部は互いに同じ長さであることが好ましく、また隣接する溝部の間隔は例えば５〜２０μｍとされる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数のばらつきが少なく、容量切り替え電圧の変化が小さいＭＯＳ型可変容量及びそれを用いた電圧制御型発振器を提供する。
【解決手段】帰還抵抗１と増幅器２と水晶振動子３で構成された発振回路の負荷容量として、ソース端子とドレイン端子を短絡したＭＯＳトランジスタ５ａ、６ａのソース−ドレイン端子とゲート端子の間に生じる可変静電容量を接続する。そして、ＭＯＳトランジスタ５ａ、６ａのバルク端子を抵抗１９の一方の端子と接続し、抵抗１９の反対側端子に電圧印加し、かつ、ＭＯＳトランジスタ５ａ、６ａのバルク端子を容量２０の一方の端子と接続し、容量２０の反対側端子を接地する。 （もっと読む）

【課題】 従来の圧電発振回路では、例えば、周波数ｆｃが限界周波数の５３ＭＨｚを超過すると、抵抗成分Ｒｅ（Ｚｃ）は負性抵抗にならず、発振することができなかった。
【解決手段】 本発明に係る圧電発振回路は、圧電振動子と、当該圧電振動子の両端間に接続された増幅部であって、相互に縦続接続され、各々が前段、中段、後段の位置に設けられた第１の反転増幅器、第２の反転増幅器、第３の反転増幅器と、前記第１の反転増幅器の入力端及び前記第３の反転増幅器の出力端間に設けられた第１の帰還抵抗器Ｒｆと、前記第２の反転増幅器の入力端及び出力端間に設けられた第２の帰還抵抗器とを有する前記増幅部と、前記増幅部の前記第１の反転増幅器の入力端及び固定電位間に設けられた第１の容量性リアクタンス素子と、前記増幅部の前記第３の反転増幅器の出力端及び固定電位間に設けられた第２の容量性リアクタンス素子とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、広い温度範囲においても安定した発振動作が可能な発振回路を提供することである。
【解決手段】 本発明の発振回路１は、入出力端子間に帰還回路７を接続した第１インバータ（ＩＮＶ１）と、帰還回路７内に設けた固有振動子(固有振動子)ＸＬと、第１インバータ（ＩＮＶ１）に電圧を印加する電源回路５とを備え、電源回路５から出力される電圧が温度変化に応じて変化するようにして、広い温度範囲において安定した発振動作を行なうようにしている。 （もっと読む）

本発明の課題は、低位相雑音で安定した動作を得ることである。また他の課題は、起動時間の遅延を生じさせない発振出力を得ることである。 本発明によれば、帰還回路（５）によって、水晶振動子（１０）の発振出力を帰還した信号を、負荷容量選択部（３）の負荷容量を選択する制御信号に重畳させて、制御信号がもつ電圧雑音により受けるＭＯＳトランジスタ（５０）への影響を受けにくくして、位相雑音の低減化を図り、また、起動時においてある一定時間、負荷容量選択部（３）に入力される制御信号を制限して、短時間で起動することができる水晶発振回路を実現できる。
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【課題】起動時間を短縮するとともに、起動時間を安定して制御し、さらに発振回路の起動後、発振周波数を安定化することができる発振器起動制御回路を提供する。
【解決手段】発振回路（１）は、インバータ（１４）の入力と出力を水晶振動子（１５）の両端および抵抗（１６）の両端に接続し、入力をＭＯＳ可変容量（１０）のドレインに、出力をＭＯＳ可変容量（１１）のドレインに接続し、ＭＯＳ可変容量（１０）のソースを固定容量（１２）に接続し、ＭＯＳ可変容量（１１）のソースを固定容量（１３）に接続し、固定容量（１２、１３）の他端をＧＮＤに接続している水晶発振回路である。更にＭＯＳ可変容量（１０）のゲートに抵抗（１８）とスイッチ（７）を接続し、ＭＯＳ可変容量（１１）のゲートに抵抗（１９）とスイッチ（８）を接続し、抵抗（１８、１９）の他端を互いに接続し、更に電圧制御回路（３）に接続している。 （もっと読む）

【課題】 製造ばらつきや周囲環境の変動あるいは電源投入時の発振状態の変動に応じて最適な発振余裕度の確保を自動で行いながら、定常時の消費電力を少なくでき、かつ、構成や調整が簡単な発振装置を提供する。
【解決手段】 水晶発振回路１の出力振幅を入力して、その出力振幅の変化に応じて出力パルス幅が変化するインバータ４を設け、このインバータ４から出力されるパルス信号のパルス幅（デューティー比）の変化を監視することで、水晶発振回路１の発振信号の振幅を検出し、この検出結果に基づき、水晶発振回路１の出力振幅が飽和する直前の状態になるよう、水晶発振回路１の駆動電圧ＶＯＳＣを制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
小型で且つ良好な容量変化の可能な高周波用の容量素子を構成する半導体装置を提供する。
【解決手段】
基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極をはさむように配されるソース・ドレイン領域と、前記基板にコンタクトするためのコンタクト拡散領域を備えたバックゲートとを具備し、ソースまたはドレイン領域とゲート電極との間、およびゲート電極とバックゲートとの間に印加される電圧を調整することにより、ゲート絶縁膜に蓄積される電荷を調整可能にしたＭＯＳ容量型半導体装置において、前記ソース・ドレイン間距離または、前記バックゲートと前記ゲート電極との間隔とが、前記印加される電圧の周期内に、電子または正孔が前記ゲート絶縁膜と基板との界面に蓄積されうるように決定される。 （もっと読む）

【課題】発振ゲートの切り替えに伴うクロックパルス出力の欠損を防止しつつ、効率的な切り替えを行って低消費電流で且つ低電圧動作可能な発振回路を提供する。
【解決手段】発振開始当初は負荷回路２を第一の状態に、発振安定後は負荷回路２を第二の状態にする発振回路に、ＣＭＯＳ型発振ゲート１の出力端子からの発振パルス数に応じて負荷回路２を第一の状態から第二の状態に緩やかに遷移させる遷移手段を設けて、負荷回路２の等価インピーダンスを発振クロックパルス数によって緩やかに増大させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子の温度特性を精度よく補償する発振器の個体間バラツキを低減すること。
【解決手段】基準信号源Ｓ２０５に基づいて発生する温度補償用レギュレート電圧Ｓ２４０は、抵抗素子２９２および２９４により、第５のＭＯＳトランジスタ２６３を定電流駆動して、基準信号源Ｓ２０５よりバンドギャップ分だけ高い電圧を発生する。低温側補正バイアスＳ２１４と高温側補正バイアスＳ２１６と基準信号源Ｓ２０５とは、ＡＴカット水晶振動子５１の偏曲点温度で交点をもつため、第２のＭＯＳトランジスタ２６１と第１のＭＯＳトランジスタ２６２とに供給されるソース電圧とゲート電圧とは、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド変動に合わせて変化して、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド変動による影響が低減された温度補償信号Ｓ２５０を得る。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子と、発振回路と、加熱ヒータとして機能する表面実装型パワートランジスタと、該パワートランジスタの温度を制御する為の温度制御回路とをプリント基板上に配置した圧電発振器に於いて、パワートランジスタの熱を広面積なランドパターンに伝達し、更に、前記ランドパターンに伝達された熱を圧電振動子に伝達するという熱経路を辿るため、圧電振動子に充分な熱を伝えることができず、パワートランジスタの熱をあくまでも補助熱源として用いているにすぎなかった。
【解決手段】本発明は上述した課題を解決するため、、プリント基板上に、前記パワートランジスタの下面及び側面を覆う様に板状金属を折り曲げ加工した加熱部材が配置され、前記圧電振動子は前記加熱部材との間に前記パワートランジスタを挟み込む様に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）