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Fターム[5J079FA05]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 回路素子 (3,033) | 半導体素子 (1,687) | FET (266) | MOSFET、MISFET (171)

Fターム[5J079FA05]に分類される特許

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【課題】電源回路の出力ノイズの影響を低減し、出力信号の振幅を大きくする。
【解決手段】第1の電源電圧Vccから第2の電源電圧Vregを生成する電源回路5と、圧電振動子10と、第2の電源電圧Vregで動作し、圧電振動子10を発振させ発振信号aを出力する発振回路20と、第2の電源電圧Vregのノイズ成分を取り除いたフィルター電圧bを生成するノイズフィルター回路40と、フィルター電圧bがゲート端子に入力されたMOSトランジスターMnd1と、MOSトランジスターMnd1を介した第1の電源電圧Vccで動作し、発振信号aを入力し出力信号OUTを出力するバッファー回路30と、を含む圧電発振器1。 (もっと読む)


【課題】振動子を定常励振させるまでに要する時間、すなわち、起動時間を短縮するとともに、増幅器の出力電圧波形の飽和や、ノイズの増幅、増幅度変化後の振動子の発振状態の安定性といった問題を解決した固体振動子発振回路を提供する。
【解決手段】振動子12と、振動子からの出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路14と、該電流電圧変換回路14からの出力電圧を増幅するための増幅器16,18を備えた固体振動子発振回路10であって、増幅器16,18は、その増幅器の増幅度を変化させる可変電流スイッチ20,22を備え、可変電流スイッチ20,22は、電流電圧変換回路14からの出力電圧に基づいて、流れる電流の大きさが連続的に変化し、増幅器16,18の増幅度を連続的に変化させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】実装スペースとコストの更なる低減のため、電子機器内の水晶部品を1つに集約するためには、消費電流や周波数精度の問題があった。
【解決手段】本発明の水晶発振器は、音叉型水晶振動体と、この振動体の温度による発振周波数の変化を、時間領域で連続的に補正するための温度補償回路を含んだ発振回路とを備え、この発振回路の出力を源振として高周波クロック信号を出力する、複数のPLL(フェイズロックループ)回路を備える。このような構成にすることにより、電子機器内で必要とされる全てのクロック信号を、精度良く提供することができる。 (もっと読む)


【課題】電源電圧を低電圧とした場合でも、雑音を低減させることが可能な温度センサ及びこの温度センサを有する発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】電源電圧が供給される定電流源とアノードが接続されており、接地にカソードが接続された温度検出素子と、前記温度検出素子のアノードの電圧のレベルをシフトする温度特性を有したレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路の出力が非反転入力端子と接続された非反転増幅回路と、を有する構成により実現する。 (もっと読む)


【課題】クロック信号を安定的に生成するPLL回路及び発振装置を提供すること。
【解決手段】水晶発振回路1は、同水晶発振回路1に設けた駆動可変部の駆動能力をPLL回路50aのループフィルタ59から出力される制御信号Slfの電圧値に応じて制御する。 (もっと読む)


【課題】温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子14と、電圧制御型の第1可変回路16、及び前記圧電振動子14の発振周波数の温度特性を相殺する温度特性を有する電圧制御型の第2可変容量回路24、が接続された発振回路12と、前記第1可変容量回路16に前記第1可変容量回路16の容量を制御する電圧を出力して前記発振周波数を所定の値に調整するAFC回路48と、前記第2可変容量回路24に1次の温度特性を有する温度補償電圧を出力する温度補償回路40と、を有し、前記発振回路12には、電圧制御型の第3可変容量回路32が接続され、前記第3可変容量回路32には、温度センサー38からの出力と前記AFC回路48の出力とを掛け合わせることにより前記第3可変容量回路32に1次の温度特性を有する電圧を出力する温度特性補正回路54が接続されてなる。 (もっと読む)


【課題】発振バッファに過電圧が印加されるのを防止することができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路10は、PTAT電流源12と、共振回路46と並列接続された発振バッファ14と、帰還抵抗Rfと、スイッチ素子54と、発振バッファ14と同一構成のレプリカバッファ52と、発振バッファ14の入力電圧を検知し、検知した入力電圧が発振時のバイアス電位よりも所定電位以上上昇した場合、及び、検知した入力電圧が発振時のバイアス電位よりも所定電位以下に下降した場合に、PTAT電流源12と発振バッファ14との接続点のノードVCCOSCの電位が発振バッファ14のPMOSトランジスタ42の耐圧を越えないように、PTAT電流源12からの電流をレプリカバッファ52回路にバイパスさせるための制御信号をスイッチ素子54手段に出力するレベル検知回路50と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電子回路(例えば、マイクロコンピュータ)の動作モードに応じて、低周波数の発振器について適切な電源インピーダンスを設定することにより、前記発振器の誤動作を防止しながら、消費電力を適切に低減することができる。
【解決手段】システムクロックのクロック源として、高速発振器11、中速発振器12、低速発振器13が設けられる。また、時計用クロックを発生する水晶発振器30が設けられる。そして、高速発振器11が動作している時は、水晶発振器30の電源インピーダンスを低くして、耐ノイズ性を高める。一方、高速発振器11、中速発振器12、低速発振器13がすべて停止している待機時には、水晶発振器30の電源インピーダンスを高くして消費電力を抑える。 (もっと読む)


【課題】発振バッファへの過電圧の印加を防止し、発振起動時間を短縮できる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路10は、PTAT電流源12と、PTAT電流源12と接続されると共に、共振回路46と並列接続された発振バッファ14と、発振バッファ14と並列接続された帰還抵抗Rfと、帰還抵抗Rfよりも抵抗値が小さいバイパス抵抗Rbと、帰還抵抗Rfとバイパス抵抗Rbとの間に接続され、帰還抵抗Rf及びバイパス抵抗Rbの何れかに切り替えるためのPMOSトランジスタ48A、48Bと、PTAT電流源12からの電流が共振回路46へ供給開始されてから予め定めた発振起動期間は、PTAT電流源12からの電流がバイパス抵抗Rbへバイパスされるように、予め定めた発振起動期間経過後は、PTAT電流源12からの電流が帰還抵抗Rfへ流れるようにPMOSトランジスタ48A、48Bを制御するバイパスノード充電回路58と、を備える。 (もっと読む)


【課題】温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子14と、電圧制御型の第1可変容量回路16、及び前記圧電振動子14の発振周波数の温度特性を相殺する温度特性を有する電圧制御型の第2可変容量回路24、が接続された発振回路と、前記第1可変容量回路16に前記第1可変容量回路16の容量を制御する電圧を出力して前記発振周波数を所定の値に調整するAFC回路32と、前記第2可変容量回路24に1次の温度特性を有する温度補償電圧を出力する温度補償回路38(高温温度補償回路40、低温温度補償回路62)と、を有する温度補償型発振回路10であって、前記温度補償回路38は、温度センサー36からの出力を増幅する増幅回路(第2増幅回路42、第3増幅回路64)と、前記増幅回路のオフセット入力に接続され、前記AFC回路32の出力に対応してオフセット電圧を調整するオフセット電圧調整回路(第1オフセット電圧調整回路44、第2オフセット電圧調整回路66)を備えてなる。 (もっと読む)


【課題】温度補償機能とAFC機能を備えた回路構成において、温度補償機能とAFC機能が互いに影響を及ぼすことがなく、高精度の温度補償を実現できる圧電発振器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電発振器10は、圧電振動子26と、発振用増幅回路と、電圧制御型の第1及び第2の可変容量素子28a,28bと、を備えた発振回路20と、第1の可変容量素子28aの値を増減制御して発振回路20の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を出力する温度補償電圧発生回路30と、温度補償電圧による第1の可変容量素子28aの変化に対して、発振回路20のAFC感度の増減を抑えるように第2の可変容量素子28bの値を変化させる調整信号を出力する補償電圧検出回路40と、調整信号を受けて外部制御電圧の増幅率の調整を行なうゲイン調整回路60を備え、第2の可変容量素子28bを制御するための周波数制御電圧を出力する増幅回路50と、を備えたことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】発振起動性に優れ、定常発振時には低消費電力で発振を継続することができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、入力側及び出力側負荷容量5、6、と水晶振動子3とを有する共振回路と、共振回路を定常的に励振する増幅回路であるCMOSインバータを構成するP型及びN型MOSFET1、2と、増幅回路の出力振幅に応じた電圧で発振電流を制御する電流制限素子である電流制限用P型及びN型MOSFET21、22と、電流制限素子を制御する発振電流制御手段である第1及び第2の容量51、52と、第1及び第2のダイオード61、62により構成され、発振電流制御手段は、増幅回路から交流信号が出力されない非発振状態では、電流制限素子を導通状態とし、増幅回路から交流信号が出力される発振状態では、増幅回路の出力振幅に応じた交流電圧により、導通状態よりも抵抗値が大きな状態となるように、電流制限素子を制御する。 (もっと読む)


【課題】面積を大きく増加させることなく消費電力の低減を可能にした発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振器は、水晶発振回路1の発振出力に応じたパルス信号SPに基づいて基準電圧VREFを生成し、基準電圧に応じて水晶発振回路1への供給電圧を制御する発振器である。パルス信号SPに基づいて制御信号SP2を生成する制御信号生成回路15と、制御信号SP2に基づいて基準電圧が制御される基準電圧発生回路16、17を備える。制御信号生成回路15は、パルス信号SPがロウレベルの場合にロウレベルの制御信号を生成し、パルス信号SPがハイレベルの場合にハイレベルの制御信号を生成するとともに、制御信号のハイレベルからロウレベルへの遷移を抑制することを特徴とする。それにより、水晶発振回路1への供給電圧が振幅しないので、面積を大きく増加させることなく消費電力を低減することが可能である。 (もっと読む)


【課題】安定した発振と広い周波数可変範囲を得ることが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】振動子Xに並列に接続された増幅回路Aと、増幅回路Aの入力側及び出力側に接続され且つ印加する制御電圧Vcontにより容量値が変化する可変容量素子CLと、振動子Xと増幅回路Aの出力側との間に接続され且つ印加する制御電圧Vcontにより抵抗値が変化する可変抵抗素子RVと、可変容量素子CL及び可変抵抗素子RVへ制御電圧Vcontを同時に印加する制御電圧印加手段2を備え、可変容量素子CL及び可変抵抗素子RVへ制御電圧Vcontを同時に印加して、制御電圧Vcontを印加することにより生じる可変容量素子CLの容量値の変化による負性抵抗の変化分と可変抵抗素子RVの抵抗値の変化による負性抵抗の変化分を相殺し、制御電圧Vcontの変化により発生する負性抵抗の変化を抑制する。 (もっと読む)


【課題】発振回路において発振動作が行われているか否かを判定する発振停止検出回路を内蔵した半導体集積回路において、電源電位が立ち上がる際の誤検出を防止する。
【解決手段】この半導体集積回路は、クロック信号又は反転クロック信号がゲートに印加されて交互にオン/オフする複数のトランジスタが直列に接続され、第1の電源電位から正の電荷を移送するトランジスタ列と、複数のトランジスタによって移送される電荷を蓄積する複数のコンデンサと、最終段のコンデンサの端子をプルダウンするプルダウン素子と、最終段のコンデンサの端子の電位がゲートに印加され、第2の電源電位がソースに供給されるNチャネルMOSトランジスタと、該NチャネルMOSトランジスタのドレインをプルアップするプルアップ素子と、該NチャネルMOSトランジスタのドレイン電位に基づいて出力信号を生成する論理回路とを具備する。 (もっと読む)


【課題】発振に係る電流消費を抑える。
【解決手段】圧電振動子12と帰還抵抗素子13を並列形態で入出力間に接続すると共にCMOS論理反転型回路で構成される増幅器11と、発振起動前において増幅器11の入出力レベルを固定化して発振を停止させておき、発振起動開始時において入出力レベルの固定化を解除し、発振起動開始の所定時間後に増幅器11の出力端にパルス信号を供給するCMOS論理回路で構成される制御回路14と、を備える。 (もっと読む)


【課題】低電力化を可能とし、リーク電流による誤動作の発生を無くした発振検出回路を提供する。
【解決手段】発振検出回路は、基準電圧源に接続された第1の入力端子と発振回路出力端に接続された第2の入力端子とを有しており、複数のバイポーラトランジスタにより構成される差動回路を採用し、差動回路の出力端に接続され出力端の電位に応じて充電または放電を行う容量素子と、容量素子の電位に基づいて発振信号端の所望の発振状態を検出する検出回路を有する。 (もっと読む)


【課題】バイアス電圧によるMEMSレゾネータの共振周波数の変動態様を制御することのできる共振回路を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路30は、基板と、該基板上に形成された固定電極、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極を有するMEMSレゾネータ10と、前記MEMSレゾネータの第1の端子10aに接続された第1の入出力部30aと、前記MEMSレゾネータの第2の端子10bに接続された第2の入出力部30bと、少なくとも前記第1の端子10aに電位Vpを供給して前記MEMSレゾネータの前記第1の端子と前記第2の端子の間にバイアス電圧Vcを印加する電圧印加手段20と、前記第1の端子10aと第1の入出力部30aの間に接続され、両端の電位差の変化で容量値が変化する可変設けられた結合容量Cc1と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】検査に要する時間を短縮するとともに、水晶発振回路単独の特性を検査すること。
【解決手段】CMOSインバータ112を含む発振増幅回路104を備えていて、CMOSインバータに並列に水晶振動子が接続されることにより発振する水晶発振回路100の発振確認検査をするに当たり、発振増幅回路の出力端子XTを接地し、及び、発振増幅回路104の入力端子XTBを電気的に浮遊させ、出力端子を流れる電流量を測定する。 (もっと読む)


【課題】接続不良を見つけた場合は、容量検査を行わないようにして検査時間を短縮させることができる検査回路を備えたコンデンサ回路、そのコンデンサ回路を使用した可変容量回路、その可変容量回路を使用した発振回路及びコンデンサ回路の検査方法を得る。
【解決手段】検査信号TESTがハイレベルになると、NMOSトランジスタM2がオフすると共にPMOSトランジスタM1及びM3がそれぞれオンし、NMOSトランジスタMCのドレインはPMOSトランジスタM1と電流計3を介して電源電圧Vddに接続され、NMOSトランジスタMCのゲート電圧が電源電圧Vddまで上昇してNMOSトランジスタMCはオン状態になり、電源電圧Vdd→電流計3→接続端子T1→PMOSトランジスタM1→NMOSトランジスタMC→接地電圧GNDの経路で電流i1が流れるようにした。 (もっと読む)


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