【課題】消費電流を増大させることなしに高速起動可能なＭＥＭＳ発振器の提供。
【解決手段】ドライバアンプと、ＬＣ共振回路を備える第１共振器と、ＭＥＭＳ共振器を備える第２共振器と、接続および開放を切り換え可能なスイッチ回路と、スイッチ回路を制御するスイッチ制御部と、を有するＭＥＭＳ発振器であって、ドライバアンプ、第１共振器、および、スイッチ回路は、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第１閉ループ回路を形成し、ドライバアンプ、および、第２共振器は、第１閉ループ回路とは別の、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第２閉ループ回路を形成し、スイッチ制御部は、ＭＥＭＳ発振器の起動期間の少なくとも一部においてスイッチ回路を接続し、所定の条件が満たされる場合に、スイッチ回路を開放する、ＭＥＭＳ発振器。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、実装基板に配置される水晶発振回路における浮遊容量Ｃsを低減する手段を提供することである。
【解決手段】本発明は、発振回路を構成するＣＭＯＳインバータの入出力端子間に接続する水晶振動子と、前記ＣＭＯＳインバータの入力端子パッドへ接続する前記水晶振動子側の入力端子を含む入力配線ラインと、前記ＣＭＯＳインバータの出力端子パッドへ接続する前記水晶振動子側の出力端子を含む出力配線ラインと、前記水晶振動子側の接地電源端子を含む接地電源配線ラインと、前記入力配線ラインと前記接地電源配線ラインとの間、及び前記出力配線ラインと前記接地配線ラインとの間に接続された容量素子と、を有する発振回路において、前記入力配線ラインと前記出力配線ラインとの間の少なくとも一部に前記接地電源配線ラインが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、水晶振動子を用いた発振回路の発振起動時間と負荷容量ＣＬ値の関係を明確にし、所望の発振起動時間から負荷容量ＣＬ値を決定することである。
【解決手段】本発明は、水晶振動子を用いた発振回路において、発振起動時間Ｔｓと発振余裕度Ｍの関係式又は関係グラフを用いて発振余裕度Ｍから発振起動時間Ｔｓ（Ｔｓ０）を求める手段（Ａ）と、発振起動時間Ｔｓと負荷容量ＣＬの関係式、及び駆動電流値Ｉｏｓから、任意の駆動電流値Ｉｏｓにおける発振起動時間Ｔｓと負荷容量ＣＬの関係式を求める手段（Ｂ）と、前記手段（Ｂ）において求められた発振起動時間Ｔｓおよび負荷容量ＣＬの関係式を用いて、前記手段（Ａ）で求められた発振起動時間Ｔｓ０に対応する負荷容量ＣＬを決定する手段（Ｃ）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過渡的な電力消費をしないピークホールド回路（あるいはボトムホールド回路）を用いることで、無駄な電力消費を抑えるとともに、ノイズの発生を抑えて発振特性の悪化を防止することが可能な発振装置技術を提供。
【解決手段】基準電圧を発生する定電圧発生回路４と、駆動電圧または駆動電流によって発振する発振回路１と、発振回路１の出力である発振信号のピークレベルを検出して出力するピークホールド回路２と、定電圧発生回路４で発生された基準電圧ＶＲＥＦとピークホールド回路２で出力されたピークレベルＰＨに応じて駆動電圧または駆動電流を増減させて発振回路１の電源端子ＶＲに入力するレギュレータ３からなる。ピークホールド回路２は定電流で動作し過渡的な電力を消費しない構成となっている。なお、ピークホールド回路２の代わりにボトムホールド回路を用いても良い。 （もっと読む）

【課題】発振子に供給する信号の振幅レベルを正しく測定することができる発振回路の提供を図る。
【解決手段】発振子３に第１発振信号を供給する第１ノードＢと、該発振子から第２発振信号を受け取る第２ノードＡと、前記第２発振信号を増幅し、前記第１発振信号を生成する発振部６と、前記第１発振信号の振幅レベルを検出するために、観測ノードＢにおける観測信号の振幅レベルを検出する検出器８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、広範囲の制御電圧に対して発振周波数を直線的に変化させることが可能な電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電圧制御発振器は、増幅器１１と、増幅器１１に並列に接続され帰還ループを構成する水晶振動子１３と、水晶振動子１３に対して負荷する容量値が制御電圧ＶＣに応じて変化する可変容量部１５，１７と、制御電圧ＶＣを生成する制御電圧生成回路１４と、を備える。また、可変容量部１５は、固定容量１５２と、固定容量１５２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるディプレッション型のトランジスタ１５１と、を有する。可変容量部１７は、固定容量１７２と、固定容量１７２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるエンハンスメント型のトランジスタ１７１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】周波数の校正を簡単に且つ高精度に可能な発振回路の提供。
【解決手段】圧電振動子４の両端に接続された入力端子と出力端子を有する第１のインバータ回路１と，第１のインバータ回路の入出力端子間に設けられた第１のフィードバック抵抗３と，第１のインバータ回路の入出力端子に各々接続され，制御信号により容量値が可変設定可能な第１、第２の可変容量素子２ａ、２ｂと，所定基準電流を入力端子又は出力端子に供給して第１または第２の可変容量素子を充電する充電回路１０と，入力端子又は出力端子の充電電圧と，参照電圧Ｖ_Ｒとを比較する比較器１１と，キャリブレーション時に，第１の時間で，充電回路に入力端子又は出力端子への基準電流の供給を開始させ，第１の時間後の第２の時間での比較器の比較結果に応じて，充電電圧が参照電圧に近づく様に，第１又は第２の可変容量素子の容量値を設定する制御信号生成の制御回路１２とを有する発振回路。 （もっと読む）

【課題】出力波形の歪みを低減する水晶発振回路を提供する。
【解決手段】正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２２・Ｃ２４と、正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２３・Ｃ２５と、ｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３の中心点とｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３の中心点との間に接続された水晶振動子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器、圧電発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２を発振させ発振信号を出力する発振回路１４と、前記発振回路１４を構成し、前記発振信号の周波数を調整する負荷容量２０と、前記発振回路１４に組み込まれたＭＯＳＦＥＴ２２と、を有し、前記ＭＯＳＦＥＴ２２は、前記ＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子２４と前記ＭＯＳＦＥＴ２２のソース端子２６とを結ぶ前記ＭＯＳＦＥＴ２２中の経路を前記負荷容量２０に直列に接続することにより前記発振回路１４に組み込まれ、前記ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート端子２８には、前記経路を半導通状態にするゲート電圧Ｖｂが印加され、前記半導通状態時の前記経路のオン抵抗の温度特性により発生する前記発振回路１４から見た前記負荷容量２０の増加分の温度特性により前記発振信号の温度補償を可能とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】発振回路の性能を維持しながら静電気保護耐圧を向上できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、振動子ＸＴＡＬの一端に接続される第１のパッドＰ１と、振動子ＸＴＡＬの他端に接続される第２のパッドＰ２と、振動子ＸＴＡＬの発振用のバッファー回路ＢＦと、第１のパッドＰ１側の第１の接続ノードＮＣ１と、バッファー回路ＢＦの入力ノードＮＩとの間に設けられる第１の保護抵抗素子Ｒ１と、第２のパッドＰ２側の第２の接続ノードＮＣ２と、バッファー回路ＢＦの出力ノードＮＱとの間に設けられる第２の保護抵抗素子Ｒ２と、第１、第２の接続ノードＮＣ１、ＮＣ２の一方に接続される容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】起動動作時における電流の増大を必要最小限に抑え、安定した起動動作が可能で、小型な低消費電力回路を提供する。
【解決手段】第１発振トランジスタＰ31、第１発振トランジスタＰ31のドレイン端子にドレイン端子を接続した第２発振トランジスタＮ31、第１容量Ｃ2、第１容量Ｃ2に一方を接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31と第２発振トランジスタＮ31の接続ノードに接続した圧電振動子Ｑ1、一方を圧電振動子Ｑ1に接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31のゲート端子に接続した帰還抵抗回路Ｚ3、第１発振トランジスタＰ31のゲート端子ＶP1に第１端子を接続し、接続ノードに第２端子を接続した第１振幅制限素子Ｐ32、第２発振トランジスタＮ31のゲート端子ＶN1に第２端子を接続し、接続ノードに第１端子を接続した第２振幅制限素子Ｎ32とを備える。 （もっと読む）

【課題】 クロック発振回路のジッタが音質に重要だとは気が付かなかったか、ＣＭＯＳの発振回路のジッタ性能で十分だと思われていた。しかし、ジッタが多いと、音質的に十分でないことが判明した。そこで、高音質化のため低ジッタ化し、なおかつ高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、波形の対称性を達成する必要性がある。
【解決手段】 ＣＭＯＳよりもノイズ特性に優れるバイポーラトランジスタを使い、これをコンプリメンタリ接続にすることで、低ジッタ、高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、高い対象性を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】消費電流を小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】定電流が流れるＰＭＯＳトランジスタＭＰ３と発振信号ＸＴを増幅するＮＭＯＳトランジスタＭＮ３との間に、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ３を流れる定電流がＮＯＤＥ４（ＮＯＤＥ３）に流れるのを遮断するためのＰＭＯＳトランジスタＭＰ４を備えている。ＰＭＯＳトランジスタＭＰ４のソースはＰＭＯＳトランジスタＭＰ３のドレインに接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタＭＮ３のソースに接続され、ゲートはＮＯＤＥ１に接続されている。また、ＮＯＤＥ１は、バイアス信号線５０に抵抗素子Ｒ２を介して接続されていると共に、信号線５２に容量素子Ｃ１を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】振動子が外付けされて発振回路を実現する半導体集積回路において、振動子が外付けされるパッドと内部回路間の配線による浮遊容量の影響を小さくする。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板と、第１のパッドＰ１に第１の抵抗及Ｒ１及び第１のコンデンサＣ_ＡＣを介して接続の入力端子、及び、第２のパッドＰ２に第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄを介して接続の出力端子を有するインバータ３２と、インバータ入力端子と第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点との間に接続され、インバータと共に発振ブロックを構成する帰還素子３３と、第１の抵抗Ｒ１及び第１のコンデンサの接続点と基板電位との間に接続され、第１のパッドと発振ブロックとの間に配置された第２のコンデンサＣ_Ｇと、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点と基板電位との間に接続され、第２のパッドＰ２と発振ブロック間に配置された第３のコンデンサＣ_Ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、公知のオシレータと比較して優れた性能を有する共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、複数の同期化されたオシレータを備える。各オシレータは、共振器（１）を備える。共振器（１）は、共振器（１）の振動を表す検出信号を、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに供給する検出手段を備える。検出信号は、オシレータのフィードバックループの導電率を制御する。全ての共振器の励振入力は、共振装置の出力を構成する共通部に接続される。容量性負荷（５）は、共通部と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。 （もっと読む）

負性抵抗回路と、クリスタルと、発振信号を生成することにおいて、負性抵抗回路の電力消費を減らすために、クリスタルの直列共振を修正するように適合されるコンポーネントとを含む発振信号を生成するための装置。このコンポーネントは、正のリアクタンス回路、１つまたは複数の誘導性素子、またはクリスタルに結合された一対の誘導性素子を含む。この装置は、クリスタルに結合された可変キャパシタのような、発振信号の周波数を調整するための周波数同調コンポーネントを更に含む。負性抵抗回路は、デジタルインバータ回路、反転アナログ増幅器、または自己調整回路を含みうる。この装置は、負性抵抗回路に定常電流を供給するための静止電流ソースと、発振信号が、定義された定常状態に達するのを促進するために、スタートアップ中にのみ、負性抵抗回路にブースト電流を供給するためのスタートアップ電流ソースとを具備する。
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【課題】発振開始時からデューティが５０％に安定する発振制御回路を提供する。
【解決手段】作動制御回路３が、発振信号の発振電位がＣＭＯＳインバータＩＶ１の反転電位よりも低い第１基準電位よりも低くなるまでＭＯＳトランジスタＴ１１及びＴ１２をオフ状態、ＭＯＳトランジスタＴ２をオン状態に保持する。作動制御回路３が、発振信号の発振電位が第１基準電位よりも低くなったとき出力が反転するＣＭＯＳインバータＩＶ３１と、ＣＭＯＳインバータ３１の後段に設けた抵抗Ｒ３１とコンデンサＣ３１とからなるローパスフィルタ３１と、ローパスフィルタ３１の出力が閾値を越えると出力が反転するＣＭＯＳインバータ３３と、を有している。 （もっと読む）

【課題】温度補償電圧発生回路、及び温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２の発振周波数の温度補償を行う第１可変容量素子１６と、前記発振周波数を所定の値に調整する第２可変容量素子１８と、を有する発振回路１２と、前記第２可変容量素子１８に接続され、前記第２可変容量素子１８の容量を制御するＡＦＣ回路５４と、に接続される温度補償電圧発生回路２９であって、前記温度補償電圧発生回路２９は、前記第１可変容量素子１６の一端に接続され、前記第１可変容量素子１６の容量を制御する温度補償電圧を出力する第１温度補償電圧発生回路３０と、入力側が、前記第１温度補償電圧発生回路３０及び前記ＡＦＣ回路５４に接続され、出力側が前記第１可変容量素子１６の一端の反対側の他端に接続され、入力された前記温度補償電圧と前記ＡＦＣ回路５４の出力とによって生成された補助温度補償電圧を前記第１可変容量素子３０に出力する第２温度補償電圧発生回路４４と、を有する。 （もっと読む）