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Fターム[5J079FA05]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 回路素子 (3,033) | 半導体素子 (1,687) | FET (266) | MOSFET、MISFET (171)

Fターム[5J079FA05]に分類される特許

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【課題】使用する発振子によって、温度変化による発振子の温度変調特性と周波数を一定に保つ変調回路の電圧可変容量素子の電圧可変特性とに相互的な整合がとれない場合があった。
【解決手段】発振状態にある発振子15の初期周波数合わせ時に、温度変化による発振子15の周波数変調の周波数補正範囲に対し、その変調制御を行う電圧可変容量素子25,26を、使用用途ごとに確実に制御が可能な電圧可変範囲を選定して、常にその電圧可変範囲で動作するための初期電圧を発生する。 (もっと読む)


【課題】温度補償のための回路網が発生する出力雑音が、温度補償型水晶発振器の位相雑音を特性に影響するという課題があった。
【解決手段】周囲の温度変化に対して、電位が1次関数的に変化して、負極性の温度勾配係数を有する温度信号S12と、同じように電位が1次関数的に変化して、正極性の温度勾配件数を有する温度信号S10とを合成して、2つの初期温度信号より温度勾配係数が増幅された温度信号を基に温度補正信号発生回路270を制御して、温度補正に係る入力段の温度センサー回路から温度信号発生回路に至るまでの信号増幅率を下げる。 (もっと読む)


【課題】補償電圧特性が、直線と直線との交点近傍が滑らかな曲線で連なる特性となる補償電圧回路を得る。
【解決手段】周囲の温度を感知する温度センサ11と、温度センサ11の温度検知結果に応じて補償電圧を発生する補償電圧発生部12とを備えた補償電圧回路であって、補償電圧発生部12は、演算増幅器OPとトランジスタTrとを備え、温度センサ11の出力ラインを演算増幅器OPの反転入力端子に接続し、トランジスタTrのドレイン端子を演算増幅器OPの反転入力端子に接続すると共に、トランジスタTrのソース端子を演算増幅器OPの出力ラインに接続した。 (もっと読む)


【課題】高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするPch−CMOSトランジスタとNch−CMOSトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタを介して増幅するCMOSプッシュプル型増幅回路とを備え、バッファ回路部における終段バッファ回路部のPch−CMOSトランジスタとNch−CMOSトランジスタ間に抵抗素子を接続してその中間点を終段バッファ回路部の出力とし、抵抗とキャパシタとから定まる時定数で出力信号の波形成形を可能とする。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子が搭載された圧電発振器の小型化が進んでも、電極端子数を増やすことなく、増幅回路部のみを停止させるインヒビット機能を持たせた圧電発振器を提供する。
【解決手段】集積回路素子には、前記圧電振動素子の共振周波数に基づいて発振信号を出力する第1のインバータを含む発振回路部と、前記発振信号を増幅する第2のインバータを含む増幅回路部と、電源電圧端子から入力される電源電圧と、周波数制御電圧端子から入力される周波数制御電圧を比較し、周波数制御電圧が電源電圧よりも大きい値又は同じ値になる場合に出力信号を出力する比較器を有する切替回路部と、前記増幅回路部の第2のインバータと電源電圧端子の接続間に配置され、前記比較器からの出力信号により動作するスイッチと、を備える。 (もっと読む)


【課題】水晶振動子を使った発振器の起動特性を向上させる。
【解決手段】第1の端子と、第2の端子と、第1の端子と第2の端子との間に、直列に接続された抵抗素子及びインダクタと、抵抗素子と並列に接続された振動子と、第1の端子と第2の端子との間に接続されたコンデンサと、第1の端子と第2の端子との間に接続され、振動子を振動させる発振回路部と、を含み、インダクタの値と抵抗素子の抵抗値と振動子の等価直列インダクタの値と振動子の等価直列抵抗の抵抗値とは、(インダクタの値÷抵抗素子の抵抗値)<(振動子の等価直列インダクタの値÷振動子の等価直列抵抗の抵抗値)の関係を満たす、ことを特徴とする発振器。 (もっと読む)


【課題】実装する機器側の入力インピーダンスに整合するような温度補償型圧電発振器を得る。
【解決手段】温度を検出する温度センサ10と、温度センサ10の温度検出結果に応じた補償電圧を発生する補償電圧発生回路11と、圧電振動子6を備え補償電圧に基づいて所定の発振周波数で発振する発振回路12と、発振回路12の発振出力をバッファするバッファ回路13と、各種情報を記憶するメモリ14と、を備え、バッファ回路13は、発振回路12の発振出力を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力に設けられ容量を選択可能な容量回路と、を有し、メモリ14により容量回路の容量を設定するようにした。 (もっと読む)


【課題】発振周波数偏差に圧電発振器内の抵抗成分の影響を,高精度に反映させることができ、より高精度な発振周波数偏差を解析できる圧電発振器の発振周波数偏差の算出方法を提供する。
【解決手段】発振周波数偏差に圧電発振器の等価直列抵抗R1と等価負荷抵抗RLとが発振周波数に与える影響を高精度に反映させた漸化式を用いて、また発振周波数を繰り返し計算して収束した一定値を得ることにより、高精度な発振周波数偏差を解析できる。すなわち、任意の初期代入値f0を決定し、所定の漸化式にn次のfnを代入し、n+1次の発振周波数fn+1を決定する計算を反復し、計算の繰返しによりfnが収束した一定値を用いて、周波数偏差を算出する。これにより圧電発振器の発振周波数偏差の高精度化が可能になる。 (もっと読む)


【課題】僅かな容量変化で発振周波数の発振周波数の可変幅を広げることができるCMOSインバータ型の圧電発振回路を提供する。
【解決手段】所定の周波数で発振する圧電振動子Xtalと、圧電振動子Xtalと並列に接続され、圧電振動子Xtalの発振出力を帰還させて増幅するCMOSインバータ10とを備える。そして、CMOSインバータ10の入力と接地との間には、第1のインダクタL2と第1のコンデンサC2とを直列に接続した第1の直列回路11が設けられている。またCMOSインバータ10の出力と接地との間には、コイルなどの第2のインダクタL3と第2のコンデンサC3とを直列に接続した第2の直列回路12が設けられている。さらに圧電振動子xtalに対して夫々並列に第3のコンデンサC4と抵抗R4とを接続するようにしている。 (もっと読む)


【課題】 ディレイ回路を設けたり、バイアス決定回路のバイアス点と波形整形回路のスレッショルドとを異ならせたりすることなく、消費電流を低減し、自励発振や異常発振を防ぐことができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】 水晶振動子21および水晶振動子21の出力を増幅し、電源電圧より低い定電圧源LDO1により駆動される発振増幅器22を有する水晶発振部2の出力に、電源電圧レベルにレベルシフトする結合コンデンサ3が接続され、その結合コンデンサ3の出力に、ソースがVddに、ゲートがVssに接続されたPチャネルMOSトランジスタ41およびソースがVssに、ゲートがVddに接続されたNチャネルMOSトランジスタ42のそれぞれのドレインが接続されたバイアス決定回路4が接続され、そのバイアス決定回路4の出力に振幅検知回路5、および波形整形回路6が接続されている。 (もっと読む)


【課題】発振装置の発振周波数の調整において、歩留りを向上させやすくする。
【解決手段】半導体基板7に形成された第1電極に、圧電体で構成される圧電体膜を重ねて形成し、前記圧電体膜に、前記圧電体膜を挟んで前記第1電極に対向する第2電極を形成して、前記第1電極、前記圧電体膜及び前記第2電極を構成の一部として有する第1キャパシタを形成する工程と、容器3の底となる第3基板45に、容器3の内側及び外側の間を貫通する貫通孔61が設けられた容器3内に、半導体基板7を、半導体基板7が貫通孔61を塞ぐように、且つ平面視で、前記第1キャパシタが貫通孔61に重なるように実装する工程と、前記発振回路の発振周波数を測定した結果に基づいて、半導体基板7によって塞がれた貫通孔61内に容器3の外側から圧力P1を付与した状態で、貫通孔61を容器3の外側から塞ぐ工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】発振装置において、発振安定化容量として用意されたキャパシタを有効活用する。
【解決手段】発振装置は、定電圧を生成する定電圧生成回路と、振動子発振回路と、第1のキャパシタを備える。振動子発振回路は、振動子を発振させるための回路であって、振動子の一端に接続される第1の接続ノードと、定電圧生成回路により生成された定電圧が供給される定電圧供給ノードと、を有する。第1のキャパシタは、第1の接続ノードと定電圧供給ノードのいずれかに選択的に接続される。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能かつ信頼性が高い圧電振動子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧電振動子300は、基板10と、基板10の上方に形成された第1絶縁体層20と、第1絶縁体層20の上に形成された第2絶縁体層30と、第2絶縁体層30の上に形成された振動部形成層40と、振動部形成層40を貫通する第1開口部H1と、第1開口部H1内に振動部形成層40を片持ち梁状に形成してなる振動部100と、第2絶縁体層30を貫通し、第1開口部H1と振動部100の下に形成された第2開口部H2と、振動部100の上に形成された圧電素子部200と、を有し、振動部形成層40は、酸化物、窒化物および酸化窒化物から選ばれる少なくとも1種からなる層を有する。 (もっと読む)


【課題】従来の電圧制御発振回路の電圧可変容量素子は、制御信号を入力する入力端子数が少ないために、制御信号を合成する必要があった。その合成回路が位相ノイズの悪化、回路面積の増加、消費電流の増加という問題を引き起こしていた。
【解決手段】本発明の電圧制御発振回路は、電圧可変容量素子としてMIS型トランジスタを用い、ソース端子とドレイン端子とを短絡したソースドレイン端子とゲート端子とバルク端子とを入力端子とし、それぞれ異なる3種類の制御信号を入力し、容量値を変化させることができる。このような構成とすることによって、制御信号を合成するための合成回路を減らすことができ、合成回路に起因する位相ノイズの悪化や、回路面積の増大、消費電流の増加を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスの微細化と、しきい電圧の低下により、通常オフ状態となっているMOSトランジスタにリーク電流が発生する。また、製造プロセスによっては、NチャンネルMOSトランジスタとPチャンネルトランジスタとのリーク電流が等しいとは限らない場合があり、発振回路のような回路構成によっては、動作に問題を引き起こす可能性が高い。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、制御電圧により駆動力が変化する第1のトランジスタを有する保護回路と、前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】発振周波数の連続性を備えながら広帯域化を実現する。
【解決手段】弾性表面波発振器1は、出力端子OUT1と出力端子OUT2に差動接続されたクロスカップル型回路10と、クロスカップル型回路10に並列に接続される共振周波数の異なるSAW共振子20,30と、出力端子OUT1から印加される第1の制御電圧に応じて容量値が変化するバリキャップダイオード50を含みSAW共振子20共振周波数を変化させる可変容量回路100と、出力端子OUT2から印加される第2の制御電圧に応じて容量値が変化するバリキャップダイオード60を含みSAW共振子30の共振周波数を変化させる可変容量回路200と、を有し、SAW共振子20と可変容量回路100、SAW共振子30と可変容量回路200、とが接続され、クロスカップル型回路10によって、SAW共振子20とSAW共振子30との結合された発振出力を出力する。 (もっと読む)


【課題】低消費電力化を行っても出力部のトランジスタを確実に動作させ、出力信号を確実に出力させる発振信号出力回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路110からバイアス電圧を増幅部130、発振部120に印加して発振信号を出力し、発振信号の出力信号XTBを容量結合し、出力信号XTBをバイアス電圧でかさ上げし、出力信号XTP、XTNを生成する。生成された出力信号XTP、XTNを出力段150のPMOSトランジスタMP4A、NMOSトランジスタMN4Aに入力し、稼動させる。出力信号XTP、XTNの電圧が同時に下がれば、電圧が下がり、電流も下がるのでH側が出力され、出力信号XTP、XTNの電圧が同時に上がれば、電圧が上がり、電流も上がるのでL側が出力される。従って、出力段150は大きな利得を得て確実に動作し、閾値電圧がばらついても、バイアス電圧が変化し、確実に出力信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成によりC/N特性の劣化を低減した圧電発振器を提供する。
【解決手段】この圧電発振器50は、発振回路3内の電圧可変容量素子4の両端に電位差を与えて電圧可変容量素子4の容量を可変とすることにより、発振周波数を可変する圧電発振器であって、電圧可変容量素子4の両端に印加する電位差の基準となる電位を供給する基準電圧端子1と、基準となる電位に対して電位差を与える制御電圧端子2と、演算増幅器5の同相入力端子に基準電圧端子1から供給された基準電圧を抵抗R1とR2により分圧して入力すると共に、抵抗R6を介して電圧可変容量素子4のカソードに接続する。また、演算増幅器5の逆相入力端子に制御電圧端子2から供給された制御電圧を抵抗R3を介して入力し、演算増幅器5の出力端子を抵抗R5を介して電圧可変容量素子4のアノードに接続する。また、抵抗R4により演算増幅器5の出力端子と入力端子間を接続する。 (もっと読む)


【課題】1つの発振振動子から複数の発振周波数を得ることを可能とする発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路は、発振振動子と、発振インバータと、発振インバータの出力と出力端子との間に接続されるダンピング抵抗と、発振インバータの入出力に接続される帰還抵抗と、帰還抵抗の抵抗値を変更する帰還抵抗スイッチまたは発振インバータの相互コンダクタンスの値を変更する発振インバータスイッチとを設けたことにより、帰還抵抗スイッチまたは発振インバータスイッチにより帰還抵抗の抵抗値または発振インバータの相互コンダクタンスの値を切り替えることで、発振回路の周波数帯域を可変させ、発振振動子の持っている高調波成分を選択することにより、発振周波数を切り替えることが可能となり、1つの発振振動子から複数の発振周波数を得ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】発振周波数の可変幅を容易に設定する電圧制御発振器およびこれの製造方法と、この電圧制御発振器を実現する半導体素子を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器10は、パッケージに半導体素子30と圧電振動子12を収容している。半導体素子30は、可変幅を調整する調整素子14を有しており、調整素子14の一端が発振回路20に接続し、他端が半導体素子30の表面に設けた調整用パッド26と接続している。またパッケージは、その内部に調整用電極を備えているとともに、外部に接地用の外部端子を備えている。この調整用電極と接地用の外部端子は導通している。そして調整用パッド26と調整用電極とを導通した場合と導通させなかった場合とのいずれかを選択することで、電圧制御発振器10の可変幅を設定している。 (もっと読む)


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