【課題】従来回路で必要とされてきた直流カット用の固定容量素子を削除し、また可変容量素子も小さくできるようにして、半導体集積回路の面積を削減できるようにする。
【解決手段】トランジスＱ１のコレクタ・ベース間に帰還抵抗Ｒ１と水晶振動子Ｘを並列接続し、トランジスＱ１のコレクタとＶｃｃの電源端子間に電流源Ｉ１を接続し、トランジスタＱ１のベースと接地間に可変容量素Ｃ１を接続し、トランジスタＱ１のコレクタと接地間に可変容量素子Ｃ２を接続し、トランジスタＱ１のエミッタにトランジスタＱ２のエミッタを接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２の共通エミッタと接地間に電流源Ｉ２を接続し、トランジスタＱ１のベースに制御電圧Ｖｓを印加するようにした。 （もっと読む）

【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにＴＣＸＯを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット２０は水晶振動子Ｘtalを含んで一体に構成され、Ｘtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子Ｎ１，Ｎ２を備える。振動子ユニット２０は、Ｘtalに接続された可変容量キャパシタＣ_Ｖと、Ｃ_Ｖの容量を制御する温度補償部２８とを有する。温度補償部２８はＸtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路３０を備え、振動子ユニット２０の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路３０の検知出力に基づいてＣ_Ｖの容量を調節する。 （もっと読む）

【課題】ピアース型圧電発振器で高い周波数出力を可能にする。
【解決手段】圧電振動子１０の一方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１と、圧電振動子１０の他方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第２の容量素子Ｃ２と、コレクタ端子が圧電振動子１０の一方の端子に接続されベース端子が圧電振動子１０の他方の端子と電流源２０とに接続されエミッタ端子が接地電位線ＧＮＤに接続された発振用トランジスタＱ１と、ベース端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第１の抵抗Ｒｂを介して接続されコレクタ端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第２の抵抗Ｒｃを介して接続されエミッタ端子が発振用トランジスタＱ１のベース端子に接続された発振補助用トランジスタＱ２と、を含んで構成される発振回路１０１と、発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に接続されたバッファ回路ＢＵＦと、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】反転電圧ＶＴＨ、負性抵抗−ＲＬ、発振周波数ｆ０が電源ＶＤＤの影響を受けることがなく、定電圧回路を追加する必要がなく、しかも、動作電圧も低くなり、水晶振動子に流れる電流も小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳインバータＩＶｎと、帰還抵抗Ｒｆと、水晶振動子Ｑｚと、が互いに並列接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの入力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＧが接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの出力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＤが接続された水晶発振回路１において、ＮＭＯＳインバータＩＶｎが、電源ＶＤＤに接続された定電流回路Ｉｎと、定電流回路Ｉｎと電源ＶＳＳとの間に接続されたｎ型のＭＯＳトランジスタＴｎと、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】低負荷容量値対応の水晶振動子を十分に適用することが可能な水晶発振装置を提供する。
【解決手段】例えば、配線基板ＰＣＢ上に、発振入力信号ＸＩＮ用の配線パターンＬＮ＿ＸＩＮと、発振出力信号ＸＯＵＴ用の配線パターンＬＮ＿ＸＯＵＴを設け、その間の領域に接地電源電圧ＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳ１ｂを配置する。ＬＮ＿ＸＩＮとＬＮ＿ＸＯＵＴの間には水晶振動子ＸＴＡＬを接続し、その負荷容量となる容量Ｃｇ，Ｃｄの一端をＬＮ＿ＶＳＳ１ｂに接続する。更に、これらの配線パターンを囲むようにＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳ１ａを配置し、加えて、下層にもＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳｎを配置する。これらによって、ＸＩＮノードとＸＯＵＴノード間の寄生容量の低減や、当該ノードのノイズ耐性の向上等が可能になる。 （もっと読む）

【課題】過渡的な電力消費をしないピークホールド回路（あるいはボトムホールド回路）を用いることで、無駄な電力消費を抑えるとともに、ノイズの発生を抑えて発振特性の悪化を防止することが可能な発振装置技術を提供。
【解決手段】基準電圧を発生する定電圧発生回路４と、駆動電圧または駆動電流によって発振する発振回路１と、発振回路１の出力である発振信号のピークレベルを検出して出力するピークホールド回路２と、定電圧発生回路４で発生された基準電圧ＶＲＥＦとピークホールド回路２で出力されたピークレベルＰＨに応じて駆動電圧または駆動電流を増減させて発振回路１の電源端子ＶＲに入力するレギュレータ３からなる。ピークホールド回路２は定電流で動作し過渡的な電力を消費しない構成となっている。なお、ピークホールド回路２の代わりにボトムホールド回路を用いても良い。 （もっと読む）

【課題】周波数の校正を簡単に且つ高精度に可能な発振回路の提供。
【解決手段】圧電振動子４の両端に接続された入力端子と出力端子を有する第１のインバータ回路１と，第１のインバータ回路の入出力端子間に設けられた第１のフィードバック抵抗３と，第１のインバータ回路の入出力端子に各々接続され，制御信号により容量値が可変設定可能な第１、第２の可変容量素子２ａ、２ｂと，所定基準電流を入力端子又は出力端子に供給して第１または第２の可変容量素子を充電する充電回路１０と，入力端子又は出力端子の充電電圧と，参照電圧Ｖ_Ｒとを比較する比較器１１と，キャリブレーション時に，第１の時間で，充電回路に入力端子又は出力端子への基準電流の供給を開始させ，第１の時間後の第２の時間での比較器の比較結果に応じて，充電電圧が参照電圧に近づく様に，第１又は第２の可変容量素子の容量値を設定する制御信号生成の制御回路１２とを有する発振回路。 （もっと読む）

【課題】出力波形の歪みを低減する水晶発振回路を提供する。
【解決手段】正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２２・Ｃ２４と、正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２３・Ｃ２５と、ｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３の中心点とｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３の中心点との間に接続された水晶振動子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度上昇や温度下降の際の温度変化に対する周波数のヒステリシスが少なく安定した周波数温度特性が得られる温度補償圧電発振器及びその周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】第１のメモリー３０と第２のメモリー４０には、それぞれ、圧電振動子８０の温度上昇時、温度下降時における周波数温度特性を特定するための第１、第２の温度補償データ３２、４２が記憶される。温度変化検出回路１０は、温度センサー５０が取得した温度情報に基づいて温度上昇と温度下降のいずれかが生じたかを検出する。セレクター２０は、温度変化検出回路の検出結果に基づいて、温度上昇時、温度下降時にそれぞれ第１、第２の温度補償データを選択する。温度補償電圧発生回路６０は、セレクターにより選択された第１又は第２の温度補償データに基づいて、温度補償電圧６２を発生させる。電圧制御発振回路７０は、温度補償電圧に基づいて圧電振動子の周波数を制御する。 （もっと読む）

調節可能な共振周波数を有し、大きな信号を扱うことができる調整可能なＭＥＭＳ共振器が説明される。１つの例示的設計では、調整可能なＭＥＭＳ共振器は、（ｉ）キャビティおよび支柱を有する第１の部分と、（ｉｉ）支柱の下に配置された可動プレートを含み、第１の部分と対になった第２の部分とを含む。各部分は、もう一方の部分と対向する表面上を金属層で覆われていてもよい。ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を変化させるために、可動プレートを、直流電圧で機械的に動かすことができる。キャビティは、長方形または円形の形状を有してもよく、空であっても、誘電材料で満たされていてもよい。支柱は、キャビティの中央に位置してもよい。可動プレートは、第２の部分に、（ｉ）１つのアンカーによって取り付けられて片持ち梁として働いてもよく、あるいは、（ｉｉ）２つのアンカーによって取り付けられてブリッジとして働いてもよい。
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【課題】デューティの設計値に対して、発振信号の振幅や周波数の変化に依存したズレが生じない、デューティ調整部を有する発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】発振回路は、発振部からの第１の発振信号が入力され、この第１の発振信号の振幅及び周波数に依存しない立ち上がり及び立下り時間を持つ第２の発振信号を生成する第１の差動回路と、第２の発振信号が入力され、バイアス電圧源から与えられる電圧に依存したデューティを持つ第３の発振信号を生成する第２の差動回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を低電圧とした場合でも、雑音を低減させることが可能な温度センサ及びこの温度センサを有する発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】電源電圧が供給される定電流源とアノードが接続されており、接地にカソードが接続された温度検出素子と、前記温度検出素子のアノードの電圧のレベルをシフトする温度特性を有したレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路の出力が非反転入力端子と接続された非反転増幅回路と、を有する構成により実現する。 （もっと読む）

【課題】発振バッファに過電圧が印加されるのを防止することができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１０は、ＰＴＡＴ電流源１２と、共振回路４６と並列接続された発振バッファ１４と、帰還抵抗Ｒｆと、スイッチ素子５４と、発振バッファ１４と同一構成のレプリカバッファ５２と、発振バッファ１４の入力電圧を検知し、検知した入力電圧が発振時のバイアス電位よりも所定電位以上上昇した場合、及び、検知した入力電圧が発振時のバイアス電位よりも所定電位以下に下降した場合に、ＰＴＡＴ電流源１２と発振バッファ１４との接続点のノードＶＣＣＯＳＣの電位が発振バッファ１４のＰＭＯＳトランジスタ４２の耐圧を越えないように、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流をレプリカバッファ５２回路にバイパスさせるための制御信号をスイッチ素子５４手段に出力するレベル検知回路５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器にスリープモードを備える。
【解決手段】圧電振動子１００を発振させた発振信号Ｖｐを出力する発振回路１１０と、発振回路１１０に電流Ｉｄを供給する電流源回路１２０と、発振回路１１０から出力された発振信号Ｖｐを整形した出力信号ＯＵＴを出力するバッファ回路１３０と、スリープモードとノーマルモードとを切り替える制御信号ＳＬを入力する制御端子１４０と、を含み、電流源回路１２０は、制御信号ＳＬがスリープモードの時はノーマルモードの時に比べて発振回路１１０に供給する電流Ｉｄが少なくなるように切り替える第１の切替部１２４を含み、バッファ回路１３０は、制御信号ＳＬがスリープモードの時はバッファ回路１３０を構成する素子への電流の供給を止める第２の切替部１３２と、制御信号ＳＬがスリープモードの時は発振信号Ｖｐが出力されないように切り替える第３の切替部１３３と、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】ピアース型圧電発振器で高い周波数出力を可能にする。
【解決手段】圧電振動子１０の一方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１と、圧電振動子１０の他方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第２の容量素子Ｃ２と、コレクタ端子が圧電振動子１０の一方の端子に接続されベース端子が圧電振動子１０の他方の端子と電流源２０とに接続されエミッタ端子が接地電位線ＧＮＤに接続された発振用トランジスタＱ１と、ベース端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第１の抵抗Ｒｂを介して接続されコレクタ端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第２の抵抗Ｒｃを介して接続されエミッタ端子が発振用トランジスタＱ１のベース端子に接続された発振補助用トランジスタＱ２と、を含んで構成される発振回路１０１と、発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に接続されたバッファ回路ＢＵＦと、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】発振回路において発振動作が行われているか否かを判定する発振停止検出回路を内蔵した半導体集積回路において、電源電位が立ち上がる際の誤検出を防止する。
【解決手段】この半導体集積回路は、クロック信号又は反転クロック信号がゲートに印加されて交互にオン／オフする複数のトランジスタが直列に接続され、第１の電源電位から正の電荷を移送するトランジスタ列と、複数のトランジスタによって移送される電荷を蓄積する複数のコンデンサと、最終段のコンデンサの端子をプルダウンするプルダウン素子と、最終段のコンデンサの端子の電位がゲートに印加され、第２の電源電位がソースに供給されるＮチャネルＭＯＳトランジスタと、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインをプルアップするプルアップ素子と、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電位に基づいて出力信号を生成する論理回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】生成すべき補償信号の極性に制限がなく、環境パラメータ依存特性に対する補償信号の選択範囲が広い補償信号生成回路を、簡易な構成で実現する。
【解決手段】基準温度未満の低温側領域では出力レベルが周囲温度に線形依存し、高温側領域では基準温度に対応する一定の基準出力レベルとなる特性を有する低温側信号を生成する低温側信号生成回路７ａと、低温側領域では基準出力レベルとなり、高温側領域では出力レベルが周囲温度に線形依存する特性を有する高温側信号を生成する高温側信号生成回路７ｂと、低温側信号における低温側領域での温度依存特性の勾配および極性を調整する低温側特性調整回路９ａ、１０ａと、高温側信号における高温側領域での温度依存特性の勾配および極性を調整する高温側特性調整回路９ｂ、１０ｂと、低温側特性調整回路および高温側特性調整回路の出力信号を加算して温度補償信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなく、複数の発振周波数を自由に選択することができる発振器を提供する。
【解決手段】複数の発振回路の出力を１つの出力ノードＮ１に束ね、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の一端を、それぞれ各圧電素子に対応する増幅器の入力端に接続すると共に、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の他端を出力ノードＮ１に共通して接続する。そして、選択信号ＳＥＬによって、選択用トランジスタＳＭ１，ＳＭ２及びスイッチＳＷ１，Ｓｗ２を制御することで、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の何れか一方を選択し駆動させることで、多入力１出力の発振器を実現する。 （もっと読む）

【課題】低電力化を可能とし、リーク電流による誤動作の発生を無くした発振検出回路を提供する。
【解決手段】発振検出回路は、基準電圧源に接続された第１の入力端子と発振回路出力端に接続された第２の入力端子とを有しており、複数のバイポーラトランジスタにより構成される差動回路を採用し、差動回路の出力端に接続され出力端の電位に応じて充電または放電を行う容量素子と、容量素子の電位に基づいて発振信号端の所望の発振状態を検出する検出回路を有する。 （もっと読む）

【課題】接続不良を見つけた場合は、容量検査を行わないようにして検査時間を短縮させることができる検査回路を備えたコンデンサ回路、そのコンデンサ回路を使用した可変容量回路、その可変容量回路を使用した発振回路及びコンデンサ回路の検査方法を得る。
【解決手段】検査信号ＴＥＳＴがハイレベルになると、ＮＭＯＳトランジスタＭ２がオフすると共にＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ３がそれぞれオンし、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのドレインはＰＭＯＳトランジスタＭ１と電流計３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのゲート電圧が電源電圧Ｖｄｄまで上昇してＮＭＯＳトランジスタＭＣはオン状態になり、電源電圧Ｖｄｄ→電流計３→接続端子Ｔ１→ＰＭＯＳトランジスタＭ１→ＮＭＯＳトランジスタＭＣ→接地電圧ＧＮＤの経路で電流ｉ１が流れるようにした。 （もっと読む）