【課題】回路規模を小型化する注入同期発振器を得る。
【解決手段】発振周波数ｆｏの注入同期信号を発生する基準発振器１と、注入同期信号を検波し、注入同期信号の高周波電力に応じた直流電圧を発生すると共に発振周波数ｆｏの高調波を発生する検波回路２とを備え、検波回路２は、注入同期信号の高周波電力に応じた直流電圧および発振周波数ｆｏの高調波を、発振器３を構成するＦＥＴ８のドレインに供給するので、ＦＥＴ８に注入同期信号を注入する回路と、ＦＥＴ８に直流バイアスを印加するバイアス回路とを検波回路２で共用することができ、注入同期発振器の回路規模を小型化することができる。
また、発振周波数ｆｏの高調波をＦＥＴ８のドレインに供給するので、注入同期発振器として同期を容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】改良された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（１６）は複数の直列に接続された合成利得段（４２、４４、４６）を含む。合成利得段はトランスコンダクタンス段（４８）及びトランスインピーダンス段（５０）を含む。トランスコンダクタンス段は第１電源電圧端子から第２電源電圧端子への第１電流経路（５２、５６、６４）及び第２電流経路（５４、５８、６６）を有する。第１可変抵抗（６２）は第１電流経路と第２電流経路との間に接続される。トランスインピーダンス段は、第１電流経路の出力に接続された入力端子と、出力端子とを有する第１インバータ（６８、７２）及び第２電流経路の出力に接続された入力端子と、出力端子とを有する第２インバータ（７０、７４）を有する。第２可変抵抗（７６）は第１インバータの入力端子と出力端子との間に、第３可変抵抗（７８）は第２インバータの入力端子と出力端子との間に接続される。 （もっと読む）

【課題】信号線や電源線を経由して伝わる振動を除去するための静磁波発振装置の固定構造を提供する。
【解決手段】永久磁石もしくは電磁石等により加えられた磁界の強さに依存して共振周波数が変化する静磁波素子を用いて所望の発振周波数を得る静磁波発振装置であって、外部と接続する信号線と、前記外部と接続する電源線と、前記静磁波発振装置を実装するための筐体に固定された支持材と、該支持材に固定され前記信号線または前記電源線を固定する緩衝材とを有し、前記信号線や前記電源線を経由して前記静磁波発振装置に伝達される振動を吸収する。 （もっと読む）

【課題】安定発振、コンパクトなパッケージを実現したＳＨＦ帯に好適な高周波発振器を提供する。
【解決手段】低誘電率、低損失の基板材料として水晶板等の耐熱材を最小限の厚さとした基板を主基板２とし、一次実装する能動素子７とＩＤＴ３やデスクリート部品８などを主基板２の表裏にそれぞれ配置し、貫通電極６で両面側の間を接続することで配線長を最短とした。ＬＴＣＣなどの従来の本体基板に代えて薄い水晶等を要部構成部品を実装する主基板とすることにより、薄型化と小型化を実現した。外力・応力に対する脆弱性を、主面側の保護カバーに加えて裏面にも補強カバーを設け、あるいはモールド構造とすることで補強した。 （もっと読む）

【課題】５ＧＨｚ以上の周波数帯域で出力周波数を調整するコルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えると共に、位相雑音の良好な特性を持つ電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】可変周波数帯域内における周波数ｆに対応する波長をλとすると、共振部１のバリキャップダイオード１３とトランジスタ２１のベース端子との間に直列となるように、線路長Ｄがλ／４で且つ特性インピーダンスが１０Ω以下の伝送線路６を配置して、トランジスタ２１のベース端子からバリキャップダイオード１３側を見た時に、当該バリキャップダイオード１３と伝送線路６とがいわば可変インダクタンス素子Ｌと等価になるようにする。 （もっと読む）

【課題】発振開始時の立ち上がりを迅速に行うとともに、増幅素子に流れるバイアス電流を適正化すること。
【解決手段】準ミリ波帯域またはミリ波帯域を発振周波数帯域とする帰還型発振装置１において、入力端子から入力された信号を出力端子から出力する増幅素子（ＨＥＭＴ１０）と、増幅素子の出力端子から入力端子に信号を帰還するための帰還回路（帰還回路４０）と、増幅素子の出力端子と電源の間に挿入され、持続発振時に増幅素子に流れるバイアス電流を制限する抵抗素子（抵抗素子３５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を劣化させずに２倍波の出力電力を増加できる高周波発振器を得る。
【解決手段】 第１から第３の端子を有する能動素子と、前記第１と第２の端子にそれぞれ接続され、所要の周波数において誘導性となる第１と第２のリアクタンス回路と、前記第３の端子に接続され、前記所要の周波数において容量性となる第３のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数の２倍の周波数においてインピーダンスがショートとなる第４のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数におけるリアクタンスが、前記所要の周波数における前記第４のリアクタンス回路のリアクタンスと絶対値が等しく符号が逆となる第５のリアクタンス回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化及び低消費電力化を図ることができる磁気同調デバイス駆動回路及びそれを備えた測定装置並びに磁気同調デバイス駆動方法を提供する。
【解決手段】磁気同調デバイス駆動回路１０は、固定電圧を出力する電源に接続され、印加された出力電圧制御信号に応じた電圧を出力するスイッチング電源回路１１と、スイッチング電源回路１１の出力電圧を所望の同調周波数に応じた電流に変換して同調コイル５１に供給する定電流回路１２と、同調コイル５１の電圧の絶対値を所定値だけ大きくするシフト電圧を供給するシフト電圧供給部１３と、電流が供給された同調コイル５１の電圧とシフト電圧とを加算し、加算後の電圧を出力電圧制御信号としてスイッチング電源回路１１に出力する加算回路１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数、特に１００ＧＨｚ以上のテラヘルツ帯において共振特性を良好とする新規なアンテナ及びそれを用いた発振器を提供する。
【解決手段】スロットアンテナは、スロットアンテナ本体２となる空隙と、この空隙に対して十字となるように空隙の長手方向に対して垂直方向に一つ以上設けたスリットリフレクタ部３となる空隙とが、導電性平板５に形成されて成り、所望されるインピーダンス又はアドミタンスの周波数特性が得られるようにスリットリフレクタ部３の配置場所、長さ及び幅が定められている。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ２７と、発振トランジスタ２７に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体２９、抵抗体３１及びトランジスタ（スイッチ）３５が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ３０及び可変容量ダイオード３６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】外部磁界からの影響を防止しつつ、小型化及び軽量化を図ると共に、耐振動及び耐衝撃性を向上させた静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】静磁波素子を用いて所望の発振周波数を得る静磁波発振装置１であって、静磁波発振装置本体２の周囲に強磁性体３３ａ，３３ｂと振動を吸収可能な非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃとを交互に積層させると共に、該非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃが吸収可能な振動周波数を層によって相違させる。 （もっと読む）

【課題】低供給電圧の性能でのマイクロ波帯域における電圧制御発振器の効率を向上させるための二重正帰還電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】２つのコルピッツ回路２０、２１は第１正帰還ループを提供し、第１負抵抗と等価である。ＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０は、第２正帰還ループを提供し第２負抵抗と等価である。２つのコルピッツ回路２０、２１及びＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０によって生成される２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗に対して並列に接続されている。この為２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗をオフセットする。２つの各負抵抗が生成されるので、低電圧の稼動時において、及び、直流電流の共有において、高い負抵抗が二重正帰還電圧制御発振器１０によって生成される。この為、二重正帰還電圧制御発振器１０は、より低い電力下で発振可能である。 （もっと読む）

【課題】負性抵抗回路において反射特性を向上させること。
【解決手段】制御端子、第１端子および第２端子を有する第１トランジスタとＱ１、前記第１トランジスタの前記第２端子に接続された制御端子、第１端子およびＤＣ電源が接続される第２端子を有する第２トランジスタＱ２と、前記第１トランジスタの前記第１端子と前記第２トランジスタの前記第１端子との信号を前記第１トランジスタの制御端子に共通に帰還させる正帰還回路２２と、前記第２トランジスタの前記第１端子と前記正帰還回路との間に接続された第１キャパシタＣ１と、前記第１トランジスタの前記第２端子と前記第２トランジスタの前記制御端子との間の第１ノードＮ１と、前記第２トランジスタの前記第１端子と前記第１キャパシタとの間の第２ノードＮ２と、をＤＣ的に接続する経路１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相雑音の劣化原因によらず位相雑音を低減できる高周波二倍波発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタのベース側に接続された第一電気信号線路と、該第一電気信号線路に接続され他の端は接地された第一シャントキャパシタと、該トランジスタのコレクタ側に接続された第二電気信号線路と、該第二電気信号線路に接続され他の端は接地された第二シャントキャパシタと、該第一電気信号線路と該第二電気信号線路を接続する大容量キャパシタとを備える。該第一電気信号線路の線路長は、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さから基本波信号の波長の１／１６の長さを減算した長さと、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さに基本波信号の波長の１／１６の長さを加算した長さとの間の値である。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、帰還部の２つのコンデンサ間とトランジスタのエミッタとを接続する導電線路におけるインダクタンス成分の影響による出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】コルピッツ回路を用いたＶＣＯにおいて、帰還部２のコンデンサ２２、２３について、トランジスタ２１のベースから伸びる端子部８（Ｔ１）及び前記トランジスタ２１のエミッタから伸びる端子部８（Ｔ２）が夫々装着されるベース基板５上のベース用端子（接続部７）とエミッタ用端子とを直結するように第１の帰還容量素子（コンデンサ）２２を配置すると共に、上記エミッタ用端子とアース用端子（接地電極５１）とを直結するように第２の帰還容量素子（コンデンサ）２３を配置する。 （もっと読む）

【課題】 スルーホールを削減してプリント基板の製造コストアップを防ぎ、基板の線膨張率の違いによる発振周波数ずれを防ぎ、基板に窓を空ける必要がなく、発振周波数範囲が狭くなるのを防ぎ、かつ中心周波数の調整が可能なマイクロ波発振回路の提供。
【解決手段】 マイクロ波発振回路１００は、上部基板１と、その表面に設けられる第１表層パターン２と、第１表層パターン上に設けられ第１表層パターンと電気的接続される可変容量素子３と、上部基板の表面の第１表層パターンとは異なる位置に設けられる第２表層パターン４と、第２表層パターン上に設けられ第２表層パターンと電気的接続される発振素子５と、上部基板の裏面に設けられる第１および第２裏面パターン６，７と、下部基板８と、下部基板の表面に設けられる第３表層パターン９と、下部基板の裏面に設けられる第３裏面パターン１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインのトリミングによってＱ値の劣化を招くことなく、各種の周波数帯への調整を可能とする。
【解決手段】電圧制御発振器は、発振用トランジスタのベースに接続された共振回路を有しており、この共振回路には、バラクタダイオードとともにマイクロストリップライン１０が設けられている。マイクロストリップライン１０は、その一端が制御端子に接続されており、他端がビア７を介してグランド電極に接続されている。またマイクロストリップライン１０は、その一端に位置する入力導体部１０ｂから他端に位置する接地導体部１０ｅに至る導電路がスパイラル形状をなしており、導電路の途中が粗調用導電体１０ａを介してグランドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】位相雑音特性を劣化させることなく出力電力を増大可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】発振用の能動素子として用いられるバイポーラトランジスタ１と、バイポーラトランジスタ１のベース端子またはゲート端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、所定の発振周波数において誘導性を有するインダクタ２と、バイポーラトランジスタ１のコレクタ端子またはドレイン端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、発振周波数において誘導性を有するインダクタ３と、バイポーラトランジスタ１のエミッタ端子またはソース端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、発振周波数において容量性を有するキャパシタ４と、を備えた直列帰還型の高周波発振器であって、ベース端子またはゲート端子と、コレクタ端子またはドレイン端子との間に直列接続され、入力された信号の位相を変化させる移相回路５をさらに備えたものである。 （もっと読む）

【課題】小型でＩＣ化が可能な位相同期発振器を実現すること。
【解決手段】 位相同期した複数の発振信号を得る位相同期発振器アレイにおいて、位相が１８０度異なる２つの信号を入力する第１入力端子と第２入力端子とを有したｎ個の第１差動増幅器から第ｎ差動増幅器と、１≦ｋ＜ｎの全ての自然数ｋに対して、第ｋ差動増幅器の第２入力端子と第ｋ＋１差動増幅器の第１入力端子との間の全て、及び、第ｎ差動増幅器の第２入力端子と第１差動増幅器の第１入力端子との間を、それぞれ、逆相で結合するｎ個のフィルタＦと、を設けたことを特徴とする位相同期発振器アレイ。フィルタＦは、一方の差動増幅器１の第２入力端子Ｂ１２と接地間に配設された第２インダクタＬ１２と、他方の差動増幅器２の第１入力端子Ｂ２１と接地間に配設された第１インダクタとＬ２１、一方の差動増幅器１の第２入力端子と他方の差動増幅器２の第１入力端子との間を接続する第３容量Ｃ１５と第３インダクタＬ２３との直列接続回路とを有する。 （もっと読む）