【課題】 広帯域発振周波数を得る。
【解決手段】 バイポーラトランジスタＱ１のベースをバイポーラトランジスタＱ２のコレクタに接続する。バイポーラトランジスタＱ２のベースをバイポーラトランジスタＱ１のコレクタに接続する。Ｑ１と電源間に抵抗Ｒ１、Ｑ２と電源間に抵抗Ｒ２を接続する。バイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ間にキャパシタＣ１、Ｃ２，インダクタＬ１を直列に接続する。Ｃ１，Ｃ２のキャパシタ値を変えることで広帯域発振周波数範囲を得る。発振周波数範囲は抵抗Ｒ１，Ｒ２を調節することで、変えることができる。Ｃｖ１，Ｃｖ２は可変キャパシタで、ＶＣＰ電圧によりキャパシタ値を変える。 （もっと読む）

【課題】温度に起因する発振器の周波数ドリフトを効果的に正確かつ簡単に補償することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】発振器の周波数ドリフトを補償するために構成素子に補償信号を印加する周波数ドリフト補償ユニットが設けられている。 （もっと読む）

【課題】バッファ増幅器の電源系を分離して定電圧発生回路と接続し、一部を共用化して電源電圧を下げずに電源ノイズの影響を抑制し小型化する。
【解決手段】差動バッファ増幅器１１は、エミッタが共通接続のバイポーラトランジスタ２４，２５と電源電圧Ｖｃｃに接続の負荷抵抗２６，２７からなり、共通エミッタは差動発振器１２のインダクタの中点に接続される。差動発振器１２のインダクタ中点には接地容量２３が接続され、不要な干渉を抑え、ノイズ回り込みを抑制する。差動発振器１２の発振信号は結合容量２１，２２を介して差動バッファ増幅器１１の出力端子１３から出力される。バイポーラトランジスタ２４，２５のベースは、抵抗２８，２９を介して定電圧発生回路６１と接続され、電源系と分離してバイアス電圧が供給される。これにより電源ノイズの影響を抑制し、電源電圧を下げることなく出力ができ、消費電流を抑え、かつ電源ノイズの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯ（電圧制御発振器）の発振出力の周波数依存性を低減し、制御周波数範囲内でより安定した発振出力が得られるようにする。
【解決手段】トランジスタを含んで発振信号を生成する発振回路部と、共振回路を構成する可変容量ダイオードを含んで発振周波数を変更可能とする共振回路部と、発振回路部から出力された発振信号を増幅して外部に出力するバッファ回路部とを備えたＶＣＯで、発振回路部と共振回路部との結合部に、インダクタンス成分を有する回路要素（例えばマイクロストリップライン又はチップインダクタ）を挿入する。 （もっと読む）

【課題】 容量素子の占有面積を低減させながら、容量素子の寄生容量を低減できる技術を提供する。
【解決手段】 下部電極１０、容量絶縁膜１８および中間電極１１よりなる容量素子上に、中間電極１１、容量絶縁膜２１および上部電極１２よりなる容量素子を形成する。すなわち、容量素子を積層構造とする。そして、中間電極１１に段差を設けることにより、容量形成領域以外の領域における中間電極１１と下部電極１０との間の距離および中間電極１１と上部電極１２との間の距離を容量形成領域における距離より大きくする。例えば、容量形成領域では、下部電極１０と容量絶縁膜１８が直接接するようにする一方、容量形成領域以外の領域では、下部電極１０と容量絶縁膜１８が直接接しないようにする。 （もっと読む）

【課題】 可変容量素子の接合容量の変化に直線性を持たせながらも、共振器の異常発振や、発振信号のスプリアス成分を無くし、さらに熱雑音の発生を抑制した電圧制御発振器の提供を図る。
【解決手段】 電圧制御発振器１１は、共振回路１２と増幅回路１３とを備える。共振回路１２は、複数の可変容量素子ＶＤ１とＶＤ２とを直列に接続した可変容量素子回路１４を備える。可変容量素子ＶＤ１とＶＤ２を逆バイアスにする制御電圧を、制御電圧入力端子Ｖｃ１から入力する。 （もっと読む）

【課題】 発振用トランジスタ３のベースバイアス回路を改良して電源電圧の変動に対して発振周波数の変化を少くできるトランジスタ発振回路を提供する。
【解決手段】 エミッタがエミッタ負荷抵抗８を介して接地点に接続され、ベースと接地点間に共振回路２が接続され、コレクタが電源端子に接続された発振用トランジスタ３を有し、発振用トランジスタ３のベースとコレクタとの間及びベースとエミッタとの間にそれぞれベースバイアス抵抗９、１０が接続され、発振用トランジスタ３のエミッタと交流的接地点の間にコンデンサ７が接続される。 （もっと読む）

本発明は、同相信号と直交信号の発振周波数を制御する発振回路及び方法に関するものである。第１差動発振回路及び第１差動結合回路を有する第１発振器手段(2)を設けて直交信号を発生する。さらに、第２差動発振回路及び第２差動結合回路を有する第２発振器手段(4)を設けて同相信号を発生する。周波数制御手段を設けて、第１及び第２発振器手段のコモンモード電流及びテール電流を制御することによって、同相信号及び直交信号の発振周波数を変化させる。これにより、高い直線性を有する高周波ＩＱ発振器が得られる。
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【課題】電圧制御発振器の共振容量値のうち固定容量の容量値を等価的に減少させることにより、共振容量の可変分を増加させ、発振周波数範囲を拡大する。
【解決手段】差動出力用の共振ノードＯＵＴ，ＯＵＴＢを有する差動型の負性コンダクタンス発生回路１１と、容量値が電圧制御によって制御される可変容量とインダクタンスとが並列接続された差動型の共振回路１０と、差動型の負性インピーダンス回路１３とを備える。共振ノード間に共振回路と負性インピーダンス回路が接続される。共振ノード間に生じている固定容量の容量値が負性インピーダンス回路が呈する負性インピーダンスによって低減される。固定容量は、共振ノードＯＵＴと接地電位との間及び共振ノードＯＵＴＢと接地電位との間のそれぞれに生じている浮遊容量で代表される。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、発振器およびＰＬＬ回路の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 インダクタンスが変化する可変インダクタ部と、可変インダクタ部に接続された可変容量素子と、可変インダクタ部のインダクタンスと可変容量素子の容量とで決まる発振周波数により発振する出力部と、発振周波数を変調する周波数制御信号を生成する制御信号生成手段とを含む。可変インダクタ部は、第１インダクタと、第１インダクタに流れる電流を表す電気信号を検出し、電気信号に基づいて電流信号を生成する電流信号生成手段と、電流信号を受ける第２インダクタとを含み、第１インダクタと第２インダクタを所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタのインダクタンスを所望の値にする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの発振信号を切り替えて共通の端子から出力する場合に、発振信号の減衰を少なくする。
【解決手段】 第１の周波数帯の発振信号を出力する第１の発振トランジスタ１１と、第１の発振トランジスタ１１のコレクタに電源を供給する第１のインダクタ１２と、第１の発振トランジスタ１１の動作を切り替える第１のスイッチ素子１６と、第２の周波数帯の発振信号を出力する第２の発振トランジスタ２１と、第２の発振トランジスタ２１のコレクタに電源を供給する第２のインダクタ２２と、第２の発振トランジスタ２１の動作を切り替える第２のスイッチ素子２６と、第１の周波数帯の発振信号又は第２の周波数帯の発振信号を外部に出力する出力端子３０とを備え、第１のインダクタ１２と出力端子３０との間に第１のスイッチ素子１６を介挿し、第２のインダクタ２２と出力端子と３０の間に第２のスイッチ素子２２を介挿した （もっと読む）

【課題】 発振周波数を下げたときに発振停止を起こしにくくし、さらに、温度が上昇したときにも発振停止を起こしにくくする。
【解決手段】 ミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流と発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流とを設定するためのバイアス電源７４を設け、制御電圧Ｖｔが第１の所定値以上のときよりも第１の所定値以下のときにバイアス電源７４の出力電圧を高くしてミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流又は発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流の少なくとも一方を大きくした。 （もっと読む）

【課題】 左手系デバイスによるカプラ２を用いることにより、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得る。
【解決手段】 左手系デバイスによるカプラ２は、ＦＥＴ１のゲート端子にポート１が接続され、そのポート１を入力ポートとした場合に、周波数帯域ｆｂ１に対しては、ポート２，４がアイソレーションポート、ポート３が通過ポートであり、周波数帯域ｆｂ２に対しては、ポート２が通過ポート、ポート３，４がアイソレーションポートとなるものである。共振回路４ａ、カプラ２のポート１，３、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ１で発振し、共振回路４ｂ、カプラ２のポート１，２、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ２で発振することができ、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、電圧制御発振器の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 第１インダクタ（１）と、第１インダクタ（１）に流れる電流を検出する電流検出回路（３）と、検出された電流に基づいて電流信号を生成する電流源（４）と、電流信号を受ける第２インダクタ（２）とを有し、第１インダクタ（１）と第２インダクタ（２）を所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタ（１）のインダクタンスを所望の値にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バラクタダイオードの容量値が温度に依存して発振周波数が変化するのを抑える。
【解決手段】 発振トランジスタ３１、３２と、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂを有して発振トランジスタ３１、３２のコレクタとベースとの間に結合された共振回路３７とを備え、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源４２を設け、バイアス電圧に負の温度特性を持たせ、温度によるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂの容量値変化に起因する発振周波数変化をバイアス電圧の温度による変化によって補正した。 （もっと読む）

【課題】 低電源電圧においても、可変容量素子の素子面積を増大させることや、制御電圧のレベル変換を行うことなく、可変容量素子の可変容量幅を最大限に広げることが可能な可変容量回路および可変容量の制御方法を提供すること。
【解決手段】 可変容量回路２は、容量値制御回路１１、バラクタＶＡ１およびＶＡ２、抵抗素子Ｒ１およびＲ２を備える。容量値制御回路１１は、入力される制御電圧ＶＴに応じて、可変な出力電圧ＣＮＴＯＵＴを出力することで、バラクタの両端の電位を同時に制御する。出力電圧ＣＮＴＯＵＴは、制御電圧ＶＴに対して、負の相関を有するように可変に調整される。端子間電圧ＶＤの変動幅を、変動幅ＳＡ１から変動幅ＳＡ１ａ（レンジは±（Ｖｃｃ１））へ拡大することができる。すると図５（Ｂ）に示すように、バラクタ容量値ＣＶの可変領域を、可変領域ＣＡ１から可変領域ＣＡ１ａへ広げることができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、回路特性の悪化の少ない発振回路を提供する。
【解決手段】液体冷媒により冷却され、発振信号を生成する発振回路であって、回路基板と、回路基板に形成され、共振回路を含むベアチップと、回路基板に形成され、ベアチップと電気的に接続され、発振信号を生成する信号出力部と、共振回路を樹脂で封止し、ベアチップと液体冷媒とを隔離する封止部とを備える発振回路を提供する。発振回路が、ベアチップと前記信号出力部とを接続する、空中配線されたワイヤーを更に備える場合、封止部は、ワイヤーを更に樹脂で封止し、ワイヤーと液体冷媒とを隔離する。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数帯の切替に連動して各周波数帯に最適なバイアス電圧を発振トランジスタに印加する。
【解決手段】 発振トランジスタ１と、互いに異なる発振周波数帯にそれぞれ対応して設けられた共振回路９、１１と、１つの共振回路を選択して発振トランジスタ１のベースとコレクタとの間に結合する切替手段１２とを備え、選択された共振回路に対応したバイアス電圧を切換手段１２によって発振トランジスタ１のベースに印加した。 （もっと読む）

【課題】 発振信号を取り出す段階で高調波、特にレベルの大きい２倍高調波を効果的に抑制できる発振回路を提供する。
【解決手段】 コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタ２１と、発振トランジスタ２１のエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗２７とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段２８を前イアス抵抗２７とグランドとの間に介挿し、バイアス抵抗２７と共振手段２８との接続点から発振信号を取り出した。 （もっと読む）

【課題】大電流の出力が可能な電源は単一であり、そして高い電源電圧を必要としない、YIG発振器のコイル電流ドライブ回路を提供する。
【解決手段】設定入力に応じた電流をYIG発振器のメインコイルに流すコイル電流ドライブ回路において、電荷を蓄積して電位差を保つコンデンサと、このコンデンサの基準電源電位を切り替える２つのスイッチと、基準電源電位を切り替えたときに主電源との経路を遮断するスイッチによって構成され、制御信号に応じて前記各スイッチを一時的にメインコイルのプルアップ電位を上昇させるように切り替えることにより、高速電流ドライブ時に前記メインコイルが起電力を発生するように構成する。 （もっと読む）