【課題】バイポーラトランジスタを形成する半導体層のうち、ベース層とコレクタ層とで構成されるＰＮ接合及びバイポーラトランジスタを用いて同一半導体基板上に容量成分と直列に繋がる抵抗成分の小さい可変容量素子を備えた電圧制御発振回路を形成できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（ＢＰＴ）を形成する半導体層のうちベース層とコレクタ層とによって形成されるＰＮ接合を、単一のコレクタ層８に複数のベース層９を形成することによって複数個のＰＮ接合を形成すると共に、各ＰＮ接合を上記コレクタ層を共通として逆直列接続し、各ベース層間に発生する容量が共通のコレクタ層に印加する電圧に応じて変化するようにした可変容量素子３１を同一半導体基板６上に形成されたＢＰＴ１０と組み合わせて接続することにより電圧制御発振回路を形成する構成とする。 （もっと読む）

基本周波数で発振し高調波も発生する発振器（１０）。基本周波数又は低い高調波がフィードバックの目的で用いられ、基本周波数又は当該低い高調波よりも高い高調波が出力のために用いられる。結果的に、発振器（１０）は、出力周波数よりも低い周波数で動作し低コストとなる。発振器（１０）に結合された合成器（２０）も、この低周波数で動作し、このような発振器（１０）及び合成器（２０）を有する変調器（５）は、低コストとなる。低い電力消費及び妨害電界に対しての低い感応性がさらなる利点である。フィルタ処理は、複雑さが軽減され、少数の構成要素が小さな構成を導く。発振器（１０）は、同調回路（１１）と増幅器（１２）を有し、増幅器（１２）は、フィードバック回路（１３）によって帰還される。このような増幅器（１２）は、ただの単一のトランジスタ（４０）を有するものとすることができる。
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【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

Ｑエンハンスメント回路および方法である。ほとんどの一般的な実施形態において、本発明の回路は寄生抵抗Ｒを有するコンポーネントにより使用されるように構成され、第１の抵抗Ｒ₁がこのコンポーネントと直列に配置され、この構成により抵抗Ｒ₁は負性抵抗になる。示されている実施形態において、第１および第２のインダクタは、Ｑエンハンスメントが行われるコンポーネントを構成する。抵抗Ｒ₁は第１のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗Ｒ_L1と等しい。同様に、第２の抵抗Ｒ₂は第２のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗Ｒ_L2と等しい。Ｑエンハンスメント回路はさらに第１のトランジスタＱ₁および第２のトランジスタＱ₂を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の小さな面積内に設けることができ、また、インダクタンス値の調整が容易なインダクタンス調整電極およびそれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】 インダクタンス調整電極１は、基板３１に設けられた導体パターンとして構成された、第１および第２の主電極１１，１２と、第１および第２の主電極１１，１２の間を電気的に接続する複数の調整用電極２１とを備えている。その各調整用電極２１の一部は、基板３１に設けられた貫通孔状の凹部３２の内周面３３に設けられている。必要に応じて１または複数の調整用電極２１を切断することでインダクタンス値を調整する。 （もっと読む）

１つの態様では、本発明は、能動素子の２つの端子の間に接続された複数の共振器を有する能動素子と、複数の共振器の間に接続された少なくとも１つの共振器とを含む電圧制御発振器を含んでいる。この少なくとも１つの共振器は、好ましくは、発振器の中に存在する選択された量のエネルギーを蓄積できるエバネッセントモード形バッファとして動作する。
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電圧制御発振器（２００）は、共振器（２４０）、同調ダイオード回路網（２３４）および能動装置（２１０）にわたってそれらに結合されたスロット切込プリント基板回路網（２３０）を含む。スロット切込プリント基板回路網（２３０）は、共振器（２４０）、同調ダイオード回路網（２３４）および能動装置（２１０）の間で共通結合コンデンサとしての機能を果たすよう働く。

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広帯域周波数選択性をサポートする同調電圧回路網を介して１対の３端子装置の端子に結合された周波数可変な結合共振器回路網を備えた回路を含む電圧制御発振器が提供される。集積回路形態への組み込みに適した広帯域周波数可変共振器も提供される。

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液体が付着した場合であっても、バイアス電圧の印加による電極膜の剥離が生じ難く、かつ安定に動作させ得る弾性表面波センサー内蔵発振回路を提供する。 圧電基板上にインターデジタル電極３３，３４と、インターデジタル電極３３，３４を覆うように、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜が設けられており、微小な質量負荷を周波数変化により検出することを可能とする弾性表面波センサー３２が共振子として接続されている弾性表面波センサー内蔵発振回路であって、弾性表面波センサー３２に対して、直列に直流カット用コンデンサ３６，４２が接続されており、該直流カット用コンデンサ３６，４２が、それぞれ、インピーダンス整合回路を構成している、弾性表面波センサー内蔵発振回路３１。 （もっと読む）

周波数可変結合共振器回路網が１対の３端子装置の端子に広帯域周波数選択性をサポートする同調電圧回路網を介して結合されてなる回路を含む電圧制御発振器（ＶＣＯ）が提供される。集積回路形態への組み込みに適した広帯域周波数可変共振器も提供される。
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【課題】 歩留まりに優れ周波数安定度が高い小型の恒温槽型水晶発振器を実現する。
【解決手段】 圧電振動子と増幅回路及び可変容量ダイオードを有する発振回路と、前記圧電振動子を一定温度に保つ為の恒温槽と、温度変化に伴う前記増幅回路の電気的特性の変化により前記圧電発振器の発振周波数が変動するのを抑圧するよう前記可変容量ダイオードの容量値を制御する為の制御電圧を出力する電圧発生回路とを備え、該電圧発生回路が正特性または負特性のサーミスタを感温素子として制御電圧を制御することにより温度変化によって生じる増幅回路の電気的特性の変動に伴う周波数変化を回路的に補償することができるので周波数温度特性に優れる小型の恒温槽型水晶発振器を容易に実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】周波数掃引する発振器が周波数掃引期間中正常に動作するか否かを安価に試験する。
【解決手段】磁気共鳴素子に磁界を印加し、その磁界の変化により発振周波数を掃引させる周波数掃引型発振器において、発振用トランジスタのエミッタ電流を測定するエミッタ電流測定手段３０を設け、周波数掃引期間中、このエミッタ電流測定手段でエミッタ電流の値を監視し、周波数掃引期間中エミッタ電流が大きく減少した場合は、この発振器を不良と判定する発振器の試験方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 圧電発振回路において、発振周波数の位相雑音特性が、電源電圧の低電圧化にともなって劣化することを防止するに好適な圧電発振回路を提供すること。
【解決手段】 圧電発振回路において、トランジスタのベースに流れるベース電流を決定づけるバイアス抵抗（ブリーダ抵抗）に対して、直列にコイルＬを挿入するよう構成する。電源電圧の低電圧化にともなってバイアス抵抗を小さな値に設計した場合においても、発振周波数領域においてバイアス抵抗部がコイルＬによってハイインピーダンスになる。このような作用によれば、回路損失が小さくですみ、発振回路の実効Ｑ値が低下しないから、信号純度の良好な発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）における周波数可変範囲を拡大する回路手段に関することにある。
【解決手段】 目的を達成するために、安価でしかも広範囲な周波数可変が出来るような回路構成を実現するために、発振回路に接続された圧電振動子と可変容量ダイオードと、インダクタンスと容量を並列接続した回路網とを直列に配置し電圧に対する周波数可変範囲を拡大したことで課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】出力高調波が少なく安定性が高いフィルタ帰還型の特性を有し、発振周波数を広い範囲で制御することができる発振回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０の出力は、周波数特性の異なる２つのバンドパスフィルタ１３、１４に分配回路１１により所定の比率に分配されて供給される。バンドパスフィルタ１３、１４の出力は加算回路１５により加算される。さらに、この加算後の出力は増幅回路１０の入力に帰還され、この増幅回路１０により増幅される。このような処理により、増幅回路１０の出力の一部が入力側に正帰還され、所定周波数の信号の増幅が繰り返されて、所定周波数にて発振する出力信号Ｖoutが生成される。このとき、制御回路１２により、前記分配回路１１によって分配される前記所定の比率を変更することにより、出力信号Ｖoutの発振周波数が制御される。 （もっと読む）