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Fターム[5J081DD03]の内容

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Fターム[5J081DD03]に分類される特許

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【課題】 従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供する。
【解決手段】 発振装置10は、電圧制御型発振器1と、制御電圧供給回路2とを備える。電圧制御型発振器1は、入力電圧Vinのビット数に対応して3個の可変容量ダイオード141〜143を含み、可変容量ダイオード141〜143は、ノードN4,N5間に並列に接続される。制御電圧供給回路2は、3ビット[A3A2A1]からなる入力電圧Vinに基づいて、3個の可変容量ダイオード141〜143の3個の容量の和が入力電圧Vinに比例するように制御電圧VCTL1,VCTL2,VCTL3を決定し、その決定した制御電圧をそれぞれ可変容量ダイオード141〜143へ供給する。 (もっと読む)


【課題】 発振トランジスタ側の負性抵抗を周波数が離れた2つの周波数帯でも十分に得られるようにして、何れの周波数帯でも安定して発振させる
【解決手段】 発振トランジスタ20のベース−コレクタ間に介挿される共振回路26は周波数が異なる2つの周波数帯に対応して共振周波数が切り替えられるように構成され、ベース−エミッタ間に介挿される第1の帰還手段24又はエミッタ−コレクタ間に介挿される第2の帰還手段25の少なくとも一方を3個のリアクタンス素子を直並列に接続して2つの周波数帯で共に誘導性又は容量性を呈するように構成すると共に、帰還手段の他方を2つの周波数帯で一方の帰還手段と同じく誘導性又は容量性とし、2つの周波数帯で発振させた。 (もっと読む)


【課題】 入力インピーダンスが負となる周波数範囲を縮小することができる負性抵抗入力増幅回路、及びこれを用いた発振回路を提供する。
【解決手段】 トランジスタTr1と、所定周波数fにおける波長λの1/4の長さを有し、トランジスタTr1のコレクタに一端が接続され、他端が開放されたマイクロストリップライン4と、トランジスタTr1のコレクタと直流電源5との間に接続された抵抗R1と、トランジスタTr1のエミッタとグラウンドとの間に接続され、周波数fの信号に対してインピーダンスが最大になるマイクロストリップライン6とを備え、トランジスタTr1のベースが外部から信号を受信するための信号入力部として用いられ、トランジスタTr1のエミッタが外部へ信号を出力する外部出力端子8に接続されるようにした。そして、信号入力部には、周波数fの信号を反射する共振器12を接続した。 (もっと読む)


本発明は、容量性負荷を生成するための、共振器手段(102)と、この共振器手段に対称的に結合され、容量性負荷を提供する別のエミッタフォロワ(120、122)に接続された第1および第2のエミッタフォロワ(116、118)とを備える発振器回路に関する。
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【課題】 インダクタを大型化することなくそのQ値を高める。
【解決手段】 積層された複数の絶縁層における所定の層上にコイルパターンが形成されたインダクタであって、少なくとも2つの絶縁層上にコイルパターンが形成されるとともに各コイルパターン同士が電気的に接続されている。 (もっと読む)


p型半導体基板2中にnウェル3を形成する。p型半導体基板2およびnウェル3にゲート絶縁膜4を形成し、ゲート絶縁膜4上にゲート電極6を形成する。p型半導体基板2、nウェル3および両者をまたぐ領域の表面にゲート絶縁膜4と隣接して高濃度のn型不純物が選択的に拡散されたソース層8が形成される。また、このソース層8と離間して、高濃度のp型不純物が選択的に拡散されたコンタクト層11が形成される。ソース層8とゲート電極6との間に端子間電圧VTを印加することにより、端子間電圧VTに対して広範囲で線形性の良い容量特性を得ることができる。端子間電圧VTに対して広範囲で線形性の良い特性を得られ、VCO回路等の性能改善に寄与すると共に、構造が簡単でマスクおよび工程の追加の必要なく製造できる、MOS型可変容量素子を提供することができる。
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【課題】出力インピーダンスの調整が容易に行なうことができ、高調波成分の抑制も容易に実現することが可能とした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】共振周波数帯域を異なる2つの帯域に切り換えるためのシフト回路を含む共振回路部Xと負性抵抗回路部Yと増幅回路部Zとから構成される電圧制御発振回路において、前記増幅回路部Zの増幅用トランジスタのコレクタ端子と接地電位との間に、ストリップ線路L2と第1のコンデンサC9とが並列に接続された並列回路部Hを配置するとともに、前記増幅用トランジスタのコレクタ端子C9と前記出力端子OUTPUTとの間に、第2のコンデンサC10とインダクタ素子L3とが直列に接続された直列回路部Tを配置した。 (もっと読む)


【課題】 本発明が解決しようとする課題は、上記問題点を鑑みて発明されたものであって、トリプルプッシュ型発振回路を安定に動作させる技術を提供することにある。
【解決手段】 3つの発振トランジスタで構成される、トリプルプッシュ型発振回路において、発振トランジスタのベース側の共振器接続点に抵抗と3分の1波長の線路からなる回路を接続し、トリプルプッシュ型の発振回路を安定に動作させることを特徴とするマイクロ波発振器。 (もっと読む)


【課題】クオリティファクタの低下が少ない可変インダクタ並びにそれを用いた発振器及び情報機器を提供すること。
【解決手段】主インダクタL1に対して相互インダクタンスMを介して磁気的に結合している副インダクタL2に、素子値が可変のリアクタンス素子例えば可変容量かからなるインダクタンス制御回路41を接続する。可変容量の容量値を変化させるための制御信号を入力するインダクタンス制御端子VLCをインダクタンス制御回路に設ける。制御信号によって容量値を変化させることによって主インダクタのインダクタンスを変える。 (もっと読む)


【課題】 発振周波数の調整が確実かつ容易であり、しかもその構成が比較的簡単であって組立作業も容易なマイクロ波発振器を提供する。
【解決手段】 マイクロストリップラインを共振器として、トランジスタ3のエミッタ端の容量性スタブ13、およびトランジスタ3の内部容量とを帰還容量とするマイクロ波発振器において、誘電体基板14の表面の一部に接地導体膜(GND面)17を形成するとともに、接地導体膜17上に所定の距離隔てた状態で該接地導体膜を跨ぐ橋形状に配置した帯状の金属片1配置してマイクロストリップライン共振器を構成し、金属片1と接地導体膜17との間に発振周波数を微調整する誘電体板2配置する。この誘電体板2をマイクロストリップライン共振器と交差する方向に移動することによりマイクロストリップライン共振器の実効長を変化させて発振周波数を微調整する。 (もっと読む)


【課題】 ノイズ発生が少なく、かつ低消費電力の発振器を提供する。
【解決手段】 交差接続した第1および第2のトランジスタを共振回路に接続した第1の発振回路と、交差接続した第3および第4のトランジスタを共振回路に接続した第2の発振回路とを備え、上記第1のトランジスタのコレクタ端子と第4のトランジスタのベース端子との間に連結用コンデンサおよび連結用抵抗が直列に接続され、上記第2のトランジスタのコレクタ端子と第3のトランジスタのベース端子との間に連結用コンデンサおよび連結用抵抗が直列に接続され、上記第3のトランジスタのコレクタ端子と第1のトランジスタのベース端子との間に連結用コンデンサおよび連結用抵抗が直列に接続され、上記第4のトランジスタのコレクタ端子と第2のトランジスタのベース端子との間に連結用コンデンサおよび連結用抵抗が直列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】水晶発振器に対する電源ノイズ等の同相の外来ノイズを除去するため、従来は1つの発振回路より1つの発振出力を得て、これを差動増幅アンプを用いて位相が180°異なる2つの発振出力にしていた。しかし、発振回路に発生する同相ノイズの除去は不可能であった。
【解決手段】本発明に於いては圧電振動子と第1及び第2の発振回路とを備えた圧電発振器であって、前記第1の発振回路の入力端と圧電振動子の一方の端子とが接続され、前記第2の発振回路の入力端と圧電振動子の他方の端子とが接続された構成を備えており、前記第1及び第2の発振回路の出力から互いに180゜位相の異なる発振出力を得るようにしたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】電源ノイズや温度特性により周波数シンセサイザの位相雑音の劣化や、電圧制御発振器の周波数温度変動が大きくなるという課題があった。
【解決手段】構成要素の電圧制御発振器1の共振部がインダクタ122a、122bと周波数制御用のMOSバリキャップ123a、123bと、周波数帯域切り替え用のMOSバリキャップ127a、127b、128a、128bから構成され、ゲート端子に固定電圧を入力することで周波数帯域を切り替えることにより行い、電圧制御発振器が非動作状態でゲート電位をバックゲート電位よりも高くする制御を行う。 (もっと読む)


【課題】 発振周波数近傍における位相雑音特性を改善可能な発振回路を提供する。
【解決手段】 発振周波数を設定する共振回路1と、共振回路1の共振条件を整える負性抵抗回路2と、負性抵抗回路2の出力信号を増幅して発振信号Voutを外部に出力するバッファトランジスタQ2とを具備する発振回路であって、低位電源Vssに一端が接続されたバイパスコンデンサC9と、バイパスコンデンサC9の他端に一端が接続され、バッファトランジスタQ2のベースに他端が接続された第1利得調整用抵抗R5とを備える。 (もっと読む)


【課題】 生産コストの増大を防ぎ、かつ、誘電体共振器の共振周波数の温度特性を安定させることが可能な誘電体共振器の実装構造ならびにそれを備えた誘電体発振器、低雑音ダウンコンバータおよびトランスミッタを提供する。
【解決手段】 誘電体共振器の実装構造は、基板101と、誘電体共振器110とを備え、基板101に貫通孔109が形成され、誘電体共振器110が実装される基板101の実装面における貫通孔109の断面が、誘電体共振器110が実装される領域の一部である。 (もっと読む)


【課題】 ノイズを広帯域に亘って除去することにより、電圧制御発振器の出力信号の品質を高める。
【解決手段】 動作電圧が与えられる電源端子Vccと、制御電圧が与えられる制御端子Vtと、制御電圧に応じた発振周波数の信号を出力する出力端子Poとを備え、電源端子Vccには互いに自己共振周波数の異なる2つのバイパスコンデンサCvcc1,Cvcc2が並列接続されており、制御端子Vtには互いに自己共振周波数の異なる2つのバイパスコンデンサCvt1,Cvt2が並列接続されている。これにより、動作電圧や制御電圧に重畳しているノイズを広帯域に亘り除去されることから、出力信号の品質(C/N特性)を向上させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 異なる周波数を発振することのできる発振回路を、簡単な構成で具現化することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】 発振回路は、エミッタが接地されている第1トランジスタと、エミッタが接地されている第2トランジスタと、一端が第1トランジスタのベースに接続されており、他端が第2トランジスタのコレクタに接続されており、両端間にコンデンサが介在している第1伝送線路と、一端が第2トランジスタのベースに接続されており、他端が第1トランジスタのコレクタに接続されており、両端間にコンデンサが介在している第2伝送線路とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 負性抵抗の減少を抑制することを目的とし、また、発振周波数付近で負性抵抗を選択的に増大させること。
【解決手段】 増幅器の出力から入力への帰還によって発振を行う発振回路において、発振回路が通常備える発振のための第1の帰還とは別に、振幅及び位相推移を行う第2の帰還の2重帰還を行うことによって、発振回路の負性抵抗を所望の周波数で増加させると共に、等価リアクタンス成分を調整する。発振回路は、コルピッツ発振回路が備える負性抵抗を生成する第1の帰還回路と、コルピッツ発振回路の発振段トランジスタのエミッタ端子からベース端子に電流帰還する第2の帰還回路とによって構成することができる。エミッタ端子からベース端子への電流帰還は帰還容量を介して行う。 (もっと読む)


【課題】 共通の発振トランジスタ及び共振回路によって、ハイバンド受信用の局部発振周波数帯域とローバンド受信用の局部発振周波数帯域とをカバーする。
【解決手段】 発振トランジスタ11、12を内部に構成すると共に、発振トランジスタ11、12のベースとコレクタとにそれぞれ結合された第1及び第2の端子10a、10bを有する集積回路10と、集積回路10の外部に設けられ、第1及び第2の端子10a、10b間に結合される共振回路30とを備え、集積回路10内には各端子10a、10bにカソードが接続され、アノードが接地された静電破壊防止用の保護ダイオード19、20を設け、保護ダイオード19、20のカソードには、VHFローバンド受信時に電圧を印加せず、ハイバンド受信時に逆バイアス用の電圧を印加した。 (もっと読む)


【課題】 発振周波数の初期設定を複数のヒューズの導通・溶断により行う簡素な構造の電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 電圧制御発振器の共振回路11には共振周波数調整回路13が備えられている。共振周波数調整回路13は、バラクタダイオードVDのカソードと接地との間に直列接続されるコイルL11〜L13および高周波接地用コンデンサC13と、コイルL11,L12の接続点に接続するヒューズF11、ヒューズF11と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサC11およびツェナーダイオードZD11と、コイルL12,L13の接続点に接続するヒューズF12、ヒューズF12と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサC12およびツェナーダイオードZD12と、からなる。ツェナーダイオードZD11,ZD12はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子5から調整用電圧が印加される。 (もっと読む)


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