【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】反射係数が高くかつ温度係数の低い弾性波素子を提供する。
【解決手段】
ＳＡＷ素子１は、圧電基板１と、圧電基板１の上面３ａに配置されたＩＤＴ電極５と、ＩＤＴ電極５の上面に配置された絶縁材料からなるスペーサー１８と、スペーサー１８の上面に配置された付加膜９と、付加膜９が配置されたＩＤＴ電極５を圧電基板１のうちＩＤＴ電極５から露出する部分とともに覆い、上面３ａからの厚みが圧電基板１の上面３ａから付加膜９の上面までの厚み以上であるＳｉＯ_２からなる絶縁層１１とを有する。付加膜９は、ＩＤＴ電極５の材料，スペーサーの材料１８およびＳｉＯ_２よりも音響インピーダンスが大きく、スペーサー１８よりも密度が大きく、かつＩＤＴ電極５の材料およびＳｉＯ_２よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによって、ガスの状態の計測を行う用途において、加熱部分と温度計測を行う弾性表面波の周回領域の位置的なズレによる計測精度の低下を抑制した球状弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】球状弾性表面波素子１０は、樽型形状の圧電性結晶基材１１と、この基材１１の弾性表面波周回径路１２上に形成されたすだれ状電極１３および加熱用配線パターン１４とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによって、ガスの状態の計測を行う用途において、球形基材の大きな熱容量による応答速度の低下、あるいは加熱部分と温度計測を行う弾性表面波の周回領域の位置的なズレによる計測精度の低下をもたらさない発熱機能を備えた球状弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】球状弾性表面波素子１０は、樽型形状の圧電性結晶基材１１と、この基材１１の弾性表面波周回径路１２上に形成されたすだれ状電極１３と、上記基材１１の周回径路１２を挟む両極の平坦面に形成された加熱電極膜１４および弾性表面波励起検出用電極取り出し部１５とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子の製造工程中における反りや基板の剥がれを抑制することができる弾性表面波素子用基板及び弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）圧電基板１２と、（ｂ）一方の主面１４ａが圧電基板１２の一方の主面１２ｂと貼り合わせられ、圧電基板１２の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板１４とを備える。支持基板１４の一方の主面１４ａは、圧電基板１２の一方の主面１２ｂよりも大きい。支持基板１４と圧電基板１２との貼り合わせ面に垂直な方向から透視すると、支持基板１４の内側に圧電基板１２が配置され、支持基板１４は、圧電基板１２の外側を取り囲むはみ出し部分１３を有する。 （もっと読む）

【課題】
移動体通信分野で使用できるＯＦＤＭシステム用ＳＡＷチャープＺ変換を実現する。
【解決手段】
ダウンチャープ特性を有するＳＡＷチャープフィルタの前後にチャープ信号を発生させる電気回路が接続されたＳＡＷチャープＺ変換器から構成されるＯＦＤＭシステムでＳＡＷチャープフィルタの遅延時間がゼロ温度特性を有するＳＡＷチャープＺ変換を用いる。
【効果】以上のとおり、本発明のＳＡＷチャープＺ変換を用いたＯＦＤＭシステムは、移動体通信分野の信号処理に適用できる弾性表面波を用いてコンボリューションを行う遅延時間がゼロ温度特性を有するＳＡＷ分散型遅延線から構成されてなるＳＡＷチャープＺ変換を用いたＯＦＤＭシステムであり、その工業的価値は極めて高い。 （もっと読む）

本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも２基板と強誘電体層２とを含む界面音響波デバイス１に関するものである。強誘電体層は、第１電極３と第２電極４との間に配置され、かつ第１正偏向分域７と第２負偏向分域８とを含み、該第１と第２の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第１電極３と、強誘電体層２と、第２電極４とから成る集成体が、第１基板５と第２基板６との間に設けられていることを特徴とする。
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【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みＨ_１、酸化シリコン層の厚みＨ_２、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される（ｘ、ｙ）が、以下の式、ｙ≦０．７５０×ｘ＋０．３２５、ｙ≦−０．３００×ｘ＋１．６９０、ｙ≧−０．５００×ｘ＋０．９５０、ｙ≧０．７００×ｘ−０．６１０（ただし、ｘ＝２πＨ_１／λ、ｙ＝２πＨ_２／λ）をともに満たす範囲Ａ１内である。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１２と、圧電基板１２の表面に設けられた弾性波を励振する櫛型電極１４と、圧電基板１２の表面上に設けられた絶縁膜２６とを具備し、絶縁膜２６の厚さは圧電基板１２の厚さより大きく、絶縁膜２６の線膨張係数は弾性波の伝搬方向における圧電基板１２の線膨張係数より小さい弾性表面波デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】素子分離後の取り扱いが容易で欠陥の少ない弾性表面波素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電性材料からなる第１の基板１０１と第１の基板１０１とは異なる材料からなる第２の基板１０２とが積層された積層基板１０３と、第１の基板１０１上に形成された櫛形電極１０４とを備える。積層基板１０３の第１の基板１０１側の周縁部には、段差部１０６が形成されている。段差部は、第１の基板から第２の基板にわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
ＳＡＷデバイスは、圧電基板１２の主面にＩＤＴ１３及び反射器１４，１５を有しかつその裏面にヒータ電極１６を有するＳＡＷ素子１１を、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部１２ａで接着剤１７により片持ちに支持する。ヒータ電極１６は、ＳＡＷ素子の平面においてＩＤＴの位置よりもＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側に配置される。ＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側の反射器１５を、接着剤で浮かせたＳＡＷ素子の部分に配置することにより、ＩＤＴからより離すようにヒータ電極を配置することができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】すだれ状電極が外方に向いていなくても周波数調整を行える弾性表面波デバイスの製造方法、弾性表面波デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、圧電基板１２の一方の主面１２ａにすだれ状電極１４を形成した弾性表面波（ＳＡＷ）チップ１０を備えた弾性表面波デバイスに係るものである。そして弾性表面波デバイスの製造方法は、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂにおけるすだれ状電極（ＩＤＴ）１４に対向する位置に周波数調整膜３０を形成し、この形成により生じる応力によって前記圧電基板を歪ませて、周波数を調整している。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】伝搬経路の温度を正確に計測する。
【解決手段】球状弾性表面波素子１０は、すだれ状電極１２の形成位置とは異なる伝搬経路１１Ｓ上の位置に、Ｖ_Ｓ／Ｓ＝Ｎ・（Ｖ_Ｌ／２Ｌ）の関係式を満たすような細線間隔Ｌで、すだれ状電極１２と平行に細線パターン１３を形成している。但し、Ｖｓ：すだれ状電極の形成位置における弾性表面波の伝搬速度、ＶＬ：細線パターンの形成位置における弾性表面波の伝搬速度、Ｓ：すだれ状電極の電極周期、Ｌ：細線パターンの細線間隔、Ｎ：自然数である。 （もっと読む）

本発明は２つの表面波シングルゲートレゾネータと活性の電子回路との接続体から成る発振器回路に関する。２つのレゾネータは並列に接続されても直列に接続されてもよいが、高周波数の反共振または高周波数の共振が発生するようにする。ここで、例えばレゾネータに直列または並列に接続された個々のキャパシタンスが用いられ、インダクタンス素子が必要ない。各レゾネータはインターディジタルトランスデューサを含む。各インターディジタルトランスデューサのアパーチャ、フィンガ数、電極層の厚さなどの特性および伝搬方向は、接続体の温度‐位相特性の変化が他の素子の温度‐位相特性の異なる符号にともなって生じるように選定される。これは電子回路の負の差動抵抗の値を選定することによっても達成される。
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【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を安価に提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波または漏洩弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板とセラミック基板とを接着剤を介して貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の弾性表面波または漏洩弾性表面波の伝播方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

本発明は、ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、支持体基板（２）と、圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子に関している。前記層システム（３）は２つの基板（２，１）の間に配設されている。圧電基板（１）の厚さは最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しい。第２の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）が単結晶構造を有し、最大で５０λ分の厚さを有し、この場合前記λは、構成素子の中間周波数のもとでガイドされる体積波の波長である第３の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）は、機械的な手法によって薄膜化される。
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導波に適する層システム（9）を有する、案内された音響波により動作する構成素子が提供される。この層システムは、圧電層（1）、その上に配置された電極（3）および誘電層（2）を有し、誘電層は比較的低い音響インピーダンスZ_aoを備える。層システム（9）は、比較的音響インピーダンスZ_a2の高い調整層（32，51）を有し、Z_a2/Z_ao > 1.5である。調整層は少なくとも1つの間隔領域（55）においては圧電層（1）から離間されている。
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