電気音響的構成素子
本発明は、ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、支持体基板（２）と、圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子に関している。前記層システム（３）は２つの基板（２，１）の間に配設されている。圧電基板（１）の厚さは最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しい。第２の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）が単結晶構造を有し、最大で５０λ分の厚さを有し、この場合前記λは、構成素子の中間周波数のもとでガイドされる体積波の波長である第３の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）は、機械的な手法によって薄膜化される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気音響的構成素子、特にガイドされた体積波で動作する構成素子に関している。
【０００２】
ガイドされた体積波で動作する構成素子はドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３２５２８１号、米国特許公開第２００５／００９９０９１号, 米国特許第６０４６６５６号,国際公開第０１／２９９６４号パンフレット,国際公開第０３／０８８４７５号パンフレット、国際公開第０３／０８８４８２号パンフレットからも公知である。
【０００３】
本発明の課題は、その線形な熱膨張係数に関して良好な特性を備えた堅固な電気音響的構成素子を提供することである。
【０００４】
この電気音響的構成素子は、ガイドされたバルク弾性波(以下では単にＧＢＡＷ；Ｇｕｉｄｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅとも称する）に適した層システムと、支持体基板と、この支持体基板に対向する比較的薄い圧電基板とを備えている。前記層システムは２つの基板の間に配置されている。
【０００５】
圧電基板の厚さは第１の有利な実施形態によれば、最大で支持体基板の１／２の厚みである。
【０００６】
第２の有利な実施形態によれば、圧電基板は単結晶構造を有しており、その際最大で５０λ分の厚さ、有利な変化実施例によれば３０λ分の厚さを有している。この場合前記λとは、例えば当該構成素子の作動周波数又は中間周波数におけるガイドされたバルク弾性波ＧＢＡＷの波長である。
【０００７】
第３の有利な実施形態によれば、この圧電基板は機械的方法によって薄膜化される。この薄膜化とは、支持体基板、層システム及び圧電基板からなる層構造部の形成後の基板材料の一部の研削と理解されたい。圧電基板は有利な変化例によれば、５λ分の厚さまで薄膜化可能である。
【０００８】
支持体基板の材料としてはコスト的な理由から珪素が適している。この材料は当該構成素子の集積密度向上に対しても有利である。Ｓｉ結晶の結晶方向は１００または１１１が有利である。しかしながらその他に Ａｌ2Ｏ3， ガラス、（有機）プラスチック（例えばＦＲ４）も可能である。支持体基板はまた圧電特性を有していてもよい。（圧電基板と比較して）小さな熱膨張係数を有する材料は、支持体基板に適している。支持体基板の熱膨張係数は例えば圧電基板の熱膨張係数の少なくとも５０％の値であってもよい。
【０００９】
圧電基板とは、ここでは圧電特性を有する材料からなる基板と理解されたい。この圧電基板は有利には、単結晶から切削されている。単結晶として例えばＬｉＴａＯ３， ＬｉＮｂＯ3， ＺｎＯ， ＫＮｂＯ3， ＮａＫＮｂＯ3， 石英があげられるが、その他の圧電材料も可能である。この圧電基板は例えば切削角φ ｒｏｔ ＹＸ のＬｉＴａＯ3 からなっていてもよい。この場合前記切削角φは ７° ＜ φ ＜ ２４°である。有利な変化例では １２° ＜ φ ＜ ２１°である。基板として ＬｉＴａＯ3を有し前記のような切削角φを有する電気音響的構成素子は、電気的に広い帯域幅を実現することができる
以下では前述した構成素子の機能形式と有利な実施例を説明する。
【００１０】
構成素子構造部（すなわち変換器の電極）に印加される電気信号は圧電基板中の原子の変位を引き起こす。ここではバルク弾性波が励起され、これは水平面、特に誘電層とこの層の近傍に案内される。
【００１１】
ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）で動作する構成素子中の弾性波エネルギーは主にこの弾性波が励起される領域に集中し、このような構成素子の層構造部に対して垂直な両方向に向けて減衰する。この減衰は導波路構造、すなわち垂直方向における速度プロファイルによって達成される。その際に有利には弾性波の励起面近傍における薄膜層（誘電層）において最も低い伝播速度が生じる。この層は比較的高い弾性波伝播速度を有する基板間に配置されている。
【００１２】
ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）は層システムにおいて、ないしは圧電基板との境界面において励起され、この層システム内に導かれる。この層システムは、有利な変化実施例によれば、ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）を励起する素子構造部が形成されている金属化層を含み、弾性波の最低伝播速度を有する比較的薄い誘電層を含んでいる。
【００１３】
この誘電層は有利には二酸化珪素 ＳｉＯ2 からなる。それ故この二酸化珪素ＳｉＯ2は、誘電層のための材料としても有利である。なぜなら二酸化珪素の表面はダイレクトウエハボンディングに適しているからである。この二酸化珪素に対しては代替的に例えばＴｅＯ２も適している。誘電層に対する材料としては基本的には（材料層の音響インピーダンスに対して）比較的低い音響インピーダンスを有する任意の材料が考慮される。
【００１４】
誘電層の品質は、その光学的屈折率に基づいて評価され得る。有利には二酸化珪素 ＳｉＯ2 からなる誘電層の屈折率は、１．４４〜１．４８の間である。この誘電層の二酸化珪素ＳｉＯ2 は、有利には化学量論的である。
【００１５】
内部に形成される構成素子構造部を有する金属化層は有利には圧電基板上に直接配置される。この構成素子構造部は圧電基板と誘電層の間に埋め込まれる。
【００１６】
この金属化層は、高い導電性と比較的高い音響インピーダンスを有する唯一の層からなっている。金属化層は有利な変化実施例によれば複数の部分層を含み、これらの部分層のもとでは第１の部分層が高い導電性を有し、第２の部分層は高い音響インピーダンスを有する。この金属化層はＡＩからなる部分層を有し、さらに例えばＷ又はＰｔからなるさらなる部分層を有する。金属化層の部分層は基本的には金属、金属合金、またはその他の導波材料からなっていてもよい。
【００１７】
当該構成素子の典型的な基準面は ５００ｘ７００μｍ2である。当該構成素子全体の厚みは、変化例によれば約２００μmであり、さらに有利には１００λを超えることはない。しかしながら構成素子全体の厚みは、２００μmより小さくでもよい。
【００１８】
構成素子の層構造部においては温度変化が生じた場合に、2つの基板の線形の膨張係数が異なっていることに基づいて機械的な緊張が生じる。この緊張は圧電基板と総システムの境界面において特に大きくなり得る。
【００１９】
圧電基板の厚さは有利には次のように選定される。すなわち2つの基板の線形の膨張係数の相違に基づいて機械的な緊張が圧電基板の容積全体に広がり始めるように選定される。それにより圧電基板が支持体基板の膨張に追従し得る。それに伴って全構造部（以下では圧電基板とも称する）の線形の熱膨張係数が支持体基板の熱膨張係数に適合化され得る。
【００２０】
圧電基板の厚さは有利には３〜３０波長の間であり、有利な実施例によれば最大で７０μｍである。この圧電基板は層列の層の被着の際には比較的肉厚に存在し、その後の方法ステップにおいて前述したような値の厚さまで薄膜化されるようにしてもよい。
【００２１】
誘電層の形成に対しては、その弾性係数において圧電基板の弾性係数の温度経過特性に対抗する温度経過特性（ＴＣＦ）を有する材料を用いてもよい。その場合誘電層の温度変動特性は、そのつどの基板の温度経過特性が正の特性である場合には負の特性であり、これとは逆のケースでは反対になる。隣接層におけるＴＣＦが反対に設定されているならば、構成素子全体の温度経過特性を僅かに維持することができるようになる。
【００２２】
圧電基板と支持体基板の間に配設された層システムの層厚さは有利には誘電層の厚さと同じである。なぜなら金属化層の素子構造部が誘電層内に埋め込まれており、それらが有利には突出していないからである。この層厚さは０．１λ〜１λの間、有利には０．１５λ〜０．５λの間であるか若しくは０．３〜１μｍの間である。支持体基板と層システムを合わせた全体の厚さは、有利には１００波長若しくは２００μｍを超えない。
【００２３】
前述したような基板と層システムに対する厚さを用いることによって、構成素子の僅かな温度経過特性、有利な変化実施例によれば|ＴＣＦ|＜４０ｐｐｍ／Ｋを達成することが可能となる。それにより幅広い温度範囲に亘って構成素子の安定した電気的特性が補償されるようになる。
【００２４】
（外側に向かって）露出する圧電基板裏側は、有利には広範に亘って金属化される。この金属化部は有利にはアースと接続され、 当該構成素子構造部に対する電磁波遮蔽部として用いられる。この金属化部においては構成素子の端子として設けられる金属面及び／又は構成素子のラベルが形成されてもよい。
【００２５】
支持体基板内には有利には複数の貫通コンタクトが形成され、それらの支持体基板表面に配設されている端子がコンタクト面に導通接続されている。これらの貫通コンタクトは、管路（場合によってはテーパー状の断面を有する）として、ないしはその内壁が金属化されている開口部として形成されてもよい。また貫通コンタクトのために設けられる支持体基板の開口部は、金属で充填されていてもよい。
【００２６】
前述した構成素子は例えば以下の方法において生成され得る。まず第１のウエハ（例えばＬｉＴａＯ3-ウエハ）を準備する。このウエハは複数の構成素子ないし構成素子領域に複数の圧電基板を同時に形成するのに適している。そして第２のウエハ(例えばＳｉ-ウエハ）を準備する。このウエハは支持体基板を形成するのに適している。構成素子領域のために設けられたそれぞれの基板の領域は、有利には規則的なマトリックスを形成している。
【００２７】
第１のウエハ上には構成素子領域毎に有利にはフォトリソグラフィックな素子構造部、特に電気音響的変換器が形成され、これらに接続されたコンタクト面と導通される。これらの素子構造部を支持している圧電基板の表面には、広い範囲に亘って誘電層、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で若しくはスパッタリングを用いて被着されている。
【００２８】
この誘電層は、有利な変化実施例によれば、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化される。このＣＭＰ法とは化学的機械的研磨法である。
【００２９】
有利には、誘電層は例えば素子構造部の周波数状態を変更するために薄膜化されてもよい。このことは平坦化ステップにおいて行ってもよい。素子構造部に周波数状態ないしは誘電層の層厚さは、この場合次のように設定される。すなわち第２のウエハとの接続の後で当該構成素子のために設けられた周波数状態が結果として得られるように設定される。
【００３０】
第１のウエハはここにおいて第２のウエハと例えばダイレクトウエハボンディングによって接続される。このウエハボンディングは有利には比較的低い温度のもとで、例えば室内温度のもとで実施される。その際には個別化される素子領域を備えた結合ウエハが形成される。
【００３１】
全ウエハの第１のウエハ側は薄膜化されてもよい。この全ウエハの圧電基板側は、分離ラインに沿って、すなわち素子領域間で少なくとも支持体基板までＶ字状に切削される。その場合有利には支持体基板も所定の深さまで切削される。その際特に圧電基板と層システムの傾斜エッジが形成され、それが（フラットな）圧電基板裏側と共に金属化され、さらに気密にカプセル化される。これによって当該構成素子の素子構造部が腐食から保護され、さらに外部電磁界から遮蔽される。
【００３２】
支持体基板の側では例えばエッチングとその後の開口部（コンタクト用孔部）の金属化によって、コンタクト面とコンタクトするための貫通コンタクトが形成される。有利には同じ方法ステップにおいて当該構成素子の外部端子が第２のウエハの外方に向いた表面に形成される。
【００３３】
支持体基板としては、圧電基板とのボンディングのための事前形成されたコンタクト孔部を備えた薄いＳｉウエハが使用されてもよい。この支持体基板内若しくはその表面上には、事前形成された例えばダイオードやトランジスタのような半導体構造部が形成されてもよい。
【００３４】
有利な実施形態によれば、圧電基板は層システムとカバー基板の間に配置してもよい。このカバー基板は支持体基板と比肩し得る物理的な特性、例えば弾性係数の温度経過特性を有している。有利には圧電基板は２つの基板（支持体基板とカバー基板）の間に配置され、それらの両方は圧電基板の弾性係数の温度経過特性に対して対抗的に設定され得る特性を有するか及び／又は圧電基板よりも小さい膨張係数を有する。
【００３５】
圧電基板の厚さは有利にはカバー基板の厚さよりも小さい。その場合有利には圧電基板の厚さはカバー基板と支持体基板を合わせた総厚さよりも小さくなるように選定される。例えば圧電基板の厚さは、カバー基板の厚さと支持体基板の厚さを合わせた和の半分になるように選定されてもよい。
【００３６】
カバー基板に対する材料としては例えばガラス、珪素、酸化珪素などが適している。また有利にはカバー基板と支持体基板に対してダイレクトウエハボンディングに適した有利には同じ材料が用いられ得る。
【００３７】
カバー基板の露出した表面は例えば電気的な遮蔽及び／又は電気的な接続の形成のために金属化されてもよい。また別の側面からは次のような手段、すなわちカバー基板が、前記支持体基板と一緒に説明したような構造的特性、例えばコンタクト孔部や集積された半導体構造部を有するようにしてもよい。これらのコンタクト孔部はこのケースでは有利にはカバー基板と圧電基板を通って層システム内に含まれる金属化層まで貫通される。
【００３８】
圧電基板とカバー基板の間には基本的に金属化層が設けられ得る。例えばコンタクト面において、及び場合によって弾性波の生成とガイドに適した電気音響的構成素子構造部が形成される。さらに介在層も可能である。
【００３９】
さらなる変化実施例によれば、第１のウエハとして存在する支持体基板、層システム、場合によって圧電基板の結合部が第２のウエハとして存在するカバー基板に接続され得る。
【００４０】
さらに別の変化実施例によれば、圧電基板をまずカバー基板に接続させるかないしはボンディングさせ、このカバー基板に対向している圧電基板側に、既に前述した層システムを形成することも可能である。それと共に生じるウエハは、支持体基板として設けられたウエハと接続され、例えばボンディングされる。この圧電基板は層システムの被着の前に有利には薄膜化され、その表面は研磨される。それらは構成素子構造部（変換器、コンタクト面、電気的接続部）の被着に適している。
【００４１】
以下では本発明による構成素子とその製造方法を概略的な図面に基づいて詳細に説明する。なおこれらの図面は必ずしも縮尺通りのものではない。
【００４２】
図面
図１Ａから図１Ｇは本発明よる製造方法の方法ステップを表した図であり、
図２は支持体基板とカバー層基板を有するＧＢＡＷ構成素子の基本的構造を概略的に表した図である。
【００４３】
実施例
ガイドされたバルク弾性波（以下ではガイドバルク弾性波若しくは単にＧＢＡＷとも称する）で動作する素子は図１Ｇに示されている。圧電性の圧電基板１と明らかに厚い支持体基板２の間には層システム３が配設されている。圧電基板の僅かな厚さに比べて支持体基板の厚さは有利には、当該構成素子の機械的安定が十分となるように選定される。
【００４４】
支持体基板２は有利には圧電基板１のものよりも小さな熱膨張係数を有している。
【００４５】
第１及び支持体基板の厚さは、変化例において５０μｍ〜１５０μｍである。層システムの厚さは変化例において０．６μｍである。
【００４６】
層システム３は（上方から下方への方向で見て）圧電基板１に配設される金属化層３１を含んでいる。この金属化層３１は構造化されており、さらに電気音響的に活性化される素子構造部４２、例えば変換器を含んでおり、さらにこれらと接続されるコンタクト面４１を有している。金属化層３１の構造部４１，４２は、圧電基板１と誘電層３２、例えばＳｉＯ2からなる誘電層の間でカプセル化される。
【００４７】
圧電基板１は有利には例えばＬｉＴａＯ3からなり圧電性である。これは別の変化実施例ではＬｉＴａＯ3 αｒｏｔＹＸからなり、この場合前記αは、１５°＜α＜２０°である。支持体基板１は有利には高抵抗な珪素からなる。音響速度は前記基板１，２内では明らかであり、例えば誘電層内の音響速度よりも少なくとも２０％は高い。
【００４８】
支持体基板２と誘電層３２の接合部には、露出されたコンタクト面４１を有するコンタクト孔部２０が設けられている。コンタクト孔部２０の領域には金属化部６０が設けられており、この金属化部６０はコンタクト孔部の内壁とコンタクト面の開放側領域を覆っている。さらに金属化部６０の一部は、支持体基板２の下方側に配設され、外部端子６１を形成している。
【００４９】
図１Ａには第１のウエハが示されている。この第１のウエハの製造の際には第１の基板１上にまず構造化された金属化層３１が被着される。この圧電基板１の上では金属化層３１の上に誘電層３２が被着される。
【００５０】
誘電層３２は有利には平坦化される。次のステップ（図１Ｂ）では特にコンタクト面４１を少なくとも部分的に露出させるために誘電層３２の一部領域３２０がエッチングによって除去される。それにより当該構成素子領域の電気的なパラメータを測定することが可能となる。このパラメータの実際値が目標値からずれている場合には、層システムがこの学習に基づいて一方では電気的にそして他方では機械的に後調整される。電気的な調整の際には、例えばここでは図示されていない調整構造部と素子構造部の電気的インピーダンスが変更される。機械的な調整の際には、誘電層が薄膜化される。
【００５１】
次のステップとして第１のウエハ１，３が第２のウエハないし支持体基板２と有利にはダイレクトウエハボンディングによって接続される（図１Ｃ参照）。図１Ｃでは波線によって圧電基板が薄膜化される様子が表されている。
【００５２】
圧電基板（これは通常は支持体基板よりも高い熱膨張係数を有している）の薄膜化によって構成素子全体の熱膨張係数は改善される。またＳｉ及びＬｉＴａＯ3からなる基板が組み合わされているケースでは温度経過特性も同じように改善される。
【００５３】
図１Ａ〜図１Ｃによる描写と、図１Ｄ〜図１Ｇによる描写は、１８０°回転させて位置をいれかえたものであり、そのため図１Ｄ〜図１Ｇにおいては支持体基板２が下になり、そして圧電基板１は上になっている。
【００５４】
図１Ｄの圧電基板１は既に薄膜化されている。図１Ｄにおいては波線によって、圧電基板１のエッジと層システム３のエッジ、さらに支持体基板２の一部のエッジが例えば２つの素子領域の間Ｖ字形の切削によって斜めに切り落とされている様子が表されている。
【００５５】
圧電基板の裏側と、特に図１Ｄにおいて層システム３と基板１，２の間のまだ開放されていた端面が金属化され（図１Ｅの金属化層５）、それによって有害な周辺環境の影響から遮蔽される。
【００５６】
支持体基板２において、有利には斜めに切り落とされた壁部を有するコンタクト孔部２０が形成される（図１Ｆ）。このコンタクト孔部２０は、この場合誘電層の開口領域内へ開口している。
【００５７】
それによりコンタクト面が再び露出する。支持体基板の表面の一部と、コンタクト孔部２０の内壁、及びコンタクト面４１の露出領域には、金属化部６０，６１が被着される。
【００５８】
図２にはＧＢＡＷ構成素子が示されており、これは図１Ｇに示されている変化実施例と異なって付加的にカバー基板７を有している。このカバー基板７は圧電基板１よりも厚い。
【００５９】
この場合基板２，７の膨張係数は圧電基板１の膨張係数よりも小さい。この基板２，７は有利には同じ材料からなり、それらの膨張特性が、これらの基板の総厚さが圧電基板１の厚さよりも大きいことに基づいて実質的に当該構成素子全体の温度経過特性を定めている。それにより構成素子全体の熱膨張特性を僅かに保つことが達成される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｂ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｃ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｄ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｅ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｆ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｇ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図２】支持体基板とカバー層基板を有するＧＢＡＷ構成素子の基本的構造を概略的に表した図
【符号の説明】
【００６１】
１ 第１の基板
２ 第２の基板
２０ コンタクト孔部
３ 層システム
３１ 層システムの金属化層
３２ 誘電層
３２０ 誘電層内の開口部
４１ コンタクト面
４２ 素子構造部（変換器）
５ 第１の基板裏側の金属化層
６０ コンタクト孔部の金属化部
６１ 外部端子
７ カバー基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気音響的構成素子、特にガイドされた体積波で動作する構成素子に関している。
【０００２】
ガイドされた体積波で動作する構成素子はドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３２５２８１号、米国特許公開第２００５／００９９０９１号, 米国特許第６０４６６５６号,国際公開第０１／２９９６４号パンフレット,国際公開第０３／０８８４７５号パンフレット、国際公開第０３／０８８４８２号パンフレットからも公知である。
【０００３】
本発明の課題は、その線形な熱膨張係数に関して良好な特性を備えた堅固な電気音響的構成素子を提供することである。
【０００４】
この電気音響的構成素子は、ガイドされたバルク弾性波(以下では単にＧＢＡＷ；Ｇｕｉｄｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅとも称する）に適した層システムと、支持体基板と、この支持体基板に対向する比較的薄い圧電基板とを備えている。前記層システムは２つの基板の間に配置されている。
【０００５】
圧電基板の厚さは第１の有利な実施形態によれば、最大で支持体基板の１／２の厚みである。
【０００６】
第２の有利な実施形態によれば、圧電基板は単結晶構造を有しており、その際最大で５０λ分の厚さ、有利な変化実施例によれば３０λ分の厚さを有している。この場合前記λとは、例えば当該構成素子の作動周波数又は中間周波数におけるガイドされたバルク弾性波ＧＢＡＷの波長である。
【０００７】
第３の有利な実施形態によれば、この圧電基板は機械的方法によって薄膜化される。この薄膜化とは、支持体基板、層システム及び圧電基板からなる層構造部の形成後の基板材料の一部の研削と理解されたい。圧電基板は有利な変化例によれば、５λ分の厚さまで薄膜化可能である。
【０００８】
支持体基板の材料としてはコスト的な理由から珪素が適している。この材料は当該構成素子の集積密度向上に対しても有利である。Ｓｉ結晶の結晶方向は１００または１１１が有利である。しかしながらその他に Ａｌ2Ｏ3， ガラス、（有機）プラスチック（例えばＦＲ４）も可能である。支持体基板はまた圧電特性を有していてもよい。（圧電基板と比較して）小さな熱膨張係数を有する材料は、支持体基板に適している。支持体基板の熱膨張係数は例えば圧電基板の熱膨張係数の少なくとも５０％の値であってもよい。
【０００９】
圧電基板とは、ここでは圧電特性を有する材料からなる基板と理解されたい。この圧電基板は有利には、単結晶から切削されている。単結晶として例えばＬｉＴａＯ３， ＬｉＮｂＯ3， ＺｎＯ， ＫＮｂＯ3， ＮａＫＮｂＯ3， 石英があげられるが、その他の圧電材料も可能である。この圧電基板は例えば切削角φ ｒｏｔ ＹＸ のＬｉＴａＯ3 からなっていてもよい。この場合前記切削角φは ７° ＜ φ ＜ ２４°である。有利な変化例では １２° ＜ φ ＜ ２１°である。基板として ＬｉＴａＯ3を有し前記のような切削角φを有する電気音響的構成素子は、電気的に広い帯域幅を実現することができる
以下では前述した構成素子の機能形式と有利な実施例を説明する。
【００１０】
構成素子構造部（すなわち変換器の電極）に印加される電気信号は圧電基板中の原子の変位を引き起こす。ここではバルク弾性波が励起され、これは水平面、特に誘電層とこの層の近傍に案内される。
【００１１】
ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）で動作する構成素子中の弾性波エネルギーは主にこの弾性波が励起される領域に集中し、このような構成素子の層構造部に対して垂直な両方向に向けて減衰する。この減衰は導波路構造、すなわち垂直方向における速度プロファイルによって達成される。その際に有利には弾性波の励起面近傍における薄膜層（誘電層）において最も低い伝播速度が生じる。この層は比較的高い弾性波伝播速度を有する基板間に配置されている。
【００１２】
ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）は層システムにおいて、ないしは圧電基板との境界面において励起され、この層システム内に導かれる。この層システムは、有利な変化実施例によれば、ガイドされたバルク弾性波（ＧＢＡＷ）を励起する素子構造部が形成されている金属化層を含み、弾性波の最低伝播速度を有する比較的薄い誘電層を含んでいる。
【００１３】
この誘電層は有利には二酸化珪素 ＳｉＯ2 からなる。それ故この二酸化珪素ＳｉＯ2は、誘電層のための材料としても有利である。なぜなら二酸化珪素の表面はダイレクトウエハボンディングに適しているからである。この二酸化珪素に対しては代替的に例えばＴｅＯ２も適している。誘電層に対する材料としては基本的には（材料層の音響インピーダンスに対して）比較的低い音響インピーダンスを有する任意の材料が考慮される。
【００１４】
誘電層の品質は、その光学的屈折率に基づいて評価され得る。有利には二酸化珪素 ＳｉＯ2 からなる誘電層の屈折率は、１．４４〜１．４８の間である。この誘電層の二酸化珪素ＳｉＯ2 は、有利には化学量論的である。
【００１５】
内部に形成される構成素子構造部を有する金属化層は有利には圧電基板上に直接配置される。この構成素子構造部は圧電基板と誘電層の間に埋め込まれる。
【００１６】
この金属化層は、高い導電性と比較的高い音響インピーダンスを有する唯一の層からなっている。金属化層は有利な変化実施例によれば複数の部分層を含み、これらの部分層のもとでは第１の部分層が高い導電性を有し、第２の部分層は高い音響インピーダンスを有する。この金属化層はＡＩからなる部分層を有し、さらに例えばＷ又はＰｔからなるさらなる部分層を有する。金属化層の部分層は基本的には金属、金属合金、またはその他の導波材料からなっていてもよい。
【００１７】
当該構成素子の典型的な基準面は ５００ｘ７００μｍ2である。当該構成素子全体の厚みは、変化例によれば約２００μmであり、さらに有利には１００λを超えることはない。しかしながら構成素子全体の厚みは、２００μmより小さくでもよい。
【００１８】
構成素子の層構造部においては温度変化が生じた場合に、2つの基板の線形の膨張係数が異なっていることに基づいて機械的な緊張が生じる。この緊張は圧電基板と総システムの境界面において特に大きくなり得る。
【００１９】
圧電基板の厚さは有利には次のように選定される。すなわち2つの基板の線形の膨張係数の相違に基づいて機械的な緊張が圧電基板の容積全体に広がり始めるように選定される。それにより圧電基板が支持体基板の膨張に追従し得る。それに伴って全構造部（以下では圧電基板とも称する）の線形の熱膨張係数が支持体基板の熱膨張係数に適合化され得る。
【００２０】
圧電基板の厚さは有利には３〜３０波長の間であり、有利な実施例によれば最大で７０μｍである。この圧電基板は層列の層の被着の際には比較的肉厚に存在し、その後の方法ステップにおいて前述したような値の厚さまで薄膜化されるようにしてもよい。
【００２１】
誘電層の形成に対しては、その弾性係数において圧電基板の弾性係数の温度経過特性に対抗する温度経過特性（ＴＣＦ）を有する材料を用いてもよい。その場合誘電層の温度変動特性は、そのつどの基板の温度経過特性が正の特性である場合には負の特性であり、これとは逆のケースでは反対になる。隣接層におけるＴＣＦが反対に設定されているならば、構成素子全体の温度経過特性を僅かに維持することができるようになる。
【００２２】
圧電基板と支持体基板の間に配設された層システムの層厚さは有利には誘電層の厚さと同じである。なぜなら金属化層の素子構造部が誘電層内に埋め込まれており、それらが有利には突出していないからである。この層厚さは０．１λ〜１λの間、有利には０．１５λ〜０．５λの間であるか若しくは０．３〜１μｍの間である。支持体基板と層システムを合わせた全体の厚さは、有利には１００波長若しくは２００μｍを超えない。
【００２３】
前述したような基板と層システムに対する厚さを用いることによって、構成素子の僅かな温度経過特性、有利な変化実施例によれば|ＴＣＦ|＜４０ｐｐｍ／Ｋを達成することが可能となる。それにより幅広い温度範囲に亘って構成素子の安定した電気的特性が補償されるようになる。
【００２４】
（外側に向かって）露出する圧電基板裏側は、有利には広範に亘って金属化される。この金属化部は有利にはアースと接続され、 当該構成素子構造部に対する電磁波遮蔽部として用いられる。この金属化部においては構成素子の端子として設けられる金属面及び／又は構成素子のラベルが形成されてもよい。
【００２５】
支持体基板内には有利には複数の貫通コンタクトが形成され、それらの支持体基板表面に配設されている端子がコンタクト面に導通接続されている。これらの貫通コンタクトは、管路（場合によってはテーパー状の断面を有する）として、ないしはその内壁が金属化されている開口部として形成されてもよい。また貫通コンタクトのために設けられる支持体基板の開口部は、金属で充填されていてもよい。
【００２６】
前述した構成素子は例えば以下の方法において生成され得る。まず第１のウエハ（例えばＬｉＴａＯ3-ウエハ）を準備する。このウエハは複数の構成素子ないし構成素子領域に複数の圧電基板を同時に形成するのに適している。そして第２のウエハ(例えばＳｉ-ウエハ）を準備する。このウエハは支持体基板を形成するのに適している。構成素子領域のために設けられたそれぞれの基板の領域は、有利には規則的なマトリックスを形成している。
【００２７】
第１のウエハ上には構成素子領域毎に有利にはフォトリソグラフィックな素子構造部、特に電気音響的変換器が形成され、これらに接続されたコンタクト面と導通される。これらの素子構造部を支持している圧電基板の表面には、広い範囲に亘って誘電層、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で若しくはスパッタリングを用いて被着されている。
【００２８】
この誘電層は、有利な変化実施例によれば、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化される。このＣＭＰ法とは化学的機械的研磨法である。
【００２９】
有利には、誘電層は例えば素子構造部の周波数状態を変更するために薄膜化されてもよい。このことは平坦化ステップにおいて行ってもよい。素子構造部に周波数状態ないしは誘電層の層厚さは、この場合次のように設定される。すなわち第２のウエハとの接続の後で当該構成素子のために設けられた周波数状態が結果として得られるように設定される。
【００３０】
第１のウエハはここにおいて第２のウエハと例えばダイレクトウエハボンディングによって接続される。このウエハボンディングは有利には比較的低い温度のもとで、例えば室内温度のもとで実施される。その際には個別化される素子領域を備えた結合ウエハが形成される。
【００３１】
全ウエハの第１のウエハ側は薄膜化されてもよい。この全ウエハの圧電基板側は、分離ラインに沿って、すなわち素子領域間で少なくとも支持体基板までＶ字状に切削される。その場合有利には支持体基板も所定の深さまで切削される。その際特に圧電基板と層システムの傾斜エッジが形成され、それが（フラットな）圧電基板裏側と共に金属化され、さらに気密にカプセル化される。これによって当該構成素子の素子構造部が腐食から保護され、さらに外部電磁界から遮蔽される。
【００３２】
支持体基板の側では例えばエッチングとその後の開口部（コンタクト用孔部）の金属化によって、コンタクト面とコンタクトするための貫通コンタクトが形成される。有利には同じ方法ステップにおいて当該構成素子の外部端子が第２のウエハの外方に向いた表面に形成される。
【００３３】
支持体基板としては、圧電基板とのボンディングのための事前形成されたコンタクト孔部を備えた薄いＳｉウエハが使用されてもよい。この支持体基板内若しくはその表面上には、事前形成された例えばダイオードやトランジスタのような半導体構造部が形成されてもよい。
【００３４】
有利な実施形態によれば、圧電基板は層システムとカバー基板の間に配置してもよい。このカバー基板は支持体基板と比肩し得る物理的な特性、例えば弾性係数の温度経過特性を有している。有利には圧電基板は２つの基板（支持体基板とカバー基板）の間に配置され、それらの両方は圧電基板の弾性係数の温度経過特性に対して対抗的に設定され得る特性を有するか及び／又は圧電基板よりも小さい膨張係数を有する。
【００３５】
圧電基板の厚さは有利にはカバー基板の厚さよりも小さい。その場合有利には圧電基板の厚さはカバー基板と支持体基板を合わせた総厚さよりも小さくなるように選定される。例えば圧電基板の厚さは、カバー基板の厚さと支持体基板の厚さを合わせた和の半分になるように選定されてもよい。
【００３６】
カバー基板に対する材料としては例えばガラス、珪素、酸化珪素などが適している。また有利にはカバー基板と支持体基板に対してダイレクトウエハボンディングに適した有利には同じ材料が用いられ得る。
【００３７】
カバー基板の露出した表面は例えば電気的な遮蔽及び／又は電気的な接続の形成のために金属化されてもよい。また別の側面からは次のような手段、すなわちカバー基板が、前記支持体基板と一緒に説明したような構造的特性、例えばコンタクト孔部や集積された半導体構造部を有するようにしてもよい。これらのコンタクト孔部はこのケースでは有利にはカバー基板と圧電基板を通って層システム内に含まれる金属化層まで貫通される。
【００３８】
圧電基板とカバー基板の間には基本的に金属化層が設けられ得る。例えばコンタクト面において、及び場合によって弾性波の生成とガイドに適した電気音響的構成素子構造部が形成される。さらに介在層も可能である。
【００３９】
さらなる変化実施例によれば、第１のウエハとして存在する支持体基板、層システム、場合によって圧電基板の結合部が第２のウエハとして存在するカバー基板に接続され得る。
【００４０】
さらに別の変化実施例によれば、圧電基板をまずカバー基板に接続させるかないしはボンディングさせ、このカバー基板に対向している圧電基板側に、既に前述した層システムを形成することも可能である。それと共に生じるウエハは、支持体基板として設けられたウエハと接続され、例えばボンディングされる。この圧電基板は層システムの被着の前に有利には薄膜化され、その表面は研磨される。それらは構成素子構造部（変換器、コンタクト面、電気的接続部）の被着に適している。
【００４１】
以下では本発明による構成素子とその製造方法を概略的な図面に基づいて詳細に説明する。なおこれらの図面は必ずしも縮尺通りのものではない。
【００４２】
図面
図１Ａから図１Ｇは本発明よる製造方法の方法ステップを表した図であり、
図２は支持体基板とカバー層基板を有するＧＢＡＷ構成素子の基本的構造を概略的に表した図である。
【００４３】
実施例
ガイドされたバルク弾性波（以下ではガイドバルク弾性波若しくは単にＧＢＡＷとも称する）で動作する素子は図１Ｇに示されている。圧電性の圧電基板１と明らかに厚い支持体基板２の間には層システム３が配設されている。圧電基板の僅かな厚さに比べて支持体基板の厚さは有利には、当該構成素子の機械的安定が十分となるように選定される。
【００４４】
支持体基板２は有利には圧電基板１のものよりも小さな熱膨張係数を有している。
【００４５】
第１及び支持体基板の厚さは、変化例において５０μｍ〜１５０μｍである。層システムの厚さは変化例において０．６μｍである。
【００４６】
層システム３は（上方から下方への方向で見て）圧電基板１に配設される金属化層３１を含んでいる。この金属化層３１は構造化されており、さらに電気音響的に活性化される素子構造部４２、例えば変換器を含んでおり、さらにこれらと接続されるコンタクト面４１を有している。金属化層３１の構造部４１，４２は、圧電基板１と誘電層３２、例えばＳｉＯ2からなる誘電層の間でカプセル化される。
【００４７】
圧電基板１は有利には例えばＬｉＴａＯ3からなり圧電性である。これは別の変化実施例ではＬｉＴａＯ3 αｒｏｔＹＸからなり、この場合前記αは、１５°＜α＜２０°である。支持体基板１は有利には高抵抗な珪素からなる。音響速度は前記基板１，２内では明らかであり、例えば誘電層内の音響速度よりも少なくとも２０％は高い。
【００４８】
支持体基板２と誘電層３２の接合部には、露出されたコンタクト面４１を有するコンタクト孔部２０が設けられている。コンタクト孔部２０の領域には金属化部６０が設けられており、この金属化部６０はコンタクト孔部の内壁とコンタクト面の開放側領域を覆っている。さらに金属化部６０の一部は、支持体基板２の下方側に配設され、外部端子６１を形成している。
【００４９】
図１Ａには第１のウエハが示されている。この第１のウエハの製造の際には第１の基板１上にまず構造化された金属化層３１が被着される。この圧電基板１の上では金属化層３１の上に誘電層３２が被着される。
【００５０】
誘電層３２は有利には平坦化される。次のステップ（図１Ｂ）では特にコンタクト面４１を少なくとも部分的に露出させるために誘電層３２の一部領域３２０がエッチングによって除去される。それにより当該構成素子領域の電気的なパラメータを測定することが可能となる。このパラメータの実際値が目標値からずれている場合には、層システムがこの学習に基づいて一方では電気的にそして他方では機械的に後調整される。電気的な調整の際には、例えばここでは図示されていない調整構造部と素子構造部の電気的インピーダンスが変更される。機械的な調整の際には、誘電層が薄膜化される。
【００５１】
次のステップとして第１のウエハ１，３が第２のウエハないし支持体基板２と有利にはダイレクトウエハボンディングによって接続される（図１Ｃ参照）。図１Ｃでは波線によって圧電基板が薄膜化される様子が表されている。
【００５２】
圧電基板（これは通常は支持体基板よりも高い熱膨張係数を有している）の薄膜化によって構成素子全体の熱膨張係数は改善される。またＳｉ及びＬｉＴａＯ3からなる基板が組み合わされているケースでは温度経過特性も同じように改善される。
【００５３】
図１Ａ〜図１Ｃによる描写と、図１Ｄ〜図１Ｇによる描写は、１８０°回転させて位置をいれかえたものであり、そのため図１Ｄ〜図１Ｇにおいては支持体基板２が下になり、そして圧電基板１は上になっている。
【００５４】
図１Ｄの圧電基板１は既に薄膜化されている。図１Ｄにおいては波線によって、圧電基板１のエッジと層システム３のエッジ、さらに支持体基板２の一部のエッジが例えば２つの素子領域の間Ｖ字形の切削によって斜めに切り落とされている様子が表されている。
【００５５】
圧電基板の裏側と、特に図１Ｄにおいて層システム３と基板１，２の間のまだ開放されていた端面が金属化され（図１Ｅの金属化層５）、それによって有害な周辺環境の影響から遮蔽される。
【００５６】
支持体基板２において、有利には斜めに切り落とされた壁部を有するコンタクト孔部２０が形成される（図１Ｆ）。このコンタクト孔部２０は、この場合誘電層の開口領域内へ開口している。
【００５７】
それによりコンタクト面が再び露出する。支持体基板の表面の一部と、コンタクト孔部２０の内壁、及びコンタクト面４１の露出領域には、金属化部６０，６１が被着される。
【００５８】
図２にはＧＢＡＷ構成素子が示されており、これは図１Ｇに示されている変化実施例と異なって付加的にカバー基板７を有している。このカバー基板７は圧電基板１よりも厚い。
【００５９】
この場合基板２，７の膨張係数は圧電基板１の膨張係数よりも小さい。この基板２，７は有利には同じ材料からなり、それらの膨張特性が、これらの基板の総厚さが圧電基板１の厚さよりも大きいことに基づいて実質的に当該構成素子全体の温度経過特性を定めている。それにより構成素子全体の熱膨張特性を僅かに保つことが達成される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｂ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｃ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｄ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｅ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｆ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図１Ｇ】本発明よる製造方法の方法ステップを表した図
【図２】支持体基板とカバー層基板を有するＧＢＡＷ構成素子の基本的構造を概略的に表した図
【符号の説明】
【００６１】
１ 第１の基板
２ 第２の基板
２０ コンタクト孔部
３ 層システム
３１ 層システムの金属化層
３２ 誘電層
３２０ 誘電層内の開口部
４１ コンタクト面
４２ 素子構造部（変換器）
５ 第１の基板裏側の金属化層
６０ コンタクト孔部の金属化部
６１ 外部端子
７ カバー基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記層システム（３）が２つの基板（２，１）の間に配設されており、
圧電基板（１）の厚さが最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しいことを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項２】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの３０％の値に等しい、請求項１記載の電気音響的構成素子。
【請求項３】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記圧電基板が単結晶構造を有し、最大で５０λ分の厚さを有しており、この場合前記λは、構成素子の中間周波数のもとでガイドされる体積波の波長であることを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項４】
前記圧電基板（１）は、機械的な手法によって薄膜化されている、請求項１または３記載の電気音響的構成素子。
【請求項５】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記圧電基板（１）が機械的な手法において薄膜化されていることを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項６】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しい、請求項５記載の電気音響的構成素子。
【請求項７】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの３０％の値に等しい、請求項５記載の電気音響的構成素子。
【請求項８】
前記層システム（３）は金属化層（３１）であり、さらに誘電層（３２）を含んでおり、前記金属化層（３１）には変換器とコンタクト面（ＫＦ）が形成されている、請求項１から７いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項９】
前記誘電層（３２）は平坦な境界面を有している、請求項８記載の電気音響的構成素子。
【請求項１０】
前記誘電層（３２）の層厚さは、０．０１λ〜λの間である、請求項８または９記載の電気音響的構成素子。
【請求項１１】
前記誘電層（３２）は弾性係数において支持体基板（２）とは反対の温度依存性を有している、請求項８から１０いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１２】
前記誘電層（３２）は二酸化珪素又は二酸化テルルからなる、請求項８から１１いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１３】
前記圧電基板（１）はＬｉＴａＯ3 からなり、前記支持体基板（２）は Ｓｉ からなる、請求項１から１２いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１４】
前記支持体基板（２）の材料は、圧電基板（１）の材料よりも小さい線形の熱膨張係数を有している、請求項１から１２いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１５】
カバー基板（７）を有し、該カバー基板の熱膨張係数は圧電基板（１）の熱膨張係数よりも小さく、前記圧電基板はカバー基板と層システムの間に配設されている、請求項１から１４いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１６】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
カバー基板（７）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記層システム（３）が支持体基板（２）と圧電基板（１）の間に配設されており、
前記圧電基板（１）はカバー基板（７）と層システム（３）の間に配設されており、
前記カバー基板（７）と支持体基板（２）の熱膨張係数は、圧電基板（１）の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項１７】
前記カバー基板（７）と支持体基板（２）は弾性係数において圧電基板（１）とはそれぞれ反対の温度依存性を有している、請求項１６記載の電気音響的構成素子。
【請求項１８】
前記圧電基板（１）の厚さは、カバー基板（７）の厚さよりも小さい、請求項１６または１７記載の電気音響的構成素子。
【請求項１９】
前記圧電基板（１）の厚さは、カバー基板（７）と支持体基板（２）の厚さの和よりも小さい、請求項１６または１７記載の電気音響的構成素子。
【請求項１】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記層システム（３）が２つの基板（２，１）の間に配設されており、
圧電基板（１）の厚さが最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しいことを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項２】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの３０％の値に等しい、請求項１記載の電気音響的構成素子。
【請求項３】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記圧電基板が単結晶構造を有し、最大で５０λ分の厚さを有しており、この場合前記λは、構成素子の中間周波数のもとでガイドされる体積波の波長であることを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項４】
前記圧電基板（１）は、機械的な手法によって薄膜化されている、請求項１または３記載の電気音響的構成素子。
【請求項５】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記圧電基板（１）が機械的な手法において薄膜化されていることを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項６】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しい、請求項５記載の電気音響的構成素子。
【請求項７】
前記圧電基板（１）の厚さは、最大で支持体基板（２）の厚さの３０％の値に等しい、請求項５記載の電気音響的構成素子。
【請求項８】
前記層システム（３）は金属化層（３１）であり、さらに誘電層（３２）を含んでおり、前記金属化層（３１）には変換器とコンタクト面（ＫＦ）が形成されている、請求項１から７いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項９】
前記誘電層（３２）は平坦な境界面を有している、請求項８記載の電気音響的構成素子。
【請求項１０】
前記誘電層（３２）の層厚さは、０．０１λ〜λの間である、請求項８または９記載の電気音響的構成素子。
【請求項１１】
前記誘電層（３２）は弾性係数において支持体基板（２）とは反対の温度依存性を有している、請求項８から１０いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１２】
前記誘電層（３２）は二酸化珪素又は二酸化テルルからなる、請求項８から１１いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１３】
前記圧電基板（１）はＬｉＴａＯ3 からなり、前記支持体基板（２）は Ｓｉ からなる、請求項１から１２いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１４】
前記支持体基板（２）の材料は、圧電基板（１）の材料よりも小さい線形の熱膨張係数を有している、請求項１から１２いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１５】
カバー基板（７）を有し、該カバー基板の熱膨張係数は圧電基板（１）の熱膨張係数よりも小さく、前記圧電基板はカバー基板と層システムの間に配設されている、請求項１から１４いずれか１項記載の電気音響的構成素子。
【請求項１６】
ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、
支持体基板（２）と、
カバー基板（７）と、
圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子において、
前記層システム（３）が支持体基板（２）と圧電基板（１）の間に配設されており、
前記圧電基板（１）はカバー基板（７）と層システム（３）の間に配設されており、
前記カバー基板（７）と支持体基板（２）の熱膨張係数は、圧電基板（１）の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする電気音響的構成素子。
【請求項１７】
前記カバー基板（７）と支持体基板（２）は弾性係数において圧電基板（１）とはそれぞれ反対の温度依存性を有している、請求項１６記載の電気音響的構成素子。
【請求項１８】
前記圧電基板（１）の厚さは、カバー基板（７）の厚さよりも小さい、請求項１６または１７記載の電気音響的構成素子。
【請求項１９】
前記圧電基板（１）の厚さは、カバー基板（７）と支持体基板（２）の厚さの和よりも小さい、請求項１６または１７記載の電気音響的構成素子。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図２】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図２】
【公表番号】特表２００９−５１６９６６（Ｐ２００９−５１６９６６Ａ）
【公表日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５４１５７８（Ｐ２００８−５４１５７８）
【出願日】平成１８年１１月１５日（２００６．１１．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＤＥ２００６／００２００５
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０５９７３３
【国際公開日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（３００００２１６０）エプコス アクチエンゲゼルシャフト (318)
【氏名又は名称原語表記】ＥＰＣＯＳ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｓｔ．−Ｍａｒｔｉｎ−Ｓｔｒａｓｓｅ ５３， Ｄ−８１６６９ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月１５日（２００６．１１．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＤＥ２００６／００２００５
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０５９７３３
【国際公開日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（３００００２１６０）エプコス アクチエンゲゼルシャフト (318)
【氏名又は名称原語表記】ＥＰＣＯＳ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｓｔ．−Ｍａｒｔｉｎ−Ｓｔｒａｓｓｅ ５３， Ｄ−８１６６９ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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