【課題】 バンプ接合により高密度実装が可能であり、かつ水分の侵入等による特性の変動が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板１Ａ上にＩＤＴ９が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７上に吸音膜８が積層されており、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するためのＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７の開口部に至っており、絶縁膜７の開口部においてＩＤＴ９とＵＢＭ下地層１３と電気的に接続している配線１２に接続されており、吸音膜８にＵＢＭ下地層１３の一部を露出している吸音膜開口部８ａが形成されており、ＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７と吸音膜８との境界において給電ライン１４に接続されており、該給電ラインから電流を通電することによりＵＢＭ下地層１３上にＵＢＭが電解メッキにより形成されている、弾性境界波装置６。 （もっと読む）

【課題】 湿気の浸入を防止して、性能の良好なものが得られると共に、薄型の表面弾性波ディバイスを提供すること。
【解決手段】 本発明の表面弾性波ディバイスにおいて、櫛歯部２ａを囲んだ状態で振動空間部５を形成するための空間形成部材４の外周面には、振動空間部５への湿気浸入防止用の封止膜６が設けられため、振動空間部５内（櫛歯部２ａ側）への水分や気体の浸入防止を確実にできて、性能の良好なものが得られると共に、封止膜６によって、振動空間部５の密封度を向上することができ、また、圧電基板１からの封止膜６の高さは、導体バンプ３の先端よりも小さいため、厚みが薄く、薄型化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
所定の回路パターンが形成されたベース基板１１Ａと、前記ベース基板１１Ａに対向配置される実装基板１２Ａと、前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとを接合する接着層１７と、内部に前記ベース基板１１Ａを封止するとともに開口端部２１，２１を備えた封止部材２０とを備え、前記開口端部２１，２１が前記実装基板１２Ａの板厚内に設けられている構成とした。電子部品１０Ａの内部と外部との間のリークを有効に防止できるようになり、電子部品１０Ａの気密性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】重み付けが施されたＩＤＴを有し、電極指先端のギャップ部分による弾性境界波の回折現象に起因する特性の劣化が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質１１と、第２の媒質１２とが積層されており、第１，第２の媒質１１，１２間に、ＩＤＴ１３が配置されており、ＩＤＴ１３に重み付けが施されており、かつ該ＩＤＴ１３が互いに間挿し合う複数本の電極指１３ａ，１３ｂを有し、電極指１３ａまたは１３ｂの先端と、当該電極指と異なる電位に接続されるダミー電極指とがギャップＢを隔てて対向配置されており、ギャップＢの電極指長さ方向に沿う寸法ＧＤが、電極指の周期をλとしたときに、０．０５μｍ〜０．２２λの範囲とされており、かつλが０．２３μｍよりも大きくされている、弾性境界波装置１０。 （もっと読む）

【課題】 集積回路とＳＡＷ振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続する。
【解決手段】 集積回路１２から引き出されたパッド電極１５ａ、１５ｂを半導体チップ１１に形成するとともに、半導体チップ１１上には、パッド電極１５ａ、１５ｂにかかるように配置された薄膜圧電体１３を積層し、薄膜圧電体１３上には、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂをそれぞれ形成し、パッド電極１６ａ、１６ｂは、薄膜圧電体１３を介してパッド電極１５ａ、１５ｂとそれぞれ対向するように配置する。 （もっと読む）

【課題】 複合圧電基板の歪、微細な亀裂及び空隙を低減した高い圧電特性を有する、圧電基板を限定しない複合圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１０１の伝導担体を正極性又は負極性にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２との板厚比Ｘ（圧電基板の厚みをａ、シリコン基板の厚みをｂとしたとき、Ｘ＝ａ／ｂ）がＸ＝０．００１以上Ｘ＝１以下の範囲にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２を重ね合わせる工程と所定の温度に保持する工程とシリコン基板１０２と圧電基板１０１間に所定の電圧を印加する工程を備え、適切な熱処理条件および印加電圧条件を規定する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷチップとカバーとを金属接合により接合した２層構造のＳＡＷデバイスにおいて、励振部を確実に気密に封止しかつ圧電基板表面でカバーの外側に引き出したリード線と金属接合部分間の電気的絶縁性を確保する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、ＩＤＴ電極５及び反射器６からなる励振部、励振部を囲繞する金属接合部９、その外側に配置した取出電極８、及びＩＤＴ電極から金属接合部と交差させて引き出したリード線７を圧電基板４表面に形成したＳＡＷチップ２と、ガラス薄板の下面周辺部に全周に沿って金属接合部１３を形成したカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部は、圧電基板及びリード線の表面に成膜されたＳｉＯ_２等の絶縁層１０とその上に積層した接合金属層１１とから形成される。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂に吸湿材を含有させる等の手法を採用することなく、従来よりも耐湿性に優れたＳＡＷチップ、及び樹脂封止ＣＳＰ型ＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 圧電基板１８、圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極１７、及び接続電極１６、を備えたＳＡＷチップ１５において、圧電基板の一面に、ＩＤＴ電極を被覆する電極保護用絶縁膜３０と、電極保護用絶縁膜よりも吸湿性が高く、且つ少なくともＩＤＴ電極を被覆しない水分吸湿用ＳｉＯ₂膜４０を配置した。 （もっと読む）

【課題】７０００ｍ／ｓｅｃ以上の波速、０．２％以上の電気機械結合係数、絶対値が２５ｐｐｍ以下の周波数温度特性（ＴＣＦ）を持つ弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板４０と、ダイヤモンド基板４０の上に設けられたＳｉＯ_２から成る絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上に設けられたＺｎＯから成る圧電膜６０と圧電膜６０の上に設けられた櫛歯電極３０とを有する弾性表面波素子１０であって、圧電膜６０の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と絶縁膜の厚さ（ｈ１）との積ｋｈ１が０．２以上１．２以下であり、圧電膜の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と前記圧電膜の厚さ（ｈ２）との積ｋｈ２が０．６以上１．２以下であることを特徴とする弾性表面波素子１０。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

低抵抗の圧電基板を用いて構成されており、さらに酸素を含む雰囲気中において高温下にさらされたとしても、圧電基板の再酸化が生じ難く、従ってインターデジタル電極の劣化や破壊が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。抵抗率が１．０×１０^７〜１．０×１０^１３Ω・ｃｍである圧電基板５の主面５ａにインターデジタル電極６が形成されており、該インターデジタル電極６を覆うように保護膜９が形成されている、弾性表面波素子３。
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弾性境界波が伝搬する境界面と媒質層の表面との間で閉じ込められる弾性波に起因するスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性境界波装置を提供する。相対的に音速が速い第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板と、相対的に音速が遅い第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜との境界に、電気音響変換器としてのＩＤＴと、反射器とが配置されており、ＳｉＯ_２膜の上面に、複数本の溝が形成されて凹部及び／または凸部が設けられている、弾性境界波装置。
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【課題】シングル電極の櫛型電極内の内部反射を抑圧するＳＡＷトランスバーサルフィルタとして利用可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷトランスバーサルフィルタ１は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚ＨｍのＩＤＴ２とを備えている。ＩＤＴ２は、アルミニウムを主成分とする極性が正である正極２−１と、アルミニウムを主成分とする極性が負である負極２−２と、から構成されており、正極２−１と、負極２−２とが弾性表面波の１波長内に配置されている。誘電膜３は、正極２−１と負極２−２の間の圧電基板の表面に形成され、二酸化ケイ素を主成分とし、誘電膜３の膜厚Ｈｄは、弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｄが弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｍより略３％厚くして設けられている。 （もっと読む）

本発明は、音響表面波で作動する構成素子の電極構造体の層構造に関する。この電極構造体はここで、音響インピーダンスＺ_ａ，ｄを有する誘電層（４）によって覆われている。電極構造体の層構造は第１の層システムを含み、当該第１の層システムは、第１の材料から成る少なくとも１つの第１の層（３１，３２）から成り、この第１の層内では音響インピーダンスは２Ｚ_ａ，ｄより小さく、層構造はさらに第２の層システムを含み、この第２の層システムは、第２の材料から成る少なくとも１つの第２の層（２１，２２、２３）から成り、この第２の層内では音響インピーダンスは値２Ｚ_ａ，ｄを上回る。この多層構造の全体高さに対する、前記第２の層システムの全体厚さの相対的な割合は１５％〜８５％の間である。
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電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡潔な構造により簡単な工法で製造され得るＳＨ型の弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。圧電体の一面に誘電体が積層されており、圧電体と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもＳＨ型弾性境界波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置。
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【課題】 電気回路素子の占めていた基板平面の面積を減らし、小型化を図ることができる電子デバイス、パッケージ型電気回路装置、及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ、電気回路素子の一例としての電源バイパスコンデンサ１８およびＤＣカットコンデンサ１９、回路２０および接続配線２１から構成されている。この電子デバイス１０の電源バイパスコンデンサ１８およびＤＣカットコンデンサ１９などの電気回路素子は、基板１１の側面１７上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、およびかかる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、基板２と、基板２上に順に積層された圧電体層３および絶縁層４と、絶縁層４上に設けられた入力用の櫛歯電極５および出力用の櫛歯電極６とを有している。絶縁層４は、圧電体層３と櫛歯電極５、６との間に設けられている。絶縁層４は、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有している。絶縁層４を構成する物質は、圧電体層３を構成する物質の結晶系とほぼ等しい結晶系を有するものである。絶縁層４は、主として、一定の配向性を有する窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板の他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面に励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域が形成され、他方主面に半導体層22が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装している弾性表面波装置である。弾性表面波素子１の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために圧電基板２の他方主面に設けられていた導体層に代えて、キャリア移動度の小さい半導体層２を形成したことによって、フィルタ領域の入力パッド部および出力パッド部間に形成されていた寄生容量による入力パッド部および出力パッド部間の結合量を大幅に小さくすることができ、これにより、通過帯域外減衰量を改善することができる。 （もっと読む）