【課題】端子周辺の構造的機能を向上させることができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１上に振動空間Ｓを形成しつつＳＡＷ素子１１を覆って封止するカバー５とを有する。さらに、ＳＡＷ装置１は、カバー５を振動空間Ｓの外側において第１主面３ａの面する方向へ貫通する孔部５ｈに充填され、ＳＡＷ素子１１に接続された端子７と、端子７の側面と孔部５ｈの内壁との間に介在する絶縁膜２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの腐食が生じにくく、信頼性に優れた弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板３と、圧電基板３の主面３ａに配置された励振電極５と、圧電基板３の主面３ａに配置され、励振電極５と電気的に接続される電極パッド１３と、励振電極５を取り囲むとともに電極パッド１３を覆うようにして圧電基板上に配置される枠部１９と枠部１９の開口部を塞ぐ蓋部２１とからなる保護カバー９と、電極パッド１３に立てられ、保護カバー９を厚み方向に貫く貫通導体１５と、保護カバー上に配置されるとともに貫通導体１５の電極パッド側と反対側の面に接続され、平面視したときの外周縁が貫通導体１５の外周縁よりも外側に位置する端子４と、保護カバー内に配置されるとともに、貫通導体１５を取り囲んだ状態で端子４に接続された環状導体２と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制すること。
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程（Ｓ１０）と、前記酸化シリコン膜のＳｉ−Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程（Ｓ１２）と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程（Ｓ１８）と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 櫛型電極が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】 本弾性波デバイス１００は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１８と、櫛型電極１８の電極指間に設けられた第１絶縁膜１２と、櫛型電極１８の側面を覆うように、櫛型電極１８と第１絶縁膜１２との間に設けられた第１拡散防止膜１６と、櫛型電極１８及び第１絶縁膜１２上に設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁膜２２と、を具備する。本構成によれば、第１拡散防止膜１６が櫛型電極１８と第１絶縁膜１２との間に設けられているため、櫛型電極１８が第１絶縁膜１２中に拡散することを抑制することができる。その結果、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を低減する構造を低コストで実現する。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に形成された櫛歯型電極を含む共振器２ａ及び２ｂと、櫛歯型電極に接続された配線部３と、櫛歯型電極を覆うように形成された誘電体層４とを備える弾性波フィルタであって、配線部３は、櫛歯型電極と同層の下層配線部３ｄと、下層配線部３ｄの上部に配された上層配線部３ｅとを備え、上層配線部３ｅは、下層配線部３ｄの電極幅よりも大きな電極幅を有する領域を備えている。 （もっと読む）

【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２の上に形成されている誘電体層１４と、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界に形成されているＩＤＴ電極３，４と、前記誘電体層１４に接するように設けられた半導体層９とを備え、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層９は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層９中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性波フィルタ装置及びこれを用いたデュプレクサ及び電子機器の帯域高域部分の挿入損失劣化を低減させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ装置１０は、第１の弾性波フィルタ１５と第２の弾性波フィルタ１６とを備え、第１の弾性波フィルタ１５は、第１の縦結合型弾性波フィルタ１５ａと第２の縦結合型弾性波フィルタ１５ｅとを備え、第１の不平衡信号入力部１５ｂ及び第２の不平衡信号入力部１５ｆは入力部１２と電気的に接続され、第１の平衡信号出力部１５ｃ及び第３の平衡信号出力部１５ｇは入出力部１３ａと電気的に接続され、第２の平衡信号出力部１５ｄ及び第４の平衡信号出力部１５ｈは入出力部１３ｂと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく信頼性に優れた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の主面上に配置された励振電極と、基板３の主面上に立設され、励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体１５と、基板３の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体１６と、励振電極の振動空間１７を構成するとともに、第１の柱状導体１５の側面および第２の柱状導体１６の側面を覆う保護カバー９と、を有する構造にする。 （もっと読む）

【課題】高い品質係数（Ｑ値が数千以上）を有し、かつ、ｋ２が２〜６％の範囲である境界弾性波装置を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定のカット角θを有するθＹＸ−ＬＮ単結晶圧電基板１の表面に、境界弾性波の波長λの交差指形変換器（ＩＤＴ）、酸化珪素膜５、および窒化アルミニウム膜６が形成された境界弾性波共振器において、酸化珪素膜５の膜厚ｈ_１およびカット角θ等を最適化する。例えば１２７．５°≦θ≦１２９．５°かつ２０％≦ｈ_１／λ≦１００％とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜表面の凹凸を抑制し、かつ誘電体膜の膜厚の精度を向上させること。
【解決手段】圧電性基板１０と、前記圧電性基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、前記櫛型電極１２を覆い、前記櫛型電極１２より高い誘電体膜１６と、前記圧電性基板１０上に設けられ、前記誘電体膜１６と同じ高さを有し、少なくとも下部に金属層を含み、最上面は前記誘電体膜１６より研磨速度の遅い材料であるストッパ層１４と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０の製造方法は、（ｉ）圧電基板１２の一方主面１２ｔに、圧電基板１２よりも線膨張係数が小さい支持部材１４を接合して複合基板１１を形成する第１の工程と、（ii）複合基板１１の支持部材１４に、支持部材１４と圧電基板１２との接合界面１２ｔとは反対側の表面１４ｓから複数の溝１４ｔを形成する第２の工程と、（iii）複合基板１１の圧電基板１２の他方主面１２ｓに、ＩＤＴ電極を含む電極パターン１６を形成する第３の工程と、（iｖ）電極パターン１６を形成した複合基板１１を分割して個片化する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板の水に対する潮解性を防止しつつ温度特性を限りなく小さくでき、周波数帯２〜３ＧＨｚでの良好な特性を持つ表面弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面弾性波装置１は、オイラー角（０°，３５〜５０°，９０°）のＬＢＯ基板１０と、ＬＢＯ基板１０の表面に設けられ、ＫＨ０．０５〜０．１０の酸化膜あるいは窒化膜からなる保護膜１１と、保護膜１１上に設けられ、ＫＨ０．０４〜０．１５の電極２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波の漏れを改善した弾性表面波共振器の提供。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板の上面に設けられた櫛型電極１０２と、前記櫛型電極１０２を覆う誘電体薄膜とを備えた弾性表面波共振器であって、前記櫛型電極１０２は、バスバー電極領域１０５とダミー電極領域１０６と交差領域１０７とを含む構成であって、前記バスバー電極領域１０５の上部において、前記誘電体薄膜の厚みが前記交差領域上部の前記誘電体薄膜の厚みよりも薄い構成である。この構成で、弾性表面波の横方向の漏れを改善して、特性に優れた弾性表面波共振器を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】導波型音響波共振装置及び該装置の製造方法の提供。
【解決手段】少なく共２つのフィルタ（Ｆ_１、・・・、Ｆ_Ｎ）を含む導波型音響波共振装置で、各フィルタが少なく共２つの音響波共振器（Ｒ_１１−Ｒ_１２、・・・、Ｒ_Ｎ１−Ｒ_Ｎ２）を含み、各フィルタが、中心周波数（ｆ_１、・・・、ｆ_Ｎ）を中心とする有用な周波数帯域（ＢＦ_１、・・・、ＢＦ_Ｎ）によって特徴づけられ、各共振器が、周期（∧_ｉｊ）の周期的構造を有する少なく共一組の相互噛合型上部電極と圧電材料の層とを含み、各共振器が結合係数及び共振周波数によって特徴づけられる、導波型音響波共振装置において、共振器の少なく共１つが差別化層（ＣＤ_ｆｉ）を含んで、相互噛合型電極の周期と併せて前記共振器の結合係数変更を可能とし有用な帯域及び中心周波数が、決定された有用な帯域幅を有する様に構成される共振器の共振周波数及び結合係数によって決定される導波型音響波共振装置。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられる支持層２０と、振動部１４を覆うように設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成しており、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含み、前記合成ゴムの全体に対する重量比が１０ｗｔ％〜２５ｗｔ％である、シート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 横モードのリップルを抑制して、フィルタ通過帯域内の特性を改善し、フィルタの通過帯域低域側の周波数特性も向上させること。
【解決手段】 圧電体上に配置された第１から第３のくし歯状電極と、弾性波伝搬方向両側に配置された第１、第２の反射器とを有し、
弾性波伝搬方向のくし歯状電極同士が隣り合っている部分において、狭ピッチ電極指部が設けられた、縦結合共振子型の弾性波装置において、
前記狭ピッチ電極指部を有する前記第１から第３のくし歯状電極の大部分は、アポダイズ重み付けされており、狭ピッチ電極指部および狭ピッチ電極指に隣接する電極指部分は正規型のくし歯状電極とされていること。 （もっと読む）

【課題】ストンリー波による応答を抑圧でき、フィルタ特性が良好なラダー型フィルタを提供する。
【解決手段】１５°〜３０°ＹカットＬｉＮｂＯ_３基板からなる圧電基板２上に、ＩＤＴ電極７、ＩＤＴ電極を覆う酸化ケイ素層１０、その上に酸化ケイ素層１０よりも音速の速い誘電体層１１が形成された三媒質構造の弾性境界波共振子を用いて直列腕共振子及び並列腕共振子が構成されており、複数の弾性境界波共振子が、波長がλ１、伝搬角がψ１、デューティが（ｄｕｔｙ１）であり、λ１及びｄｕｔｙ１がψ１＝０°においてストンリー波の応答が極小値となるように構成されている第１の弾性境界波共振子と、波長がλ２、伝搬角がψ２、デューティが（ｄｕｔｙ２）であり、ψ２が１０°以上である第２の弾性境界波共振子とを有し、〔λ１≠λ２かつ０°≦ψ１＜ψ２〕または〔（ｄｕｔｙ１）≠（ｄｕｔｙ２）かつ０°≦ψ１＜ψ２〕であるラダー型フィルタ。 （もっと読む）

バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第１の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第１の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ法により保護膜を圧電素子の表面全部またはその表面の任意の部位に形成して電気特性及び耐候性に優れた圧電部品を製造する。
【解決手段】本発明は、集合圧電基板と、該集合圧電基板の主面に形成された少なくとも１個の振動部と、該振動部に接続される配線電極とを有する圧電素子と、該圧電素子の表面に形成された保護膜と、前記圧電素子の電極部を除く前記圧電基板の主面上に形成された層間絶縁膜と、前記圧電素子の上面を囲むように設けた中空構造部を有し、かつ、前記配線電極に接続する端子電極、及び該端子電極上に形成したはんだボール電極を有する圧電部品の製造方法において、前記保護膜の形成の際に圧電素子の全面にフォトレジストを塗布した後、リソグラフィーによりパターニングしてから絶縁膜を形成し、所望の部位のフォトレジストと、その上に形成した絶縁膜とをリフトオフ法により除去（剥離）することを特徴とする圧電部品の製造方法及びこれにより製造される圧電部品に関する。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２の上面に溝２ａが形成されており、ＩＤＴ電極３Ａ〜３Ｃが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板２の上面に形成されている溝２ａに埋め込まれるように形成されており、圧電基板２の上面に、第１の誘電体層６及び第１の誘電体層６よりも音速が速い第２の誘電体層７が積層されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）