【課題】電極パッドの腐食を抑制できる信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、圧電基板２上に形成され、少なくとも１つ以上の金属層からなり、弾性波素子４と電気的に接続された電極パッド１４と、弾性波素子４を封止する封止部６と、封止部６を貫通して電極パッド１４上に形成され、電極パッド１４と電気的に接続された電極ポスト８と、電極パッドを形成する金属層のうち、少なくとも１つの金属層の上であって、封止部６と電極ポスト８との界面の少なくとも一部の下に形成された絶縁膜１２と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】立体配線部が設けられた基板を好適に封止できる弾性波装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 主面３ａに凹部６を有する基板３と、基板３の主面上に配置されたＩＤＴ電極２ａ、４ａを有する励振電極と、前記凹部内に位置する第１領域２９ａを有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第１配線２９と、第１配線２９の第１領域２９ａを覆うようにして凹部内に設けられる絶縁体２１と、第１配線２９の第１領域２９ａと絶縁体２１を介して立体的に交差する第２領域３３ａを有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第２配線３３と、基板３の主面上に配置され、前記励振電極を保護するカバー５と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装されている弾性境界波素子の周囲を被覆するように配線基板上に樹脂層が形成されている弾性境界波装置において、放熱性を向上する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、弾性境界波素子１０と、弾性境界波素子１０が実装されている配線基板２０と、樹脂層３０と、配線基板２０及び樹脂層３０よりも高い熱伝導率を有する熱伝導体２２とを備えている。弾性境界波素子１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上に形成されている誘電体層１２と、圧電基板１１と誘電体層１２との間に形成されているＩＤＴ電極１３ａとを有する。樹脂層３０は、弾性境界波素子１０の周囲を被覆するように配線基板２０上に形成されている。熱伝導体２２は、平面視したときにＩＤＴ電極１３ａが設けられている領域Ａの少なくとも一部において、配線基板２０及び樹脂層３０のうちの少なくとも一方の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ‐ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ‐ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

本発明は，音響波の横方向放射による損失を低下させた電気音響変換器を提供する。そのために変換器は，中央励起領域（ZAB）と，中央励起領域（ZAB）の両側に隣接する内縁領域（IRB）と，内縁領域（IRB）に隣接する外縁領域（ARB）と，外縁領域（ARB）に隣接するバスバー領域（SB）とを備える。これら領域内における縦方向速度は，ピストンモードによる励起プロファイルが得られるよう設定されている。 （もっと読む）

【課題】ラダー型弾性波フィルタのＱ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の２倍以上３倍以下の周波数に減衰極を形成する第１並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第１並列共振器より容量の小さい第２並列共振器１９とを備え、前記第２並列共振器１９は互いに音響結合される複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７を有すると共に、前記複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７は直列接続された構成である。 （もっと読む）

【課題】耐モールド圧力性に優れ、かつ、低背化・小型化された圧電部品を低コストで製造する。
【解決手段】圧電基板２と、該圧電基板の主面に形成された櫛歯電極３と、該櫛歯電極及び該櫛歯電極に隣接して配設された配線電極の上面に形成された絶縁層８と、該絶縁層の上面に形成された再配線層９と、該再配線層の上面から、前記櫛歯電極を除き、その全面を覆う無機材料からなる保護膜層と、該保護膜層上にナノフィラーを添加した感光性樹脂フィルムを積層して形成した外囲壁部４と、該外囲壁部の開口先端部にナノフィラーまたはマイカフィラーを添加した感光性樹脂フィルムを積層して形成した天井部５と、該外囲壁部及び天井部を貫通して形成した電極柱６と、からなり、ここで、ナノフィラーを添加した前記感光性樹脂フィルムが、平均粒径が１．０ｎｍ以下の無機材料からなるナノフィラーが添加され、かつ弾性率が３．０ＧＰａ以上である感光性樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１１を有する第１の弾性表面波共振器２０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２を有する第２の弾性表面波共振器３０とを備え、第１の弾性表面波共振器２０および第２の弾性表面波共振器３０は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第１の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数と第２の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数とは異なる構成とした。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波デバイスや境界波デバイスに用いられる弾性波デバイスにおいて、ブレークダウンモードの発生を抑制出来る弾性波デバイスの提供。
【解決手段】弾性波デバイス１は、圧電体２と、圧電体２の上に設けられ、銅を含むＩＤＴ電極３とを備え、圧電体２の材料はストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム系またはニオブ酸リチウム系である。これにより、コングルエント組成の圧電体と比較して上記空隙が減少する。その結果、圧電体の結晶欠陥が減少する。従って、弾性波デバイスを製造するプロセス中の熱工程や高い電力の入力によって、ＩＤＴ電極を構成する銅が溶融し圧電体の結晶の中へ拡散するのを抑制し、ブレークダウンモードによる弾性波デバイスの破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第３の媒質１３と、第２の媒質１２の上に形成されている吸音層と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に形成されているＩＤＴ電極１６とを備えている。第２の媒質１２の波長規格化厚みｈ２／λは０．６０×（ｈ３／λ）^２−１．２４×（ｈ３／λ）＋０．９４よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。第３の媒質１３は、第１及び第２の媒質１１，１２よりも遅い音速を有する。光触媒層１７は、光触媒を含む。光触媒は、第２の媒質１２を構成している誘電体と第３の媒質１３を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有する弾性表面波フィルタに関して、バランス特性が劣化するという課題があった。
【解決手段】圧電基板（１０１）上に形成された複数のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）とを備えた弾性表面波フィルタ素子であって、前記複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電極は平衡型端子に接続され、他のＩＤＴ電極は平衡型端子または不平衡型端子または接地電極に接続され、前記少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続された第１の配線電極手段は、前記他のＩＤＴ電極に接続された第２の配線電極手段と異なる平面上に配置されており、前記弾性表面波フィルタ素子は、前記第１の配線電極手段と前記第２の配線電極手段との間に保護膜（１９０２）を備えると共に、前記弾性表面波フィルタ素子の上方からみて、前記第１及び第２の配線電極手段は交差する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】蓋部のパターンの有効利用を図ることができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、圧電基板１０上であって、櫛型電極１２の電極指間に設けられた第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６の側面を覆うように、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に設けられた第１拡散防止膜１８と、櫛型電極１２の上面および側面と第１絶縁膜１６の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁層２２と、を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の上にＩＤＴ電極を覆うように形成されている酸化ケイ素膜を備える弾性波装置であって、圧電基板に反りが生じ難く、かつ製造に際して煩雑な製造工程を要さない弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されているＩＤＴ電極１１と、圧電基板１０の上にＩＤＴ電極１１を覆うように形成されている酸化ケイ素膜１２とを備えている。圧電基板１０は、ＩＤＴ電極が形成されている第１の領域１０Ａと、ＩＤＴ電極が形成されていない第２の領域１０Ｂとを含む。酸化ケイ素膜１２は、第１の領域１０Ａの上に形成されている第１の部分１２Ａと、第２の領域１０Ｂの上に形成されている第２の部分１２Ｂとを含む。第２の部分１２Ｂの少なくとも一部におけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量は、第１の部分１２ＡにおけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量よりも多い。 （もっと読む）

【課題】スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。これにより、圧電基板や支持体が割れることなく圧電薄膜を分離できる。 （もっと読む）

【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極２６は、ギャップ３４、３６によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー１６，１８との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域５４，５６内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域４６での波速度より遅く、対向するギャップ領域３８，４０での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ２６の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のＳＡＷトランスデューサ又はＳＡＷ共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 （もっと読む）