【課題】表面に空間を必要とする素子のパッケージングを感光性耐熱樹脂を用いて行う際
に、感光性耐熱樹脂から成るパッケージ材料と基板の接着強度が小さいという課題がある
。
【解決手段】上記課題を解決するため本発明ではパッケージング材として用いる感光性耐
熱樹脂と基板の間に感光性ポリイミドを用いて接着層を形成する。この感光性ポリイミド
を用いた接着層は、立体配線用絶縁材を兼用して形成することで、工程を省略することが
可能となる。 （もっと読む）

【課題】機能素子上が中空状態で封止されてなる電子部品のパッケージ構造に関して、小型、薄型で、かつ、樹脂封止のトランスファーモールド法でも作製できるようにすること。
【解決手段】表面に機能領域と電極を有する素子が形成された基板と、前記基板の前記機能領域上に空間を設けて配置された樹脂層と、前記空間を覆う金属層と、前記金属層の前記樹脂層に対応する位置に設けられた絶縁樹脂層とからなる電子部品パッケージであって、前記樹脂層の弾性率が前記絶縁層の弾性率よりも大きいことを特徴とする電子部品パッケージ構造をもちいる。 （もっと読む）

【課題】機能素子上に中空部分を形成して封止してなる電子部品パッケージにおいて、パッケージの薄型化と高信頼化を両立できない課題に関し、新規なパッケージ構造および製造方法を提案するものである。
【解決手段】機能領域上に空間を設けた樹脂層と、金属層を積層し、金属層は、空間を覆いかつ外圧を支えるための突起を有する蓋を形成する部分と、外部端子を形成する部分に同材料が分離されて成るもので、空間部と貫通孔形成がなされた下層樹脂上に設けたパターン化された上部樹脂層が埋まるように全面めっきした後、所定の厚みまで切削することで容易に同構造が得られる。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品を構成する圧電素子の液状樹脂による樹脂封止時における、気密空間への液状樹脂の浸入による正常なＳＡＷの伝搬の妨害である。
【解決手段】 セラミックを数枚積層して形成したセラミック基板５ａ，５ｂと、該セラミック基板５ｂの上面に導体バンプ３を介して実装された電極パターン２をもつ圧電素子１と、該圧電素子１を液状樹脂で樹脂封止した樹脂封止部８ａ，８ｂとからなる圧電部品Ｄにおいて、前記圧電素子１の主面に設けた環状ダム４と、最上層の前記セラミック基板６ｂに前記環状ダム４より内側に位置するように形成した環状溝６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度変化に関わらず、所定の共振周波数を精度良く維持することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１６の一方の主面１４にすだれ状電極１１が形成された弾性表面波素子片１０と、弾性表面波素子片１０における圧電基板１６の他方の主面１５の一部に固定されるスペーサ２０と、弾性表面波素子片１０及びスペーサ２０が収納されるパッケージ３０と、を備え、スペーサ２０の線膨張係数が、圧電基板１６の線膨張係数と近似または同一であり、弾性表面波素子片１０に固定されるスペーサ２０が、パッケージ３０内の底面３３に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デッドスペースのない効率的に小型化された弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１６の一方の主面１４にすだれ状電極１１が形成された弾性表面波素子片１０と、弾性表面波素子片１０を励振する発振回路が形成されたＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０の一方の面２２または他方の面２３から厚み方向に突出するようにＩＣチップ２０に形成された突出部３０と、を備え、弾性表面波素子片１０は、平面視において、弾性表面波素子片１０がＩＣチップ２０の外形内に収まり、且つすだれ状電極１１が形成された領域と突出部３０とが重ならない位置で、圧電基板１６の他方の主面１５が突出部３０に固定され、すだれ状電極１１とＩＣチップ２０とが電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の樹脂封止の際に生じるリーク不良、樹脂侵入不良等による不良品の発生を防止できるとともに、多数の電子部品をまとめて簡単に樹脂封止できる。
【解決手段】 集合基板３の主面に形成された配線電極上に、フェースダウン・ボンディングにより、ＳＡＷチップ２を実装した電子部品の製造方法において、ＳＡＷチップ２実装済みの集合基板３の主面に樹脂シート６を載置する工程と、柔軟性をもつ密閉袋Ｐ内に実装済み集合基板３を収納した後、密閉袋Ｐを密閉する工程と、収納袋Ｐを液体Ｌを満たした加圧容器Ｔ内に投入した後、加圧容器Ｔを密閉する工程と、加圧容器Ｔ内に加圧流体を供給し、加圧容器Ｔ内の圧力を上昇させつつ、樹脂シート６を硬化させ、ＳＡＷチップ２と実装済み集合基板３の主面側に密着・貼付させて樹脂封止する工程と、加圧容器Ｔから密閉袋Ｐを取り出す工程と、密閉袋Ｐから樹脂封止済みの実装済み集合基板３を取り出す工程と、取り出した樹脂封止済みの集合基板３を個片３ａに切断する工程と、からなる電子部品の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の耐湿性が優れていないことによる振動部（櫛歯電極）の変質と高価な製造コストである。
【解決手段】 圧電基板２と、該圧電基板２上に形成された少なくとも１つの振動部（ＩＤＴ）３と、該振動部３に接続された素子配線部とを有する圧電素子であって、前記振動部３の上面及び側面を感光性樹脂からなる側面側中空部形成層５と蓋面側中空部形成層６で空隙を形成するように囲って中空部Ｓを設け、さらに、前記素子配線部の電極７形成部を除く上面、前記側面側中空部形成層５の側面と前記蓋面側中空部形成層６の側面と上面とを覆って保護する感光性樹脂からなる絶縁保護層４と、該絶縁保護層４の全面を覆って封止する感光性樹脂からなる絶縁層１１と、該絶縁層１１を貫通して形成された貫通孔に介装されて前記素子配線電極部に接続する貫通電極７と、前記絶縁層１１の同上外面に形成されて前記貫通電極７に接続する外部電極端子１３と、を備えたことを特徴とする圧電部品に関する。また、前記絶縁層１１にインピーダンス回路素子層１２ａを積層する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔に発生するボイドの発生量を抑制することができ、製造効率良く貫通電極を形成することが可能な電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられた素子１２と、基板１０上に設けられ、素子１２と電気的に接続する電極１４と、基板１０上に設けられ、素子１２の機能部分上に第２空洞部２２を有する樹脂１６と、電極１４上に設けられ、樹脂１６を貫通する貫通電極１８と、を具備し、樹脂１６は貫通電極１８の側面から２以上の方向に延びるように設けられた第１空洞部３４を有する電子部品およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】圧力で変形しない中空構造を有し、貫通電極やその周囲の樹脂封止部に熱応力等に起因したクラック等が発生することを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０に設けられた弾性波素子１２と、弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の側面および上面を覆うように基板１０上に設けられた樹脂封止部２０と、空洞１６以外において樹脂封止部２０を貫通し弾性波素子１２に電気的に接続する貫通電極４０と、貫通電極４０上に設けられた接続端子４８と、空洞１６上において、上下を樹脂封止部２０に挟まれ、樹脂封止部２０より弾性率の大きい補強層３０と、を具備する弾性波デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 表面弾性波素子及び実装基板間を封止している封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入するのを防止できる表面弾性波装置を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる表面弾性波装置１は、表面弾性波素子２がバンプ４を実装基板３に介して接続され、表面弾性波素子２の外周縁を封止樹脂５で封止した構成を有し、表面弾性波素子２の励振部６と実装基板３との間には振動空間７が確保されたものであって、表面弾性波素子２には、バンプ４及び励振部６を取り囲んだ外側樹脂流入防止堰９と、励振部６を取り囲んだ内側樹脂流入防止堰１０とが設けられており、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１はバンプ４の高さｈ２と実装基板３に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４より低く設定され、かつ、内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５はバンプ４の高さｈ２より低く設定されていることを特徴とする。
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【課題】歩留まりを低下させずに、モジュール化の際の圧力で変形しない中空構造を有する弾性波デバイスを提供すること
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた弾性波素子１２と、弾性波素子１２上に空洞部１６を有するように圧電基板１０上に設けられた第１封止部２６と、第１封止部２６上に設けられた第２封止部２８と、を具備し、第１封止部２６は圧電基板１０側の幅ｔ２が圧電基板１０に反対側の幅ｔ３より広くなるような段差を有する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程により、配線基板に弾性表面波素子等の電子素子の電子機能部を阻害することなく、必要部分には十分に樹脂を充填させ、電子素子を封止することができる粘土状の熱硬化型樹脂シート、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板４１に固定された弾性表面波素子４２等の電子素子の上に、外力により塑性変形可能な粘土状の封止用熱硬化型樹脂シート４５を積層し、この樹脂シートを加熱硬化させることで、電子素子の電子機能部を樹脂で阻害することなく気密空間４６を形成して封止する電子部品装置４７及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷフィルターを容易に薄型化することができ、かつ特性を損なわずに半導体素子およびチップ型受動部品と同一基板に混載可能とし、半導体装置の薄型化および低価格化を実現することができる高周波半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面上に半導体素子３およびチップ型受動部品４とＳＡＷフィルター素子５が載置され、ＳＡＷフィルター素子５が載置される基板領域にその表面から垂直なキャビティー６が形成され、かつ基板１の表面上全体を液状エポキシ樹脂９を用いて形成した封止樹脂で一体に封止された構造を有し、その封止樹脂は、２０２６ｈＰａ以上の加圧大気雰囲気中で液状エポキシ樹脂９を印刷した後に、常圧に戻った大気雰囲気中で硬化させる印刷工程を経て形成する。 （もっと読む）

【課題】封止部と基板および配線との密着性を向上させ、高い信頼性を有する弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る弾性波デバイスは、圧電性基板（１０）上に設けられた櫛型電極、反射器等からなる弾性表面波素子（１２）と、圧電性基板（１０）上に設けられ、弾性表面波素子（１２）と電気的に接続する配線（１４）と、弾性表面波素子（１２）の機能部分上に空洞部（２０）を有し、弾性表面波素子（１２）と配線（１４）とを覆うように設けられた封止部（２４）と、圧電性基板（１０）および配線（１４）と封止部（２４）との間に設けられた絶縁膜層（３０）と、を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】製造工程における切断領域への異物の付着やウエハ反りを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波素子が形成された基板（１０）上に、弾性波素子の弾性波が振動する機能領域（４０）が第１非被覆部（５０）および個片化するための切断領域（４２）が第２非被覆部（５２）となるように第１封止部（２２）を形成する工程と、第１非被覆部（５０）および第２非被覆部（５２）に蓋をするように、第１封止部（２２）上に第２封止部（２４）を形成する工程と、第２非被覆部（５２）を分割するように基板（１０）および第２封止部（２４）を切断する工程と、を有する弾性波デバイスおよびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低背で小型であり、安価なＳＡＷデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係るＳＡＷデバイスは、ガラスエポキシからなる基板（１８）上に設けられたＳＡＷデバイス素子（１２）と、ＳＡＷデバイス素子（１２）上に空洞部（２０）を有し、ＳＡＷデバイス素子（１２）を覆うように設けられたエポキシ樹脂からなる蓋体（１６）と、ＳＡＷデバイス素子（１２）を外部に電気的に接続するワイヤ（１４）と、を具備し、ワイヤ（１４）が設けられている領域のＳＡＷデバイス素子（１２）に相対しない蓋体（１６）の天井部分（２４）の最大肉厚（ｔ３）がＳＡＷデバイス素子（１２）に相対する蓋体（１６）の天井部分（２４）の最大肉厚（ｔ４）より厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、面実装時の周波数変動を抑制できる弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板１１と、この圧電基板１１上に設けられた櫛型電極１２およびパッド電極１３と、圧電基板１１上において櫛型電極１２の励振領域を囲むように設けられた樹脂壁１４と、樹脂壁１４の開口部を覆い励振領域を密封する天板１５と、天板１５上に設けられパッド電極１３と接続される外部電極１６と、天板１５および樹脂壁１４中に設けられパッド電極１３と外部電極１６を接続するビア電極１７とを備え、ビア電極１７を圧電基板１１側に位置する第１のビア電極１７ａと天板１５側に位置する第２のビア電極１７ｂに分割し、第１のビア電極１７ａの径を第２のビア電極１７ｂの径より小さくした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性および生産性を向上させることができる弾性表面波装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明は、実装基板にハンダを用いて表面実装される弾性表面波装置の製造方法において、ＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板１上に弾性表面波素子を構成する櫛型電極２を形成する工程と、圧電基板１上に櫛型電極２が形成された励振領域を囲むように熱硬化性樹脂からなる側壁３を形成する工程と、表面実装時のハンダ付け温度よりも高い温度で加熱処理を行う工程と、側壁３の開口部を覆い励振領域を密閉するように蓋体４を形成する工程とを備え、圧電基板１は酸素欠陥を有している構成とした。 （もっと読む）

【課題】 レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置およびその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電基板11の下面にＩＤＴ電極とパッド電極と環状電極とが形成されるとともに上面の全体が樹脂膜31で被覆された弾性表面波素子が、絶縁基板41の上面に端子電極および環状導体が形成されるとともに下面に外部電極が形成された実装用基板の上面に、パッド電極と端子電極とを接続するとともに環状電極と環状導体とを接合しＩＤＴ電極を気密封止して実装され、かつ樹脂膜31の周囲から圧電基板11の側面を経て実装用基板の上面にかけて弾性表面波素子を被覆する保護樹脂32が樹脂膜31の上面を露出させて形成された弾性表面波装置である。圧電基板11の上面が樹脂膜31のみで被覆されているので、レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置である。 （もっと読む）