【課題】 周波数温度特性を改善する。
【解決手段】 弾性境界波素子１０は、相互に接合された第１圧電基板１２および第２圧電基板１４と、第１圧電基板１２と第２圧電基板１４との境界部に弾性波を励振するすだれ状電極からなるＩＤＴ１６とを有している。ＩＤＴ１６の弾性境界波の伝播方向両側には、反射器２４（２４ａ、２４ｂ）が設けてある。第１圧電基板１２と第２圧電基板１４とは、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（φ，θ，ψ）または（φ，θ＋１８０°，ψ）の水晶板からなっている。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数の大きな弾性境界波素子が得られるようにする。
【解決手段】 弾性境界波素子１０は、ニオブ酸カリウムからなる第１圧電基板１２と、ニオブ酸カリウムからなる第２圧電基板１４とを備えている。ニオブ酸カリウムは、カット角がオイラー角表示で（０°±３０°，０°〜±１８０°，０°±２０°）となっている。第１圧電基板１２と第２圧電基板１４とは、相互に接合してある。第１圧電基板１２の接合面中央部には、ＩＤＴ１６を有する。ＩＤＴ１６は、一対の櫛型電極１８（１８ａ、１８ｂ）からなり、櫛型電極１８の電極指２０（２０ａ、２０ｂ）によってすだれ状に形成してある。ＩＤＴ１６の両側には、反射器２４（２４ａ、２４ｂ）が設けてある。 （もっと読む）

【課題】 安価な水晶基板を用い、しかもＳＨ型弾性境界波を利用することが可能であり、電気機械結合係数Ｋ²等の物性や特性を高めること等が可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板２上に、少なくともＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように、誘電体３が形成されており、水晶基板２と誘電体３との界面を弾性境界波が伝搬する弾性境界波装置であって、ＩＤＴ４の厚みは、ＳＨ型境界波の音速は、水晶基板２を伝搬する遅い横波及び誘電体３を伝搬する遅い横波の各音速よりも低音速となるように設定されており、かつ水晶基板２のオイラー角が、図１３に示されている斜線を付した領域内とされている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板（例えばＬｉＴａＯ₃，ＬｉＮｂＯ₃）と、この圧電基板の表面に設けたＡｌを主成分とする材料により形成されたＩＤＴとを備えたＳＡＷ装置で、圧電基板は、添加物（例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ）を含みかつＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４２°〜４８°（より好ましくは４６°±０．３°）の範囲の角度で回転させた方位を有する。ＩＤＴは、規格化膜厚ｈ／λ（ｈ：電極厚、λ：電極間隔）を７〜１１％とする。 （もっと読む）

【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Ｑ値が高く、周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、該水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した弾性表面波デバイスにおいてＩＤＴ２にダミー電極１１を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 低損失、且つ通過帯域の低域側の減衰量が十分得られる縦結合多重モードＳＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、この水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振されるＳＡＷを水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、ＳＡＷの波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部１１ａ、１１ｂを２段縦続接続にて形成し、各々の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部１１ａ、１１ｂのＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせるようにした。 （もっと読む）

【課題】 タンタル酸リチウム基板において、従来よりも適切なカット面及び弾性表面波伝搬方向を見出し、これによって高性能の弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 タンタル酸リチウムからなる圧電基板については、該圧電基板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を、オイラー角表示で（φ，θ，ψ）及びこれと実質的に等価な範囲とするとき、０°≦φ≦８７°，８０°≦θ≦１２０°，０°≦ψ≦４４°に設定する。 （もっと読む）

ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層と、前記電極及び第１絶縁物層を被覆するように形成された第２絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第１絶縁物層の１．５倍以上である、弾性表面波装置。
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【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク３０は、透明基板３２に、圧電体基板に形成するすだれ状電極に対応した向きの異なる同一の電極パターン３４（３４ａ〜３４ｃ）が設けてある。これら電極パターン３４は、圧電体基板の位置による弾性表面波素子の周波数温度特性のばらつきに応じて、フォトレジストを露光する際に使い分ける。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板と支持基板とを貼り合せて形成された複合圧電基板であって、前記圧電基板の表面には弾性表面波を励振するための金属電極が形成されており、該金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記支持基板と前記圧電基板とは接着剤を介して又は直接的に接合されたものであることを特徴とする複合圧電基板。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】 水晶板をストップバンドの上限モードで励振する場合に、縦モードによるスプリアスを主共振から所定周波数以上遠ざけることができるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片は、水晶板の表面にすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。水晶板は、カット角がオイラー角表示で（０°，θ，０°≦｜ψ｜≦９０°）となっている。弾性表面波素子片は、ＩＤＴにより水晶板に生成された弾性表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極指の膜厚をＨとした場合、Ｈ／λ＝０．０９のとき、電極指の対数が１４０以下、Ｈ／λ＝０．１０のとき、電極指の対数が１３０以下、Ｈ／λ＝０．１１のとき、電極指の対数が８０以下にしてある。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は、
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２と、
バッファ層１２の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３と、
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層１４またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特に、温度特性）に優れる弾性表面波素子、および、かかる弾性表面波素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶基板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５と、ＩＤＴ３および反射器４、５の上面に選択的に設けられた絶縁保護膜とを有している。この弾性表面波素子１は、ＩＤＴ３および反射器４、５を、弾性表面波の伝搬方向と基板２のＸ軸とのなす角度ψが９０±１０゜となるように配置し、横波型弾性表面波が励振されるよう構成されている。そして、カット角θが、１２６〜１５０°であり、絶縁保護膜の規格化膜厚Ｈｚ／λ（Ｈｚは絶縁保護膜の平均厚さを示し、λは横波型弾性表面波の波長を示す。）が、０．０２〜０．４であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいＡｌを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板２の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角（０°、１３５〜１８６°、９０±２°）の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚ｈ／λは０．０８２〜０．１５０に設定し、ＳＨ型表面波を励振する。 （もっと読む）

弾性表面波素子上に反応膜が形成された質量負荷による周波数変化量の測定により検出対象物質を検出もしくは定量する弾性表面波センサーであって、弾性表面波素子自体の構造の改良により感度が高められた弾性表面波センサーを提供する。ＳＨタイプの弾性表面波を利用しており、オイラー角が（０°，０°〜１８°，０°±５°）または（０°，５８°〜１８０°，０°±５°）である回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されており、Ａｕを主成分とする表面波励振用電極３と、表面波励振用電極３を覆うようにＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜４とを備え、上記インターデジタル電極３の波長で規格化された膜厚が０．８〜９．５％の範囲とされている、弾性表面波センサー１。
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【課題】 高周波化を可能とし、周波数温度特性が優れ、且つ、製造コストを低減できるラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】 ラム波型高周波共振子１は、水晶基板１０の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のＩＤＴ電極２０を備えたラム波型高周波共振子であって、前記水晶基板１０の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で（０、θ、０）になるようにＩＤＴ電極２０が形成され、水晶基板１０の厚みｔと、波長λとの関係が、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲内に設定され、この範囲において６つの領域が設定され、そのうちの第１領域では、角度θが１３２．８度≦θ≦１７８度、ｔ／λが１．１≦ｔ／λ≦３の範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６５°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＴａ又はＴａを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λをＨ／λ≧０．０１の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】シングル電極の櫛型電極内の内部反射を抑圧するＳＡＷトランスバーサルフィルタとして利用可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷトランスバーサルフィルタ１は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚ＨｍのＩＤＴ２とを備えている。ＩＤＴ２は、アルミニウムを主成分とする極性が正である正極２−１と、アルミニウムを主成分とする極性が負である負極２−２と、から構成されており、正極２−１と、負極２−２とが弾性表面波の１波長内に配置されている。誘電膜３は、正極２−１と負極２−２の間の圧電基板の表面に形成され、二酸化ケイ素を主成分とし、誘電膜３の膜厚Ｈｄは、弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｄが弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｍより略３％厚くして設けられている。 （もっと読む）