【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子におけるＱ値の向上とＣＩ値の低減。
【解決手段】ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２は、中央部に配置された第１領域１４ａと、その両側に配置された第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃとを備え、電極指間隔が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、かつ第１領域１４ａに比べて第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは電極指間隔が大きく形成され、ライン占有率が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、第１領域１４ａは第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃに比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは第１領域１４ａに比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたアルミニウムを主成分とする材料により形成された交差指状電極とを備えた弾性表面波装置であって、交差指状電極の厚さｈを当該交差指状電極の電極間隔λで規格化した規格化膜厚ｈ／λが７〜１１％であり、単結晶圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、添加物として鉄を含み、かつ、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４６°±０．３°の範囲の角度で回転させた方位を有する。 （もっと読む）

【課題】境界弾性波装置は、小型で温度安定性に優れている。しかし、Ｑ値を高く出来ない、また高コストな薄膜技術を必要とする。本発明の目的は、Ｑ値が優れ、低コストな境界弾性波装置を提供することにある。
【解決手段】θＹＸ−ＬＮ単結晶圧電基板の表面に、アルミニウムを主成分とする膜厚ｈｍ、電極指周期λの櫛形電極と短絡型反射器（厚さｈｒ）をパターニングし、その櫛形電極と反射器上に、膜厚がｈ1の酸化珪素膜と膜厚がｈ2の窒化アルミニウム膜６を形成した境界弾性波装置において、
２．５≦ｈｒ／λ≦８．５％、
とする。 （もっと読む）

【課題】フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】広帯域な弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子は、擬似弾性波が伝播するよう構成された表面を有する圧電基板と、圧電基板の表面の一部に設けられた櫛歯電極と、櫛歯電極を覆いかつ圧電基板の表面に設けられた誘電体層とを備える。圧電基板はニオブ酸リチウムからなる。誘電体層は五酸化タンタルからなる。圧電基板における回転Ｙ板のカット角が２．５度以上２２．５度以下である。誘電体層の膜厚Ｈの、圧電基板を伝播する擬似弾性波の中心周波数の波長λに対する比Ｈ／λが０．０３４〜０．１２６である。この弾性波素子は広帯域である。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子が境界波素子である場合に、バルク放射による損失を抑制する。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明の弾性波素子６は、圧電基板７と、この圧電基板７の上に設けられた櫛歯電極８と、圧電基板７の上にこの櫛歯電極８を覆うように設けられた第１誘電体層９と、この第１誘電体層９の上に設けられた第２誘電体層１０を備え、この第２誘電体層１０を伝搬するバルク波のうち横波の速度Ｖｓは櫛歯電極８において励振される弾性波の速度Ｖより速く、かつ、櫛歯電極８において励振される弾性波の速度Ｖは、圧電基板７を伝搬するバルク波のうち最も遅い横波の速度Ｖｂより遅く、かつ、圧電基板７における回転Ｙ板のカット角が１５度以上２５度以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板からなる圧電基板上にＩＤＴを形成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて周波数温度特性を向上させる。
【解決手段】カット面及びＳＡＷ伝搬方向がオイラー角（φ，θ，ψ）表示でφ＝（２７．１５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）又はφ＝（６２．８５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）、θ＝９０±７．５°、及びψ＝９０±１２°であるＬi₂Ｂ₄Ｏ₇からなる圧電基板２上に、レイリーＳＡＷを励振する一方向性の入力用及び出力用ＩＤＴ３，４をＳＡＷ伝搬方向に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ_３基板を用いた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が大きいだけでなく、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、かつ該電気機械結合係数ｋ^２が大きい範囲を実現するＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角範囲が拡げられる、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２の上面２ａに複数本の溝２ｂが形成されており、複数本の溝２ｂに充填された金属材料からなる複数本の電極指を有するＩＤＴ３が設けられており、該金属材料がＴａもしくはＭｏまたはこれらの金属の少なくとも１種を主体とする合金からなる、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】スプリアス特性を抑制すること。
【解決手段】圧電基板と、圧電基板の表面上に形成され複数の電極指を有するＩＤＴと、を具備し、圧電基板は、圧電基板表面の電極指の長手方向をｙ軸、圧電基板表面のｙ軸に垂直な方向をｘ軸、圧電基板の法線方向をｚ軸としたとき、ｘ軸およびｚ軸方向の変位を成分とする第１表面波モードとｙ軸方向の変位を成分とする第２表面波モードとを有し、電極指の膜厚は、第１表面波モードの反共振点（ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度と第２表面波モードの反共振点（ＳＨ−ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度とが一致する膜厚ｈｃ／λである弾性表面波デバイスおよび弾性波フィルタである。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１１のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である水晶基板１１に少なくとも一つのＩＤＴ電極１２を配置してなるＳＨ型バルク波共振子１０において、ＩＤＴ電極１２がアルミニウムであって、オイラー角表示の角度θが９５°＜θ＜１５１°であり、水晶基板１１の厚みをｔ、弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４である。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波を利用したＳＡＷデバイスの通電時の周波数シフトを低減する方法を提供する。
【解決手段】水晶基板１１は、Ｙカット水晶基板の回転角θを結晶軸Ｚより反時計方向に約−５０°とし、結晶軸Ｘに対し９０°±５°方向（Ｚ’軸方向）に伝搬するＳＨ波型表面波を励起する基板を用いる。そして、水晶基板１１のＺ’軸方向に沿ってアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極１２と、その両側にグレーティング反射器１３ａ、１３ｂとを配置して、ＳＨ波型ＳＡＷ共振子を構成する。また、前記ＩＤＴ電極１２を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、ライン占有率ｍｒが、０．４１＜ｍｒ＜０．５３を満足する。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である前記水晶基板に少なくとも一つのＩＤＴ電極を配置してなるＳＨ型バルク波共振子であって、前記ＩＤＴ電極がアルミニウムであって、オイラー角表示の前記角度θが０°≦θ≦９５°または１５１°≦θ≦１８０°であり、前記水晶基板の厚みをｔ、前記弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ／λがｔ／λ≦４とする。 （もっと読む）

【課題】小型で広い温度範囲にわたり周波数温度特性に優れたＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板５にＩＤＴ２０が形成され、ＩＤＴ２０の上側および下側のストップバンド付近に共振を有し水晶基板５が斜対称性を備えたＳＡＷ共振子１０であって、前記上側のストップバンド付近の共振が有する高次モードの共振周波数と、前記下側のストップバンド付近の共振が有する基本波モードの共振周波数とを一致させて結合状態を形成した。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を必要とせず、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＰ＋ＳＶ型弾性境界波としてのストンリー波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ型弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を採用することなく得ることができ、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＳＨ型弾性境界波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜４８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タングステンからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００２５〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ_２膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】１７°〜５８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タンタルからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０±２°，１０４〜１４１°，０±２°）のＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、密度８７００〜１０３００ｋｇ／ｍ³、ヤング率１．８×１０¹¹〜４×１０¹¹Ｎ／ｍ²あるいは横波音速が３１７０〜３２９０ｍ／秒である、ＮｉやＭｏなどで代表される金属もしくは該金属を主体とする合金または前記金属もしくは合金からなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００８〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性
を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方
向に−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結
晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。
また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金
からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１
２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（
電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０
．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）