【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、速い位相速度、優れた周波数温度特性を有するラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶基板２０と、水晶基板２０の主面に第１交差指電極３１と第２交差指電極３２が間挿して構成されるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０と、を備え、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の交差幅をＷとし、ラム波の波長をλとしたとき、交差幅Ｗが２１λ≦Ｗ≦５４λで表される範囲に設定される。また、水晶基板２０の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で（０、θ、０）になるようにＩＤＴ電極３０が形成され、角度θが、３５度≦θ≦４７．２度で表される範囲において、水晶基板２０の厚みｔと、ラム波の波長λとの関係で表される規格化基板厚みｔ／λが、０．１７６≦ｔ／λ≦１．９２５の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が少なく、小型化が可能なランタンガリウム珪酸塩結晶基板を用いた弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】直交系結晶軸（ｘ，ｙ，ｚ）をオイラー角（φ，θ，ψ）によって座標変換を行った後の座標系を（ｘ１，ｘ２，ｘ３）とすると、ｘ３軸に垂直な結晶切断面が基板表面となり、ｘ１軸が弾性表面波の伝搬方向となるランガサイト基板１０が得られる。弾性表面波フィルタ１００には、このようなランガサイト基板１０上に斜め電極指を構成する入力側すだれ状電極１２，１４と、同様に斜め電極指を構成する出力側すだれ状電極１６，１８と、が位相速度の伝搬方向であるｘ１軸に対してパワーフロー角（ＰＦＡ）傾けた群速度の伝搬方向に沿って配置されている。 （もっと読む）

【課題】バルク波に基づくスプリアスを低減できるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２にすだれ状電極からなるＩＤＴ１４、１６を有する。圧電基板１２は、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（４５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）または（１３５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）である四ホウ酸リチウムからなっている。すだれ状電極からなるＩＤＴ１４、１６は、ＩＤＴ１４によって圧電基板１２に励振されたバルク波の群速度方向と異なる方向に沿って配置してある、 （もっと読む）

【課題】異方性を示す方向を精度良く決定することができ、特定の好適な位置に薄膜構造を形成して高精度な球状弾性表面波素子を作成することができる異方性球状材料の方向測定方法、異方性球状材料の方向測定装置および球状弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波制御手段１２が、マニピュレータ１１ｂに保持された球状材料１の表面の所定の位置で、軸に垂直な平面上の大円に沿って伝搬する弾性表面波を発生可能である。弾性表面波制御手段１２は、所定の位置における大円に沿って周回した弾性表面波の所定の物理量を測定可能である。マニピュレータ１１ｂにより、保持した球状材料１に対し、その周囲で大円に沿って弾性表面波制御手段１２を相対的に回転させ、互いに異なる複数の回転角ごとに弾性表面波の発生および物理量の測定を繰り返し、各回転角ごとに測定された物理量に基づいて、異方性を示す方向を決定する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】励振電極に保護膜が被覆された際に、ＳＡＷ装置の周波数温度特性が良好となるＳＡＷ装置を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するためのＳＡＷ装置は、カット角がオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の範囲内にある事を基本とする面内回転ＳＴカット水晶基板（圧電基板）を用いたＳＡＷ装置である。そして、設定された共振周波数において所望する周波数温度特性を得るために必要とされる前記圧電基板のカット角に、圧電基板の主面に構成する励振電極本体に対する保護膜付与の影響による周波数温度特性の変化量に基づいて予め求めた面内回転角ψの補正量Δψを加えたカット角によって構成した圧電基板１２と、圧電基板１２の主面に形成された励振電極本体１８と、補正量Δψによる周波数温度特性の変化量に対応した膜厚に設定されて励振電極本体１８に付与される保護膜２０とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が極めて良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない安価な弾性表面波素子を生産性高く提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波または漏洩弾性表面波を励振・検出する金属電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板とセラミック基板とを接着剤を介して貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記圧電基板表面の弾性表面波または漏洩弾性表面波の伝播方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装された弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、３次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上の位相伝播方向Ｘに弾性表面波を励振する少なくとも１個のすだれ状電極と前記位相伝播方向Ｘの両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子であって、すだれ状電極における電極指の前記位相伝播方向Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／６±１／１２）の範囲であり、反射器における位相伝播方向Ｘ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／６±１／１２）の範囲であり、前記配列周期長ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝３Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】圧電基板にＳＴカット水晶基板を用いると周波数温度特性の２次温度係数が−０．０３４（ｐｐｍ／℃²）と大きいので実用上の周波数変動量が極端に大きくなってしまう点であり、また特公平０１−０３４４１１号に開示されているＳＡＷデバイスの構造では、ＩＤＴの対数を非常に多くしなければならないのでデバイスサイズが大型になってしまう点である。
【解決手段】水晶基板を用いたSAWデバイスにおいて、圧電基板１上に、それぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指からなるＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。 （もっと読む）

【課題】シングル型ＩＤＴ電極を備え、発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、周波数温度特性が優れ、また高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのシングル型ＩＤＴ電極を少なくとも備え、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置であって、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°に設定し、かつ、ＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅をｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチをＰ、弾性表面波の波長をλ、η＝ｄ／Ｐとしたとき、Ｈ／λ≧０．１７９６η³−０．４３０３η²＋０．２０７１η＋０．０６８２とする。 （もっと読む）

単結晶のＬｉＮｂＯ３からなる基板を有する電子音響部材が提案される。この第２オイラー角μに関しては以下のことが該当する。−７４°≦μ≦−５２°または２３°≦μ≦３６°。第１オイラー角λに関しては、
【数１】


が、また第３オイラー角θに関しては
【数２】


が該当する。
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【課題】ＳＴカット水晶板を用いた弾性表面波素子片より優れた周波数温度特性が得られ
るようにする。
【解決手段】水晶基板に設けたすだれ状電極が前記水晶基板に生成した弾性表面波の波長
をλとしたときに、前記すだれ状電極の有効膜厚が４．８％λ以上であって、前記水晶基
板のカット角がオイラー角表示で（０°〜±５°，θ，ψ）とした場合に、θとψとは、
次の（１）〜（６）のいずれかである。（１）１３５°＜θ≦１５０°、±４０°≦ψ≦
±５５°、（２）１１３°≦θ≦１２５°、±３５°≦ψ＜±４０°、（３）１００°≦
θ≦１４０°、±５°≦ψ≦±２６°、（４）８０°≦θ＜１１３°、±２６°≦ψ≦±
４５°、（５）３０°≦θ≦９５°、０°≦ψ≦±２６°、（６）２０°≦θ≦４０°、
±７０°≦ψ＜±９０°。 （もっと読む）

【課題】水晶基板に圧電薄膜を形成した表面波装置において、スプリアスが小さく、温度特性が良好であり、かつレイリー波の電気機械結合係数Ｋ² を拡大し得る表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ、θ、ψ）において、φが−２．５°±５°、θが１１６°±５°及びψが＋２．５°±５°の範囲にある水晶基板２と、前記水晶基板２上に形成された圧電薄膜５と、前記圧電薄膜５に接するように形成されたくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとを備え、前記水晶基板２のオイラー角が、図６におけるレイリー波のパワーフロー角ＰＦＡが±２．５°となる範囲にあり、図７における表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦが±５ｐｐｍ／℃となる範囲にあり、前記圧電薄膜５の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、圧電薄膜５の規格化膜厚Ｈ／λが０．０５以上とされており、かつ、前記圧電薄膜５の周波数温度係数ＴＣＦがマイナスの値を有する、表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】圧電特性などに優れた新規な圧電材料を提供すること。
【解決手段】圧電材料は、下記一般式（１）で表される。
x(K_1/2Bi_1/2)TiO₃-(1-x)KNbO₃ ・・・（１）
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性と挿入損失と耐電力性を改善した弾性表面波デュプレクサならびに、これらの弾性表面波フィルタ、弾性表面波デュプレクサ又は弾性表面波共振子を用いた通信装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１９と、圧電基板１９上に形成され、バスバー電極１２ａを有するＩＤＴ電極１と、ＩＤＴ電極１の弾性表面波の主伝搬方向Ｆの両端に隣接して配置された反射器電極２と、繰り返し形成された電極を有し、反射器電極２の外側の位置であって、ＩＤＴ電極１のバスバー電極１２ａを仮想的に延長した直線上に配置された補助反射器電極３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】 圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化してＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）