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Fターム[5J108BB01]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 圧電体の材料 (4,172) | 単結晶 (2,938)

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【課題】熱処理における温度変化に対して周波数変動の少ない圧電振動片および圧電デバイスを提供する。
【解決手段】矩形形状の圧電振動片20は、第1面と、その第1面の反対面の第2面とを有し、所定の熱膨張係数を有する圧電片20と、所定の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有し、下地の第3電極パターン27の上に形成され、第1面に形成される第1電極膜23と、所定の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有し、第2面に形成される第2電極膜25と、を有する。第1電極パターン23および第2電極パターン25はともに、圧電振動片20の中央領域に形成され、中央領域から端部へ延びる第1引き出し電極23−aおよび第2引き出し電極25−aを有している。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜共振子の副共振を抑制する。
【解決手段】圧電薄膜共振子1では、下面電極14、圧電体薄膜15及び上面電極16を積層した振動積層体18の固定領域912の下面にキャビティ形成膜13が形成され、支持基板11、接着層12及びキャビティ形成膜13を積層した支持体17が自由振動領域911の外縁において振動積層体18を支持している。圧電体薄膜15の下面には、圧電体薄膜15を薄肉化する掘り込み156が形成されている。掘り込み156は、自由振動領域911の外縁に自由振動領域911の外郭に沿って形成されている。掘り込み156は、圧電体薄膜15を薄肉化することにより、支持体17に支持されている固定領域912の共振周波数の極端な低下を緩和し、圧電薄膜共振子1の副共振を抑制する役割を果たしている。 (もっと読む)


【課題】溝部が形成されている振動片の製造に際して、振動片の外形輪郭の寸法精度を高くする。
【解決手段】溝部を有する振動片を製造する方法であって、基板に金属膜を形成し、この金属膜をマスクとして基板をエッチングして振動片の外形と溝部とを形成する方法であり、一つの振動片に対して2つの金属膜を対向させて形成し、両金属膜の外側の縁部は振動片の外形形状に対応し、対向する内側の縁部はそれぞれ振動片の溝部の縁部に対応する金属膜を基板上に形成する金属膜形成工程と、この金属膜を用いてエッチングを行うエッチング工程とを備える。エッチング工程は、2つの対向する金属膜の外側の各縁部により基板をエッチングして振動片の外形を形成する第1のエッチング工程と、2つの金属膜の対向する内側の各縁部により基板をエッチングして振動片の溝部を形成する第2のエッチング工程の2つの工程とする。 (もっと読む)


【課題】微細化に際しても電極の振動を抑制し、出力特性のばらつきを防ぎ、信頼性の高い振動子、これをもちいた電気機械共振器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】振動子3と、前記振動子3と所定の微小ギャップを隔てて配設された対向電極7Tとを備え、前記振動子3と前記対向電極7Tとの間の静電容量の変化に基づいて、前記振動子3の機械的振動を電気信号として出力するように構成され、前記対向電極7Tが、半導体基板表面に絶縁層5を介して形成された外部接続用の電極端子7Pと一体的に形成されており、前記電極端子7Pおよび前記電極端子7Pと前記対向電極7Tとの連結部7Sが、その下層の前記絶縁層5を貫通して形成された貫通孔11に充填された支持部13によって固定された電気機械共振器を構成する。 (もっと読む)


【課題】Q値を向上することができる静電振動子を提供する。
【解決手段】機械振動子10a,10bの一方の接続部である端部10cは、振動伝搬部11を介して振動緩衝部13に接続されている。一方、機械振動子10a,10bの他方の接続部である端部10dは、振動伝搬部12を介して振動緩衝部14に接続されている。振動緩衝部13は固定部15に接続され、振動緩衝部14は固定部16に接続されている。機械振動子10から伝搬する振動が振動緩衝部13,14で減衰し、固定部15,16の振動変位が抑制される。これによって、支持による振動エネルギーの損失が抑制されるので、高いQ値を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】圧電デバイスの経年的な共振周波数の変化を低減する圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電材料からなる圧電基板表面に励振電極16を形成した圧電振動素子15を導電性接着剤17にて容器10内に搭載する素子搭載工程と、容器10と一方の面にシリコーン系樹脂21を供えた蓋体20とを、シリコーン系樹脂21が空間内に収納されるように接合して気密に封止する封止工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜デバイスの特性を向上する。
【解決手段】圧電薄膜共振子1は、支持基板11の上に、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極14、圧電体薄膜15及び上面電極16(161,162)をこの順序で積層した構造を有している。対向領域181の外側において圧電体薄膜15を支持基板11に固定し、キャビティ135を駆動部1611より大きくした上で、駆動部1611の周縁部に加重部分1615を配置し、加重部分1615よりも中央部寄りに軽減部分1616を配置すると、主共振の共振周波数と反共振周波数との間に重畳する副共振や主共振の共振周波数よりも低周波数側に重畳する副共振を実用上問題とならない程度まで抑制することができるとともに、主共振のQ値を大幅に上昇することができる。 (もっと読む)


【課題】従来では、導電性接着剤により外部接続用電極と素子接続用電極パッドとの固着を行った場合、導電性接着剤を固化させなければならないが、固化後は硬度が高くなってしまい、且つ付着面積が比較的広いので、圧電振動素子の振動を抑圧してしまい振動特性を悪化させる場合がある。
【解決手段】圧電振動素子に形成した基板接続用電極と、絶縁基板に形成した素子接続用電極パッドとの間を、少なくとも1本のニッケルピラーにより電気的且つ機械的に接続固着した圧電デバイス及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 プラズマアーク電極とインナーリードとの間だけにアーク放電を発生させて、高品質な圧電振動子を効率良く製造すること。
【解決手段】 シリンダパッケージタイプの圧電振動子を製造する方法であって、圧電振動片2及びプラグ4を、振動片ホルダ及び気密端子ホルダにそれぞれセットするセット工程と、マウント電極16上にインナーリード26aが位置するように位置を調整する調整工程と、プラグを押え工具35で押さえつけ、インナーリードをマウント電極に密着させる密着工程と、トーチ電極をセットするトーチ電極セット工程と、プラズマアーク放電によりインナーリードとマウント電極とを接合する接合工程と、ケースとステムとを封止する封止工程とを備え、接合工程を行う前に、インナーリードの表面の所定位置に突起部材41を押し付けて、インナーリードの表面に凹凸を形成する凹凸形成工程を行う圧電振動子の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】横モードによる不要振動の発生を防いでスプリアスを抑制することができると共に、応力集中による信頼性低下を回避した圧電薄膜を有するデバイスを提供する。
【解決手段】本発明による音響共振器は、基板105と、基板105の上に形成された支持部104と、支持部104の上に形成された下部電極103と、下部電極103の上に形成された圧電体101と、圧電体101の上に形成された上部電極102とからなる。下部電極103、圧電体101、及び上部電極102は、振動部107を構成する。振動部107を支持する支持部104は、垂直断面の少なくとも1箇所が曲率を有した形状となるように形成される。 (もっと読む)


【課題】複数の共振器を含む圧電薄膜デバイスにおいて、複数の共振器の干渉に起因する特性劣化を防ぐ。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ1は、支持基板11の上に、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極15、圧電体薄膜16及び上面電極17をこの順序で積層した構造を有している。上面電極171は、対向領域E11において、圧電体薄膜26を挟んで下面電極151と対向し、上面電極171及び下面電極151を駆動電極とする共振器(直列共振器)R11を構成している。上面電極172は、対向領域E12において、圧電体薄膜26を挟んで下面電極152と対向し、上面電極172及び下面電極172を駆動電極とする共振器(並列共振器)R12を構成している。下面電極153は、下面電極151と下面電極152とを接続する配線電極であるとともに、下面電極151及び152と材質及び膜厚が異なっている。共振器R11及びR12を音響的に分離している。 (もっと読む)


【課題】伝搬損失の小さい、小型で高性能な弾性表面波機能素子及び弾性機能素子を提供する。
【解決手段】圧電性基板1上に、すだれ状電極金属薄膜7、8を付着させ、その上にグレーティング構造からなる伝搬速度が1000m/s以下の超低速薄膜、或いはTeO薄膜9を付着させる。これにより、非常に薄い膜厚で大きな反射係数をもつ弾性表面波機能素子を得る。また、構成として、圧電性基板或いは圧電性薄膜基板表面に、超低速薄膜、或いはTeO薄膜を付着させた構造の分散型機能素子、或いはこの薄膜をグレーティング構造とし、大きな反射係数をもつ弾性表面波基板、或いはこの薄膜と高インピーダンス薄膜を組み合わせた弾性波共振器を用いた弾性機能素子を得る。 (もっと読む)


【課題】 小型・低背で、且つ、衝撃に強く、高い耐衝撃性能を有する圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 圧電振動子41をセラミックスパッケージ46内に片持ち梁状に固定されてなる圧電デバイスにおいて、衝撃や振動などの外力を受けたときに圧電振動子41に生じる変位を、その変位が自由部の最端部42に生じる変位に比べて小さい部分で拘束する機構を設ける。 (もっと読む)


【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜1を第1圧電体薄膜13と第2圧電体薄膜15との2回に分けて
形成する。ここで、第1圧電体薄膜13形成後に熱処理を行うため、第1圧電体薄膜13
の結晶性が、熱処理前の第1圧電体薄膜13と比較して向上できる。そして、その後形成
される第2圧電体薄膜15も熱処理後の第1圧電体薄膜14に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜1を得ることができる。また、第1圧電体薄膜13,1
4の膜厚が、5nm以上で100nm以下で、圧電体薄膜1全体の膜厚である数μmと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が300℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、80
0℃以下であれば、基板10との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 (もっと読む)


【課題】極めて小型で、例えば数十kHz帯の共振周波数を得ることができる音叉振動子を提供する。
【解決手段】音叉振動子100は、基板2と、該基板2の上方に形成された酸化物層3と、該酸化物層の上方に形成された半導体層4と、を有するSOI基板1と、前記半導体層4と前記酸化物層3を加工して形成された、半導体層からなる音叉型の振動部10と、前記振動部10の屈曲振動を生成するための駆動部20と、を含む。振動部10は、支持部12と、該支持部を基端として片持ち梁状に形成された二本のビーム部14a,14bと、を有し、駆動部20は、前記二本のビーム部14a、14bの上方にそれぞれ1対づつ形成され、一つの駆動部20は、第1電極層22と、該第1電極層22の上方に形成された圧電体層24と、該圧電体層24の上方に形成された第2電極層26とを有する。 (もっと読む)


【課題】 Qmの値を小さくせず小型化できる圧電振動子および小型で、高精度、高信頼性を有する圧電振動ジャイロを提供することを課題とする。
【解決手段】 圧電素子11に2層の電極層を設け、1層目の電極層にパターニングで駆動電極と検出電極とを設け、2層目の電極層は圧電振動子1の振動しない部分にパターニングで入出力電極を設け圧電振動子1の振動する部分の電極層を1層にする。 (もっと読む)


【課題】部品どうしの接合に際しての位置合わせを容易にして、特に精度良く大量生産できる圧電デバイスならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】パッケージ37内に圧電振動片20を収容して蓋体33により気密に封止された圧電デバイスであって、前記パッケージが、底部38とこの底部の周縁で起立する壁部39とを備えることで内側にキャビティCを有しており、前記底部表面に駆動電圧を供給するための電極部が設けられ、該電極部に対して前記圧電振動片20が接合されることにより、該圧電振動片を前記キャビティ内に収容しており、かつ前記底部38と前記壁部39とが一体に形成されている。 (もっと読む)


【課題】高周波機械振動子の振動を効率よく増幅する。
【解決手段】例えば振動子を梁構造とし、梁側面に空隙を介して電極を近接させ配置する。両者間に交流電圧を加えて静電力で振動子を励振する一方で、交流信号周波数と同一または2倍の周波数の信号を利用して振動子のばね性に変調を加え、パラメトリック共振の原理により振動を増幅する。励振力とばね性の変調の位相を最適にすることで効率よく振動子の振幅を増幅することができる。 (もっと読む)


【課題】熱膨張率の差に起因する特性変動や破損を防止する。
【解決手段】4個の圧電薄膜共振子R11〜R14を含む圧電薄膜フィルタ1は、圧電薄膜フィルタ1のフィルタ機能を提供するフィルタ部11と、フィルタ部11を機械的に支持する平坦なベース基板13とを接着層12を介して接着した構造を有している。圧電薄膜フィルタ1の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜111を得ているが、ベース基板13及び圧電体基板として同種の単結晶材料の基板を採用し、圧電体薄膜111及びベース基板13で熱膨張率を一致させている。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜デバイスにおいて、圧電体薄膜の見かけ上の電気機械結合係数の低下を防止する。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ1の圧電薄膜共振子R11においては、全面が均一に配向した圧電体薄膜111の上面及び下面に、励振領域E11において対向する上部電極1121及び下部電極1131が形成されている。上部電極1121は、励振領域E11から+X方向へ向かって非励振領域E1Xに引き出され、下部電極1131は、圧電体薄膜111の下面において、励振領域E11から−X方向へ向かって非励振領域E1Xに引き出されている。 (もっと読む)


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