【課題】 本発明は、ベース内に突出部を形成することによりベースとリッドとの接合面の幅を一定の大きさ以上に形成し、ベースとリッドとの接合強度が確保された圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 表面実装型圧電デバイスは、励振電極（１３１）と励振電極から引き出される引出電極（１３２）とを有する圧電振動片（１３０）と、短辺と長辺とからなる内壁（１２９ａ）及び外壁（１２９ｂ）と、内壁と外壁との間に形成される接合面（１２２）を有し、内壁内の底面に圧電振動片を収容する矩形形状のベース部（１２０）と、ベース部の接合面で接合するリッド部と、を備え、外壁の短辺に短辺の中央から内壁側に凹んだキャスタレーション（１２７ｂ）が形成され、内壁の短辺にキャスタレーションに対応して突き出た突出部（１２８）が形成され、突出部の少なくとも一方と内壁の長辺との間の底面に、引出電極と導通する接続電極（１２４）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】振動特性の劣化を回避しつつ、振動片の固定強度を確保し、所期の耐衝撃性能を達成することができる振動デバイスの提供。
【解決手段】水晶振動片１０の固定部１４，１５は、引き出し電極１６，１７を有する第１固定領域１４ａ，１５ａと、平面視において、第１固定領域１４ａ，１５ａを両側から挟む第２固定領域１４ｂ，１５ｂとを含み、水晶振動片１０の第１固定領域１４ａ，１５ａとパッケージベース２１の固定面２４とが、平面視において、第１固定領域１４ａ，１５ａと重なる範囲内で導電性接着剤４０によって固着されると共に、第２固定領域１４ｂ，１５ｂとパッケージベース２１の固定面２４とが、非導電性接着剤４１によって固着され、パッケージベース２１は、引き出し電極１６，１７に供給される信号とは異なる信号が供給される導電部が、平面視において、第１固定領域１４ａ，１５ａと重なる範囲を回避した位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】振動素子のチューニングの際に用いるレーザー光による半導体基板の能動領域へのダメージを抑制し、電気的特性の安定した振動デバイスを提供する。
【解決手段】センサーデバイス１において、半導体基板としてのシリコン基板１０は、能動面１０ａ側に半導体素子を含んで構成される集積回路が形成された能動領域を有している。シリコン基板１０上に振動ジャイロ素子２０が配置されたセンサーデバイス１において、能動領域は、振動ジャイロ素子２０の駆動用振動腕２５ａ，２５ｂの先端側の錘部２８ａ，２８ｂ上に設けられた質量調整部としての錘電極４１と平面視で重なる領域を回避して形成されている。これにより、錘電極４１にレーザーを照射して周波数調整を行う際に、レーザーが能動面１０ａに到達したときに集積回路にダメージが加わるのを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】膜材料を塗布して膜を成膜する際に、膜厚のムラを抑制できるスピンチャック、このスピンチャックを備えた圧電振動片の製造装置、この製造装置を用いた圧電振動片の製造方法、この製造方法により製造された圧電振動片、この圧電振動片を備えた圧電振動子を提供する。
【解決手段】遠心力を利用し、水晶ウエハ６５（基板）の一方面６５ａにフォトレジスト材８５（膜材料）を塗布するために、水晶ウエハ６５の他方面６５ｂを基板保持部７２で保持して水晶ウエハ６５を回転させるスピンチャック７０であって、基板保持部７２は、水晶ウエハ６５の保持面７２ａと背面７２ｂとが稜線で接続される先細り状の外周部７２ｄを有し、水晶ウエハ６５の他方面６５ｂと基板保持部７２の背面７２ｂとが滑らかに連続していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状態から各々の圧電デバイス単体に切断されるときに破損が発生しにくく、ウエハ状態で各々の水晶振動片の周波数を測定して調整できる圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電デバイス（１００）は振動部（１０）を収納するパッケージの一部を構成し一対の直線状の第１辺（Ｌ１）及び第１辺に垂直な一対の直線状の第２辺（Ｌ２）を有する矩形の第１板（１２）と、第１板に接合され振動部を収納するパッケージの一部を構成する矩形の第２板（１１）と、第１板と第２板とを接合するガラス材料からなる接着剤（ＬＧ）と、を備える。また、一対の第１辺には外周から凹んだ一対のキャスタレーション（１２２）が形成され、一対のキャスタレーションは第１板の中心を通り第２辺に平行な直線（Ａｘ）で分けられる２つの領域にそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】応力フリータイプの圧電振動素子を基板上に片持ち支持する場合に、振動基板から十分に離間した両梁部の適所を固定することによって固定部と振動基板との間に梁部を介在させて、固定部で発生する支持応力が振動基板に影響を与えないようにした。
【解決手段】圧電基板が、振動基板１１と、振動基板の一方の端部寄り位置に固定されて該振動基板を片持ち梁状に支持する支持部２０と、支持部を基板４に固定するための固定部３０と、を有し、固定部３０は、第２の連結部２２に設けられ、且つ基板に対して固定部材により１点支持により固定され、固定部よりも振動基板の基端部寄りの梁部の特定部位と対向する前記基板の一主面に第１の凸部５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】製造工数の削減を図った上で、電極パターンとバンプとを高精度に位置決めできる水晶デバイス、水晶デバイスの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板２上に形成された引き回し電極２７，２８と、圧電振動片５を引き回し電極２７，２８に実装するためのバンプＢと、を備え、ベース基板２上には、バンプＢの位置合わせを行うためのアライメントマーク３５，３６が引き回し電極２７，２８とは別体で形成されている。 （もっと読む）

【課題】応力フリータイプの逆メサ型圧電振動素子を基板上に片持ち支持する場合に、振動基板から十分に離間した両梁部の適所を固定することによって固定部と振動基板との間に梁部を介在させて、固定部で発生する支持応力が振動基板に影響を与えないようにした。
【解決手段】圧電基板が、逆メサ型の振動基板１１と、振動基板の一方の端部寄り位置に固定されて該振動基板を片持ち梁状に支持する支持部２０と、支持部を基板に固定するための固定部３０と、を有し、固定部は、第２の連結部２２に設けられ、且つ基板４に対して固定部材により１点支持により固定され、固定部よりも振動基板の基端部寄りの梁部の特定部位と対向する前記基板の一主面に第１の凸部５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】重り金属膜の剥がれを抑制して、周波数の変動を抑制できる圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】幅方向に並んで配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１における延在方向の基端側が接続された基部１２と、振動腕部１０，１１の外表面に形成された重り金属膜２１と、を備えた圧電振動片４において、振動腕部１０，１１における長手方向の先端部の回避領域Ｒを避けた位置に重り金属膜２１を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】応力フリータイプの逆メサ型圧電振動素子を基板上に片持ち支持する場合に、振動基板から十分に離間した両梁部の適所を固定することによって固定部と振動基板との間に梁部を介在させて、固定部で発生する支持応力が振動基板に影響を与えないようにした。
【解決手段】圧電基板が、逆メサ型の振動基板１１と、振動基板の一方の端部寄り位置に固定されて該振動基板を片持ち梁状に支持する支持部２０と、支持部を基板４に固定するための固定部３０と、を有し、固定部は、第２の連結部２２に設けられ、且つ基板４に対して２つの固定部材により２点支持により固定され、各支持点Ｐ１、Ｐ２を結んだ線分Ｌ３の延長上に圧電基板が位置しており、固定部よりも振動基板の基端部寄りの梁部の特定部位と対向する基板の一主面に第１の凸部５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】不要振動である輪郭振動と屈曲振動を抑圧したメサ型振動片およびメサ型振動デバイスを提供する。
【解決手段】メサ型振動片１０は、肉厚部１４と、肉厚部１４に隣接して設けた肉薄部１６とを備えた素板１２を有している。この素板１２には、主振動として厚みすべり振動が励振する。この厚みすべり振動方向に交差する肉厚部１４の端部１４ａのうち少なくともいずれか一方は、対向する端部１４ａに対して平行になった平行部１４ｂと、平行部１４ｂに対して曲がった屈曲部１４ｃとを備えている。そして肉厚部１４の端部１４ａの長さをＭｚ、平行部１４ｂの長さをＭｌとすると、Ｍｌ≧Ｍｚ／４の関係を満たすようになっている。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増加、製造効率の低下、及び振動特性の変動を抑制した上で、圧電板上に被膜パターンをムラなく形成できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜形成工程は、ウエハＳ上の金属膜４３に向けて気流を発生させてフォトレジスト材を噴霧する噴霧器７３と、ワークステージ７２及びウエハＳ間に配置された複数のスペーサ７４と、、を有する形成装置７１を用いて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡易化が図れ、精度良く製造できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ本体のガラス基板３０の厚み方向における第１の位置にレーザー光を集光させて複数の第１の改質部を形成する第１のステップと、ガラス基板３０の第１の位置からガラス基板３０の厚み方向における第２の位置にレーザー光の集光位置を移動させる第２のステップと、ガラス基板３０の厚み方向における第２の位置にレーザー光を集光させて第１の改質部に連なる複数の第２の改質部を形成する第３のステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現することのできる圧電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電デバイス１００は、下側基板３０および上側基板２０と、それらに挟まれている中間基板１０とを含む圧電デバイスであって、中間基板は、圧電振動部１１と、圧電振動部の周囲を囲む枠部１２と、圧電振動部と枠部とを接続する接続部１５と、圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極１３と、圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極１４と、を有し、下側基板は、その下面に設けられた第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を有し、当該圧電デバイスは、上側基板の下面において、接続部の上方から、当該接続部から最も離れた側面に沿った位置まで延び、かつ位置から当該側面を通ることにより、第１の励振電極と第１の外部端子とを電気的に接続する第１の配線２３ｃ、ｄをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】共振特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、前記基板１０上に設けられた圧電膜１４と、前記圧電膜１４の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極１２および上部電極１６と、前記圧電膜１４を挟み前記下部電極１２および上部電極１６が対向する共振領域５０内に、複数の第１パターンと前記複数の第１パターンを連結する第２パターンとから構成された質量負荷膜２８と、を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１支持基板１２の上面に圧電基板１０を接合する工程と、圧電基板１０を接合する工程の後に圧電基板１０を薄層化させて圧電層１４を形成する工程と、圧電層１４の上面に第１電極１６を形成する工程と、第１支持基板１２に第１電極１６の下方に位置する孔部２２を形成する工程と、孔部２２を形成する工程の後に第１支持基板１２の下面に第２支持基板２４を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子の発振周波数の変動を低減することができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、基板部と、第１の枠部と、第２の枠部とからなる素子搭載部材と、第１の凹部空間内に搭載されている圧電振動素子と、第２の凹部空間Ｋ２内に搭載されているサーミスタ素子１４０と、第１の凹部空間を気密封止する蓋体と、第２の枠部に設けられている外部接続用電極端子Ｇと、素子搭載部材の第２の枠部の同一辺側で隣接しあう２つの外部接続用電極端子間に第３の凹部空間Ｋ３と、を備え、サーミスタ素子搭載パッド１１２が２個一対の第１のサーミスタ素子搭載パッドと２個一対の第２のサーミスタ素子搭載パッドにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の劣化や外部電極膜の剥離等を抑制しながら、金属芯材を有する貫通電極を具備した高品質なパッケージを製造すること。
【解決手段】金属芯材７ｂを有し、該金属芯材を介して電子部品４と外部とを導通させる貫通電極３２、３３を形成する貫通電極形成工程と、ベース基板４０とリッド基板とを陽極接合し、両基板の間にキャビティＣを画成する接合工程と、ベース基板の下面４０ｂに導電性材料を被膜して貫通電極に導通する外部電極を形成する外部電極形成工程と、を備え、接合工程と外部電極形成工程との間に、ベース基板の下面を研磨して、該下面のうちの少なくとも外部電極が形成される部分と、金属芯材の下端面と、を同時に研磨する研磨工程を行うパッケージの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】サーミスタ素子を接合する際に、サーミスタ素子がサーミスタ素子搭載パッドから外れてしまうことを低減することができる圧電デバイスの提供。
【解決手段】基板部と、第１の枠部と、第２の枠部とからなる素子搭載部材と、圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、サーミスタ素子搭載パッド１１２に搭載されているサーミスタ素子１４０と、サーミスタ搭載パッドと接続されている２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６と、第１の凹部空間を気密封止する蓋体と、第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターンは、第３の凹部空間Ｋ３に素子搭載部材の長辺側外周縁部と平行で、第２の凹部空間内底面の中心線に対して線対称となる位置に設けられ、２個一対のサーミスタ素子用配線パターンの主面には、バンプＢＰ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】不要なリップルを抑えることが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜３と、圧電薄膜３の一方の主面に設けられた上部電極１３、２３と、圧電薄膜３の他方の主面に設けられた下部電極１１、２１とを有し、基板２から音響的に分離されるように、上部電極１３、２３及び下部電極１１、２１が圧電薄膜３を介して重なり合う部分で圧電振動部１５、２５が構成されている第１及び第２の圧電共振子１０、２０とを備え、第１の圧電共振子１０と第２の圧電共振子２０とは入力端子と出力端子に対して直列または並列に接続されており、入力端子からみた圧電薄膜３の分極方向は互いに逆であり、第１の圧電共振子１０と第２の圧電共振子２０とは、横振動モードの共振周波数が互いに異なるように形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）