【課題】 過電流保護のための出力電流−出力電圧特性として所望の特性が得られ、通常動作領域において負荷電流が多くなった場合にも過電流保護ポイントまで正常な出力電圧制御動作が行えるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 電圧入力端子と出力端子との間に接続された制御用トランジスタ（Ｍ１）によって流される出力電流に縮小比例した電流を流す電流監視用トランジスタ（Ｍ２）と、該電流監視用トランジスタに流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換手段（Ｒ３）とを備え、通常動作状態では前記電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流さないようにし、電流監視用トランジスタに流れる電流が所定値以上になった場合には、電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流し、該電流−電圧変換手段により変換された電圧に基づいて制御用トランジスタをオフさせるように過電流保護回路（１３）を構成した。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】コンプリメンタリＳＥＰＰ回路において、出力抵抗を高くすることなくバイアス電流の安定したバイアス回路を提供する。
【解決手段】バイアス電流を検出する差動増幅器と、所定の電圧値と差動増幅器の出力電圧値との差分を増幅する演算増幅器と、演算増幅器の出力信号を絶縁伝達する絶縁伝達器と、絶縁伝達器の出力に応じたバイアス電圧を出力するバイアス電圧源とを備えたコンプリメンタリＳＥＰＰ回路のバイアス回路。差動増幅器、演算増幅器、絶縁伝達器の動作により、バイアス電圧源は、バイアス電流が増加すると出力するバイアス電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はＮＦ特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 ＴＲ１のコレクタに接続されているコイルＬ２（負荷手段）とＶｃｃとの間に接続された抵抗Ｒ９と、該抵抗Ｒ９に並列接続された制御電圧Ｖｇｃに応じてオン／オフするＴＲ３と抵抗Ｒ８との直列回路とからなるバイアスコントロール部１１を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオフすることにより、ＴＲ１のバイアスが浅くなってＮＦ特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオンすることにより、ＴＲ１のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】低出力モードで出力電力を変化させても、ゲインの差が殆ど生じない高周波増幅回路を実現する。
【解決手段】高周波増幅回路１００Ａは増幅用トランジスタ１０を備える。増幅用トランジスタ１０のベースは、バラスト抵抗素子５２を介してエミッタフォロワ用トランジスタ２０のエミッタに接続する。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のベースには、抵抗素子５１を介してバイアス電源が接続されている。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のコレクタには、抵抗素子５３を介してモード制御電源が接続されている。抵抗素子５３は固定抵抗値の抵抗素子である。モード制御電源は、可変電圧型であり、モードに応じて直流のモード制御電圧Ｖｍｏｄｅを発生する。モード制御電圧Ｖｍｏｄｅは、低出力モード時には低電圧となり、高出力モード時には高電圧となる。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】電力損失を最小限にすることが可能な複数の電源を含む電子装置を提供する。
【解決手段】パワーアンプ４０は、入力電圧Ｖｉに基づいた出力電圧の電力を被試験体ＤＵＴに供給する。検出回路４３は、パワーアンプ４０の動作電源であるスイッチング電源２２から、パワーアンプ４０に電流が流れたことを検出する。選択回路５１は、電流が流れない場合には、スイッチング電源２２の電圧値を所定値に設定し、電流が流れた場合には、スイッチング電源２２の電圧値を入力電圧Ｖｉより予め定められた値αだけ大きい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力なクロック入力インターフェース回路を提供する。
【解決手段】クロック入力インターフェース回路１は、インピーダンス整合・出力電圧調整抵抗Ｒ１１，Ｒ１３と、出力電圧調整抵抗Ｒ１２，Ｒ１４と、電流安定化抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、反射防止終端抵抗Ｒ１７と、ＤＣレベル阻止容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＦバイパス容量Ｃ３，Ｃ４と、電流源トランジスタＱ１，Ｑ２とから成る。クロック入力端子ＣＫにクロック信号を入力する伝送線路とインピーダンス整合し、かつ次段の回路の入力端子で必要とされるＤＣバイアス電圧を出力端子ＯＴ，ＯＣに与えることができるように、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ１７の値および容量Ｃ１〜Ｃ４の値が設定される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどのデバイスにバイアス電圧を供給するバイアス発生回路であって、電流消費を最小化し、かつ、性能を最大化するバイアス発生器を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと第２のトランジスタを備えたバイアス発生器であって、第２のトランジスタの制御ポートは第１のトランジスタの制御ポートと第２のトランジスタの入力ポートに接続され、第１のトランジスタを流れる第１の電流よりも第２のトランジスタを流れる第２の電流が大きい。同等のサイズを有する２つのトランジスタに異なる大きさの電流を供給することによって、バイアス発生器を流れる電流が最小化される。 （もっと読む）

【課題】電力効率の低下を抑制する。
【解決手段】増幅部１は、電力ノードＮ１に供給される電力によって入力信号を増幅する。電源部２は、電力ノードＮ１に固定電圧の電力を供給する。電源部３は、入力信号のエンベロープに基づくエンベロープ信号と、電力ノードＮ１の電圧とに基づいて、電力ノードＮ１に可変電圧の電力を供給する。ＡＳ部４は、電源部２が電力ノードＮ１に電力を供給し、電源部３が電力ノードＮ１に電力を供給しない固定電圧電力モードにおいて、電力ノードＮ１のインピーダンスを下げる。合成部５は、固定電圧電力モードにおいて、電源部３がＡＳ部４による電力ノードＮ１の電圧変化によって、電力ノードＮ１に電力を供給しないように、エンベロープ信号にキャンセル信号を合成する。 （もっと読む）

【課題】正確な出力電圧を得る事ができる位相補償回路を有するボルテージレギュレータを提供する。
【解決手段】位相補償回路を出力トランジスタのゲートに接続される第一の定電流回路と、ドレインが出力トランジスタのゲートに接続された第一のトランジスタと、ドレインが第一のトランジスタのゲート及び第二の定電流回路及び抵抗に接続され、ゲートが抵抗及び第一の容量に接続される第二のトランジスタと、もう一方が出力端子に接続される第一の容量で構成する。こうすることで、差動増幅回路の出力端子から第一のトランジスタのドレインへ電流が流れる事を防止することができ、差動増幅回路の入力トランジスタに発生するオフセット電圧が低減され、正確な出力電圧を得ることできる。 （もっと読む）

【課題】出力電流の制限の精度を劣化させないでより高い電圧を発生させる。
【解決手段】本発明の電圧発生装置は、第１、第２、第３の入力増幅部と、第１、第２、第３の入力増幅部にそれぞれ設けられた飽和防止回路と、電流帰還手段と、電圧帰還手段と、出力増幅部と、ダイオードスイッチと、出力制御部を具備する。電流帰還手段は、電位が接地に近い方の負荷の端子に負荷と直列に接続された電流検出用抵抗の電圧を検出し、その検出した電圧を第１、第３の入力増幅部の入力側に帰還する。出力増幅部は、逆方向に電流が流れるように負荷に電圧を印加する第１の出力増幅器と、所定方向に電流が流れるように負荷に電圧を印加する第２の出力増幅器とを有する。出力制御部は、正出力端子と負出力端子の出力に応じて、第１の出力増幅器または第２の出力増幅器を選択し、制御する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。
【解決手段】ＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１の寄生ダイオードＤ_１とは別に、ｉ個（ｉは１以上の自然数）の温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉをＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１のコレクタに接続する。温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉは、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ_１，Ｍ_２からなるカレントミラー回路を介して、寄生ダイオードＤ_２１〜Ｄ_２Ｋのリーク電流の増加による基準電圧Ｖrefへの影響をキャンセルするように作用する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を使用せずナノアンペアレベルの電流で動作可能なＢＧＲ回路及びサブＢＧＲ回路を提供する。
【解決手段】電流源回路１０は所定の電流を発生し、電圧発生回路２０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を含み、電流源回路１０からの電流に基づいて、半導体素子のバンドギャップ電圧に基づいた負の温度特性を有するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥを出力し、温度特性制御回路３０は、電流源回路１０からの電流に基づいてベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥの負の温度特性を実質的に相殺する正の温度特性を有する電圧Ｖ_ＧＧを発生し、ベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥに電圧Ｖ_ＧＧを加算して出力電圧Ｖ_ＲＥＦ１を出力する。 （もっと読む）

【課題】電力変換器のための制御装置を提供する。
【解決手段】電力変換器のための制御装置は、第１の増幅ステージと、第１の増幅ステージに連結される第２の増幅ステージとを備える。第１の増幅ステージは、電力変換器の出力信号に従ってエネルギー貯蔵素子の第１の端子における第１の増幅された信号を生成する。第２の増幅ステージは、エネルギー貯蔵素子の第２の端子における第２の増幅された信号を生成し、出力信号における変化に応答して、第２の増幅された信号を変化させる。第２の増幅ステージは、更に、第１の増幅された信号に基づいて、第２の増幅された信号の変化を減少させる。 （もっと読む）

【課題】製造時の工程及び製品の消費電力の点で優れたレギュレータモジュール、及びそれを用いたバイアス回路を提供する。
【解決手段】パワーアンプモジュールとレギュレータモジュール８０１を含むパワーアンプをバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを同一基板上に備える技術によって１チップで構成する。レギュレータモジュール８０１はデプリーション型トランジスタによる差動増幅回路を内包する。該差動増幅回路の一方のＦＥＴＱ４のソース端子を、ダイオード接続したバイポーラトランジスタＱ７を介して、ＦＥＴＱ３のソース端子と接続することで、バイポーラトランジスタＱ７の電位差をレギュレータの出力電圧とすることが可能となる。 （もっと読む）