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Fターム[5J500AM17]の内容

増幅器一般 (93,357) | 接続及び構成 (5,069) | カスコード接続 (313)

Fターム[5J500AM17]に分類される特許

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【課題】 差動増幅器のDCオフセット電圧を低減し、且つ出力インピーダンスの低下を抑制する。
【解決手段】 差動増幅器50には、入力電圧Vin+が入力されるNch MOSトランジスタNMT1と、入力電圧Vin−が入力され、Nch MOSトランジスタNMT1と差動対をなすNch MOSトランジスタNMT2とを有し、Nch MOSトランジスタNMT2のドレイン側から出力電圧Vout+を出力し、Nch MOSトランジスタNMT1のドレイン側から出力電圧Vout−を出力する差動増幅部2と、出力電圧Vout+及び出力電圧Vout−が入力され、電圧・電流変化した帰還電流Ivil1及びIvil2を生成し、帰還電流Ivil1をノードN22、帰還電流Ivil2をノードN21にそれぞれ帰還入力するフィードバック部2とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数の入力電圧から、より正確な一つの出力電圧を得る回路を提供する。
【解決手段】二入力一出力回路100は、所定の電流を流す電流源トランジスタ110と、電流源トランジスタ110のドレイン側にカスコード接続され、同じ特性を有する2つのMOSトランジスタ121及び122から成るカスコードトランジスタ部120と、互いのソース線を共有する第1入力側トランジスタT11及び第1出力側トランジスタT12から成る第1差動対131、並びに互いのソース線を共有する第2入力側トランジスタT21及び第2出力側トランジスタT22から成る第2差動対132を有する差動対部130と、カレントミラー回路部140とを備えている。カスコードトランジスタ部120のトランジスタ121及び122のドレイン線は、それぞれ第1差動対131及び第2差動対132のソース線133及び138に接続されている。 (もっと読む)


入力電力レベルの広いレンジにわたる動作のためのロウノイズ増幅器(LNA)を設計する技術である。実施形態では、第1のゲインパスが第2のゲインパスに並列に設けられている。第1のゲインパスは、インダクタソースディジェネレーションを有する差動カスコード増幅器を含む。第2のゲインパスは、インダクタソースディジェネレーションを有していない差動カスコード増幅器を含む。ゲインパスのカスコードトランジスタは、第1及び/又は第2のゲインパスをイネーブル又はディセーブルにするように選択的にバイアスされるかもしれない。カスコードトランジスタ及び入力トランジスタを選択的にバイアスすることにより、第1及び第2のゲインパスの種々の組み合わせが、任意の入力電力レベルに対する最適化されたゲイン構成を与えるように選択されるかもしれない。
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【課題】低雑音増幅性能を有しつつ、高電力レベルの高周波信号が入力されても、増幅経路からの信号の漏洩を防止できる利得可変増幅器を提供する。
【解決手段】増幅経路と迂回経路とを有する利得可変増幅器において、前記増幅経路は、増幅用トランジスタQ1と遮断用トランジスタQ5を具備し、Q1のドレインとQ5のソースが接続され、Q5のドレインがキャパシタを介して出力端子に接続され、Q1のゲートには第一の制御電圧が印加され、Q1のゲートはキャパシタを介して入力端子に接続され、Q1のソースはインダクタを介して接地されており、前記迂回経路は、遮断用トランジスタQ3を具備し、Q3のソースと入力端子がキャパシタを介して接続され、Q3のドレインがキャパシタを介して前記出力端子に接続されており、Q5のゲートとQ3のゲートは、第二の制御電圧に応じて前記迂回経路または前記増幅経路を遮断状態とする。 (もっと読む)


【課題】出力端子の電圧が低くても、出力端子の入出力電流を一定に保つ。
【解決手段】カレントミラー回路であって、第1の電源に接続され、第1の定電流を出力する第1の定電流回路と、前記第1の電源に接続され、第2の定電流を出力する第2の定電流回路と、前記第1の定電流が流れる第1のトランジスタと、前記第2の定電流が流れる第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタと第2の電源との間に、前記第1のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタと前記第2の電源との間に、前記第2のトランジスタと直列に接続された第4のトランジスタとを有する。前記第1及び第2のトランジスタの制御端子は、前記第2の定電流回路と前記第2のトランジスタとが接続されたノードに接続されている。前記第3及び第4のトランジスタの制御端子は、前記第1の定電流回路と前記第1のトランジスタとが接続されたノードに接続されている。 (もっと読む)


【解決手段】保護回路を備えたトランジスタ(300)が記述される。増幅器は、“オン”又は“オフ”状態の間でブランチが切替可能とされつつ、並列結合されるブランチ(310a、310b、310k)を含む。切替可能なブランチは、トランジスタ(314)に結合されるトランジスタ(312)を含む。トランジスタ(312)は、入力信号を増幅し、増幅信号を供給し、入力信号を増幅しない。トランジスタ(314)は、増幅信号をバッファし、出力信号を供給する。出力電圧振幅は、オン及びオフ状態の両方において保護回路を備えたトランジスタ(312)とトランジスタ(314)との間で分離され得る。トランジスタは、電圧振幅の一部を観測し得る。オフ状態での電圧分離は利得トランジスタをフローティングとし、且つカスコードトランジスタのゲートとソースとを短絡することで達成し得る。 (もっと読む)


【課題】
可変利得増幅器において,低利得に制御した時のカットオフ周波数の低下を抑制する。
【解決手段】
ゲートに入力信号が供給され利得制御に応じてそれぞれアクティブ状態になる複数のソース接地トランジスタと,電源電圧に接続された負荷回路と,負荷回路と複数のソース接地トランジスタのドレインとの間に設けられたゲート接地トランジスタとを有し,負荷回路とゲート接地トランジスタとの接続ノードに出力信号が生成される。可変利得増幅器は,さらに,ゲート接地トランジスタのソースに接続され当該ゲート接地トランジスタのドレイン・ソース間にドレイン電流を供給するドレイン電流追加回路を有し,アクティブ状態のソース接地トランジスタが第1の数の場合に,ドレイン電流追加回路は当該ソース接地トランジスタに第1のドレイン電流を供給し,第1の数より少ない第2の数の場合に,第1のドレイン電流より多い第2のドレイン電流を供給する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、被バイアスのMOSトランジスタを電源電圧、温度、プロセスバラツキ等によらず一定とすることができるバイアス電圧回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 第1のMOSトランジスタMB1及び第2のMOSトランジスタMB2を含み、該第1のMOSトランジスタ及び該第2のMOSトランジスタから被バイアスMOSトランジスタM2にバイアス電圧Vbを供給するバイアス回路であって、
前記第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタのドレインに、等しい電流を供給する等電流供給回路10と、
前記第1のMOSトランジスタのゲート、前記第2のMOSトランジスタのゲート及びドレインに共通に接続され、前記バイアス電圧を出力するバイアス電圧出力線biasnと、
前記第1のMOSトランジスタのソースとグランドとの間に接続され、線形領域で動作する駆動電圧がゲートに印加される第3のMOSトランジスタMB3と、を含む。 (もっと読む)


【課題】差動増幅回路のP1dB特性を改善するための新たな仕組みを提供する。
【解決手段】第1及び第2の差動入力に各々接続された第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2と、該第1のトランジスタと第1の差動出力との間に配置された第1のカスコードトランジスタCT1と、該第2のトランジスタと第2の差動出力との間に配置された第2のカスコードトランジスタCT2と、該第1及び第2のトランジスタの制御端子に接続された制御端子を有する第3のトランジスタTr3と、該第1及び第2のカスコードトランジスタの制御端子に接続された制御端子を有する第3のカスコードトランジスタCT3と、第1及び第2の差動入力から入力された差動入力信号の振幅を検波し、当該振幅に応じて、該第1から第3のカスコードトランジスタのゲート電圧又はベース電流を制御する検波回路101とを備える。 (もっと読む)


【課題】実装面積の増加を抑えつつ、温度変動や閾値電圧Vthの製造バラツキでの影響を抑えることができるバイアス回路及びそれを備えたgm−Cフィルタ回路並びに半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】第1電流源Iaをなす第1のPMOSトランジスタQ1と、第1のPMOSトランジスタQ1のカレントミラー回路を構成し、第2電流源Ibをなす第2のPMOSトランジスタQ2と、第1電流源Iaからそのドレインに電流が供給される第1のNMOSトランジスタQ3と、第1のNMOSトランジスタQ3とカレントミラー回路を構成し、第2電流源Ibからそのドレインに電流が供給される第2のNMOSトランジスタQ4と、第2のNMOSトランジスタQ4のソースとグランドとの間に接続された抵抗とを備え、さらに、第1のNMOSトランジスタQ3のソースとグランドとの間にgm調整用の抵抗成分Zrを接続した。 (もっと読む)


【解決手段】低、中、又は高線形性モードで動作するための増幅器であって、前記増幅器は、増幅を提供するための第2低雑音増幅器に結合される第1低雑音増幅器(LNA)と、前記第1LNAに結合され、インピーダンス整合を提供するための第1デジェネレーションインダクタ(340)と、前記第2LNAの出力に結合され、3次相互コンダクタンス歪みを除去するための−g生成器ブロックと、前記−g生成器ブロックと並列に配置され、前記第2LNAの出力に結合され、前記低、中、又は高線形性モードのいずれか1つで少なくとも前記第1及び第2LNAの1つを動作させるための第1イネーブル/ディセイブル成分(350)と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】起動時間を短縮し、消費電力の増加を抑制する。
【解決手段】電源電圧Vddと出力ノードVyとの間に接続され、切り替え制御信号が第1の値をとる時にオンし、第2の値をとる時にオフする電流源101と、入力電圧Vinによって電流量が制御される接地された電圧制御電流源104と、前記電圧制御電流源と前記出力ノードとの間に接続されたカスコードトランジスタ102と、前記カスコードトランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続されたブーストアンプ103と、前記ブーストアンプの出力ノードとバイアス電圧Vbとの間に接続され、前記切り替え制御信号の値が前記第2の値から前記第1の値へ切り替わるに伴い所定時間オンし、前記ブーストアンプを強制的に立ち上げるスイッチSW13と、を備える。 (もっと読む)


複数のステージを有し、向上された信頼性を有する増幅器(300)が開示される。複数の増幅器ステージは、並列に結合され、少なくとも1つのスイッチ可能な増幅器ステージを含んでいる。各スイッチ可能な増幅器ステージは、オン状態又はオフ状態で動作し、ゲイントランジスタ(312)及びカスコードトランジスタ(314)を含んでいる。ゲイントランジスタは、オン状態において入力信号(Vin)を増幅して増幅された信号を供給し、オフ状態においてディセーブルとなる。カスコードトランジスタは、オン状態において増幅された信号をバッファして出力信号を供給し、オフ状態においてオフ電圧(Voff)に基づいてディセーブルとなる。オフ電圧は、ゼロボルトよりも大きいか、或いは複数の可能な値の1つを有する。オフ電圧は、出力信号レベルに基づいて発生し、例えば出力信号レベルの異なったレンジに対する異なった値に設定される。
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【課題】IがIbleedより小さいときでさえ、比率が制御信号に指数関数的に関連する電流対を発生させる。
【解決手段】対の比率が制御信号に指数関数的に関係する電流対Ip、Imを発生する装置および方法であって、ここにIpまたはImのいずれかは最小値より大きいかまたは最大値より小さい。装置はImまたはIpの値を感知するために使用される帰還修正回路を含む。感知されたImまたはIpの値が最小値より小さいかまたは最大値より大きいとき、修正回路はブースト電流Iboostを供給する。Iboostは好ましくは所望値およびIpまたはImの差に比例するよう維持される。 (もっと読む)


【解決手段】増幅器の線形性を改善するための技術。補助増幅器(M5)は、主分岐(M2)と並列に設けられる。補助増幅器(M5)は主分岐(M2)におけるノード(X1)をサンプリングする。補助増幅器(M5)は、主分岐によって生成される電流と組み合わされる時、線形特性が改善された出力電流を生成するため歪み成分を打ち消す電流を生成する。ネットワーク(310)は、ノード(X1)と補助増幅器(M5)とを結合し、インダクタに結合されるキャパシタを含み得る。増幅器の線形性を改善する技術。補助増幅器(M5)は、主分岐(M2)と並列に設けられる。補助増幅器(M5)は、主分岐(M2)におけるノード(X1)をサンプリングする。補助増幅器(M5)は、主分岐(M2)によって生成される電流と組み合わされる時、線形特性が改善された出力電流を生成するため歪み成分を打ち消す電流を生成する。 (もっと読む)


【課題】検波対象の信号に対応する平衡信号に混入する同相ノイズのレベルを低減して、検波精度を向上するのに好適な検波装置、無線受信装置及び検波装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】無線受信装置1を、アンテナ10と、検波装置11と、帯域制限型増幅器12と、判別部13とを含んだ構成とし、検波装置11を、LNA11aと、整流回路11bとを含んだ構成とし、LNA11aにおいて、無線信号に対応する第1の交流信号及び第2の交流信号からなる平衡信号を生成すると共に、同じタイミングで、第1の交流信号を整流回路11bを構成するNTr5のゲート端子とNTr6のソース端子とに入力し、第2の交流信号をNTr5のソース端子とNTr6のゲート端子とに入力して、これら交流信号に含まれる同相ノイズ成分を打ち消すようにした。 (もっと読む)


【課題】従来よりも耐圧性を高め、高利得帯域かつ広出力範囲である半導体集積回路を提供する。
【解決手段】第1の電源電圧で動作する回路と、第1の電源電圧より高い第2の電源電圧VDDで動作する回路と、が混在して形成された半導体集積回路であって、第1の電源電圧までの耐電圧を有する第1のスイッチング素子M0,M1(M6),M4(M9),M5(M10)と、第2の電源電圧VDDまでの耐電圧を有し、第1のスイッチング素子よりも低いトランスコンダクタンスを有する第2のスイッチング素子M2(M7),M3(M8)と、を直列に接続した回路要素を含み、第2の電源電圧VDDによって動作させられる回路を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチトキャパシタ回路におけるシングル/差動変換時の演算増幅器の同相入力変動を抑制し、低電源電圧での変換、または高速の変換にも対応することが可能なスイッチトキャパシタ回路を実現する。
【解決手段】サンプリングモード時とホールドモード時とで第1の演算増幅器110の入力側のキャパシタC1〜C4をスイッチ回路SWで切り換えて単相入力信号を差動出力信号に変換するについて、ホールドモード時に非帰還用キャパシタC2、C3の一端側に供給する第2の参照信号(電圧VCMa)を第1の演算増幅器110の同相入力を所定の定常値とするような値にする第2参照信号生成部20(第2の演算増幅器120)を設けた。 (もっと読む)


【課題】周波数依存性を持たずに、入力インピーダンス及びゲインを制御することができる増幅回路及び受信装置を提供することを課題とする。
【解決手段】入力信号の電圧値を電流値に変換する変換回路(M2)と、前記変換回路の出力端子に接続され、第1のトランジスタ(M1)、第1の抵抗(R1)及び第1の可変容量(C1)を含むアクティブインダクタ(201)と、前記変換回路の前記出力端子に接続される第2の可変容量(C2)と、前記変換回路の前記出力端子と前記変換回路の入力端子との間に接続されるフィードバック回路(203)とを有することを特徴とする増幅回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】基準電流に対して所定の比の負荷電流を高い精度で得るドライバ回路を提供する。
【解決手段】MOSトランジスタM3のドレイン端子には二つの抵抗R1及びR2が接続されており、その他端には夫々電流発生装置IREF、負荷LOADが接続されている。両抵抗値は同値であるとする。またトランジスタM3のドレイン端子と両抵抗との接続部を接続点Aとする。この電子回路装置は抵抗R1と電流発生装置IREFとの接続部を接続点B、抵抗R2と負荷LOADとの接続部を接続点Cとして、夫々差動増幅器A1の入力端子へ接続したものである。該差動増幅器において、トランジスタM3のゲート端子に出力端子、つまり制御入力端子が接続されることを特徴とする。その接続部を接続点Gとする。該差動増幅器は接続点BおよびCの電位差を帰還する回路として機能する。 (もっと読む)


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