【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。
【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの１つ以上から、または８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒの元素群から選択した少なくとも１つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から５００〜９００℃に加熱し、次いで後冷却速度２１６０〜５４００００℃／ｈｒで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる粉末原料を、あるいは周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の１つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度１４４〜３６０００℃／ｈｒで３００℃まで冷却してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】成形ロータホイール（１９）、そのようなロータホイール（１９）を備えたターボ機械、及びそのようなロータホイール（１９）を製造する方法を開示する。
【解決手段】実施形態では、少なくとも１つのディスク部材（３６）と少なくとも１つのスペーサ部材（３８）とを含み、また１以上のブレード（２０）段を担持しかつ軸方向に間隔を置いて配置することができるロータホイール（１９）が設けられる。さらに、そのようなロータホイール（１９）を製造する方法も開示しており、本方法は、出発材料として金属粉末を使用するステップと、粉末冶金法を使用して金属粉末を処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属粉末を金型内に充填して３００℃以上の高温に保持しつつ、ギアや部品などの形状に精密ホットプレス加工する際に用いる金型およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３００℃以上の温度に保持して金属粉末の固化成形を行う際に用いる精密金型において、金型素材中に析出している炭化物の最大円換算粒径が該金型を放電加工する際に用いるワイヤ直径の１／５以下であることを特徴とする精密ホットプレス用金型、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 内外の二層からなる複合構造を備え、金型の背面に接続される先端部において欠けが発生し難い射出スリーブの製造方法を提供する。
【解決手段】 外筒１は、炭素鋼で構成され、内筒の第一部分２１は、Ｓｉ：４．３ｗｔ％、Ｍｏ：２１ｗｔ％、Ｂ：３．０ｗｔ％、Ｎｉ：残部、からなるニッケル合金で構成され、内筒の第二部分２２は、Ｓｉ：５．５ｗｔ％、Ｍｏ：１１ｗｔ％、Ｂ：１．８ｗｔ％、Ｎｉ：残部、からなるニッケル合金で構成される。外筒相当部分１ａと中子３との間の環状の隙間に、第二の焼結原料粉末２２ａを所定の高さまで充填した後、その上に第一の焼結原料粉末２１ａを充填する。これを、熱間静水圧プレス装置を用いて加熱及び加圧し、第一及び第二の焼結原料粉末を焼結し、互いに接合する同時に外筒相当部分に接合する。 （もっと読む）

【課題】多組成の構成部品の異なる組成物間の接合界面に残留応力や新たな相が形成されず、不純物に少ない接合面を形成する部品の製造方法を提供する。
【解決手段】第１組成物Ａの第１構成部分４０、第２組成物Ｂの第２構成部分３０、及び第３組成物Ｃの第３構成部分４２を、第１構成部分４０が第２構成部分３０と第１境界を共有し、第２構成部分３０が第３構成部分４２と第２境界を共有するように配置する工程を含む。第１構成部分４０、第２構成部分３０、及び第３構成部分４２は、各々、粉体であるか或いは固体であり、そのため、第１境界及び第２境界は、各々、粉体と隣接した固体である。次いで、第１組成物Ａの第１領域１６、第２組成物Ｂの第２領域１８、及び第３組成物Ｃの第３領域２０を持つ単一の固体の構成部品を形成するように熱間等方圧加圧および／または拡散結合を行う。 （もっと読む）