国際特許分類[B23K26/16]の内容
処理操作;運輸 (1,245,546) | 工作機械;他に分類されない金属加工 (71,475) | ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工 (42,379) | レーザービームによる加工,例.溶接,切断,穴あけ (14,635) | 副次物の除去,例.加工中に生ずる微粒子または蒸気の除去 (234)
国際特許分類[B23K26/16]に分類される特許
61 - 70 / 234
レーザによる自動塗装被膜剥離装置
【課題】レーザ光を用いて、デジタルカメラ等の筐体にあたる塗装成形品の、導通性等を必要とする所定部位の下地層(素地層および化成処理層)にダメージを与えることなく、前記所定部位の塗装被膜層のみをアブレーションすることで、高精度に前記塗装被膜層を剥離し、高品質の塗装成形品と塗装マスキングレス化を提供する。
【解決手段】レーザによる自動塗装被膜剥離装置は、塗装被膜層40cをアブレーションにより剥離するレーザ加工装置50とアブレーション現象の際に発生する前記塗装被膜層40cの微粉を集塵する装置と塗装成形品をセットする受治具を有する自動傾斜テーブルと前記自動調整テーブルへの前記塗装成形品の自動供給装置および自動取出し装置と所定部位70の塗装被膜剥離の加工品質を判定する画像処理装置等を主構成とする。
(もっと読む)
レーザ加工方法および装置
【課題】 基板上の薄膜をレーザによりスクライブ加工する場合に、大型の集塵機、大量の洗浄液を必要とせず、正確に微細なスクライブ加工を行うレーザ加工方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 レーザ光101の光軸を基板の相対的な加工進行方向Lに対して上流上流のI点側に傾斜してレーザ光101を加工点Jに照射すると共に、洗浄液112を噴射して、アブレーションの際発生する発生する気泡21や粉塵22を洗浄液112の流れによって下流のH点側に導きながら、スクライブ加工する。
(もっと読む)
被加工物を加工するための方法及び装置
本発明は、被加工物を加工するための方法及びこの方法のための装置に関する。この方法において、被加工物(12)の材料を、加工領域(18)において非接触式の除去法により除去する。被加工物(12)を、被加工物(12)の固有共振周波数を有する励振でもって励起するか、又は被加工物(12)及び被加工物(12)に不動に連結されている連結エレメント(20)から成る複合体を、被加工物(12)及び連結エレメント(20)の共通の固有共振周波数を有する励振でもって励起する。固有共振周波数は、加工領域(18)において、励振の励起振幅(X_A)に対して最大の振動振幅(X_W_MAX)を有する振動が発生するように選択されている。
(もっと読む)
レーザ加工装置
【課題】レーザ加工装置に堆積した粉塵が舞い上がって被加工基板に付着することを防止すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、基板と、基板に設けられた薄膜とを有する被加工基板60をレーザ加工するために用いられる。レーザ加工装置は、被加工基板60を保持する保持部10と、薄膜にレーザ光Lを照射するレーザ発振器20と、保持部10で保持された被加工基板60の薄膜側に設けられ、薄膜から発生する粉塵を回収する粉塵回収部材15と、を備えている。
(もっと読む)
レーザ加工装置
【課題】簡便な構造で、基板の吸い付き防止と、レーザ加工で発生する粉塵の回収性能とを容易に両立させることが可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板20を、浮上ステージ31b上に浮上させた状態で搬送しながら、ガラス基板20の下面の薄膜21にレーザを照射することで、分離溝(スクライビング溝)を形成するレーザ加工装置において、浮上ステージ31bの表面34に、集塵用の吸引孔33を凹陥形成すると共に、吸引孔33内と浮上ステージ31bの外周とを連通させる溝35a,35bを、浮上ステージ31bの表面に凹陥形成した。
(もっと読む)
レーザ加工装置および太陽電池の製造方法
【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板1を立ててガラス基板1の周辺部を固定枠14にて固定し、レーザ光31をガラス基板1に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Xステージ12をX方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板1上の膜にスクライブパターン3を形成する。
(もっと読む)
レーザーマッチホーニング加工システムおよび方法
本発明は、互いに整合する整合部分(12、22、16、26)を有する1組の機械的に整合する部品(1、2)のうちの一つを加工するレーザーマッチホーニング加工システムとその方法を提供する。前記第1の部品(1)の整合部分(12、16)の寸法を測定し、次に前記第2の部品(2)の対応する整合部分(22、26)の望ましい寸法の計算に利用する。前記第2の部品(2)の前記整合部分(22、26)の実際の寸法も測定する。前記第2の部品(2)の前記整合部分(22、26)を、前記実際の寸法が前記望ましい寸法ではない状態のときにレーザー光によりホーニング加工する。 (もっと読む)
レーザー加工方法
【課題】デブリによる被加工物表面の汚染を防止しつつ、ドロスの生成を十分に低減し、かつ被加工物の表面の上に形成した被膜の除去が簡単なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物1の加工すべき表面の上に被膜2を形成する工程と、被膜2を通じて被加工物1にレーザー光線を照射して被加工物1を加工する工程と、レーザー光線の照射後に被膜2を除去する工程を含むレーザー加工方法であって、被膜2を、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体(A)、及び、ニグロシン(B)を含有する組成物から形成することを特徴とするレーザー加工方法。
(もっと読む)
ガス支援レーザ・アブレーション
【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス(エッチング・ガス)が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法
【課題】半導体チップの信頼性を向上させる。
【解決手段】ウエハ(半導体ウエハ)40をスクライブ領域40bに沿って切断して、複数の半導体チップを取得するダイシング工程において、ダイシング工程は、ウエハ40を切断する前に、スクライブ領域40bにレーザを照射するレーザ加工工程を含む。このレーザ加工工程では、第1のエネルギーを有する第1のレーザを、スクライブ領域40bの主面3a上に形成された金属パターン41aを含むレーザ加工領域43に主面3a側から照射して、絶縁層(第1絶縁層)34を取り除く。次に、第1のエネルギーよりも低い第2のエネルギーを有する第2のレーザを、レーザ加工領域44のデバイス領域40a側の端部を含むレーザ加工領域44に照射して、レーザ加工領域44に形成された金属残渣を取り除く。
(もっと読む)
61 - 70 / 234
[ Back to top ]