【課題】透明材料をスクライビングないし溶接する方法を提供する。
【解決手段】透明材料をスクライブするため、材料を横切るレーザビームのシングルパスで多重スクライブ造作を創るために、超短レーザパルスを使用し、該スクライブ造作の少なくとも一つは材料の表面下に形成され、クリーンな割断を可能にする。透明材料を溶接するための方法は、局在化された加熱を通して接合を創り出すために、超短レーザパルスを使用する。超短パルス持続時間は、レーザ放射の非線形吸収を起こし、レーザの高繰り返し率は、材料内に熱のパルスからパルスへの蓄積を起こす。レーザは材料の界面近くに集光され、溶接されるための領域に高エネルギーフルーエンスを生成し、材料の残部への損傷を最小化し、きれいな溶接線を可能にする。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、表面に金属膜が形成される被加工基板について、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜を備える被加工基板のレーザダイシング方法であって、被加工基板をステージに載置し、金属膜に対してデフォーカスされたパルスレーザビームを照射し、金属膜を剥離する金属膜剥離ステップと、被加工基板の金属膜が剥離された領域にパルスレーザビームを照射し、被加工基板にクラックを形成するクラック形成ステップを有
することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができるレーザー加工装置用のノズルクリーナを提供する。
【解決手段】ノズルクリーナは、ノズルクリーナ本体と、ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、保持手段上に保持されたノズルクリーナの上面にノズルを下降させてノズルの下面を当接させた後に、保持手段をノズルに対して相対移動させることで、粉塵を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハをレーザ加工前に予め保護膜が塗布されているか否かを検知可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】保護膜が表面に塗布された被加工物を粘着テープを介して吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザビーム照射手段と、該被加工物上に保護膜を塗布する際に該粘着テープ上に流出した保護膜の有無を検知し、該被加工物の表面に保護膜が塗布されているか否かを検知する保護膜検知手段とを具備し、該保護膜検知手段は、該被加工物と該粘着テープを挟んで対向するように配設された発光部及び受光部と、該受光部が受光した光量と基準光量とを比較する制御部とを含み、該受光部が該発光部からの光を該粘着テープ越しに受光した光量を該制御部で基準光量とを比較し、該被加工物の表面に保護膜が塗布されているか否かを検知する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池またはエレクトロルミネッセンスデバイスの製造過程における、裏面電極膜及び光電変換層をともに切削除去する加工を支障なく遂行し、透明導電膜等へのダメージを回避する。
【解決手段】最上層にある裏面電極膜３に向けてレーザ光４３を照射して少なくとも裏面電極膜３を切削する第一の照射工程と、第一の照射工程にてレーザ光４３を照射した箇所の近傍にレーザ光４４を照射して裏面電極膜３の下方に残存する光電変換層２を切削する第二の照射工程とを個別に実行することとした。第一の照射工程にて照射するレーザ光４３と、第二の照射工程にて照射するレーザ光４４とは、波長、出力、パルス幅またはビームプロファイルを相異させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の主面および第１の主面とは反対側の第２の主面を有する基板１０と、基板１０の第１の主面上に実装された半導体チップ２０と、半導体チップ２０を封止した樹脂４０と、基板１０の第１の主面上に配置され、樹脂４０の一部をレーザ加工により除去することで樹脂４０から少なくとも一部を露出した半田ボール３０と、基板１０の第２の主面上に配置された半田ボール５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】アブレーション加工により発生する粉塵がレーザビームの光路を妨げることのない粉塵排出ユニットを備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】粉塵排出手段は、上壁と底壁と該上壁と該底壁と連結する側壁とを有し、内部に集塵室を画成し該集光器に連結されたケーシングと、該上壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第１の開口と、該底壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第２の開口と、該側壁に形成された吸引排気口と、該上壁及び該底壁に接するように該ケーシング内に挿入され、該第２の開口を中央開口と該中央開口の両側の第１及び第２吸引口に分離するＶ形状隔壁と、該第１吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第１流路と、該第２吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第２流路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＨＣ膜に由来する基板の汚染を低減する。
【解決手段】基板の第１の主面を光熱変換膜を介して支持基板に張付ける工程と、支持基板上に露出した光熱変換膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。支持基板上に光熱変換膜を形成する工程と、半導体基板より外側に光熱変換膜が延在するように半導体基板を前記支持基板に張付ける工程と、光熱変換膜に汚染防止処理を行う工程と、支持基板と半導体基板とを分離させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はアブレーションの分野で多くのアスペクトにおいて実質的な利益を提供する。
【解決手段】レーザビームを用いて、そのレーザビームの下方に位置する基板の特定領域を除去する場合に、レーザビーム用のレンズと前記基板との間を囲み、基板側を開口させたモジュール内に空気，ガス又は液体のいずれかを供給し、その供給した空気，ガス又は液体を前記モジュールから排出することで、レーザビームで基板の特定領域を除去することで発生するデブリを外部に排出させる。また、モジュールが頂部に取り付けられたパックの基板と対向した開口箇所の端部で、空気，ガス又は液体をモジュール内に供給することで、特定領域の基板表面に対してできるだけ平行な空気，ガス又は液体の流れを指向させて、モジュールが頂部に取り付けられたパックを基板表面から浮揚させるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板における嫌熱性部分への熱影響をできるだけ小さく、かつ高速で加工できるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】熱影響を嫌う赤外線受光部１００を有する基板１に対して、その近傍領域２００にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工方法であって、近傍領域２００の内、赤外線受光部１００に近い領域部分２０１に、アブレーション加工条件でレーザ光を照射するアブレーション加工工程と、近傍領域２００の内、赤外線受光部１００から遠い領域部分２０２に、熱加工条件でレーザ光を照射する熱加工工程と、を有する。 （もっと読む）