【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラットパネル修復に、検査切断修復結合ツール及び独立体積修復ツールの２種類が必要である
【解決手段】装置は、統合された検査機能と、材料除去機能と、材料堆積機能とを備え、検査動作、材料除去動作、及び材料堆積動作を同じ光軸に沿って実行する。装置は、部分的に、カメラと、一対のレンズと、１つ又は複数のレーザとを備える。第１のレンズは、検査を受けているターゲット基板上に形成される構造上に光軸に沿ってカメラを合焦させるために使用される。第１のレンズは、検査された構造が材料除去を必要としていると識別される場合、構造上にレーザビームを合焦させて、その構造上に存在する材料を除去するためにも使用される。第２のレンズは、検査された構造が材料堆積を必要としていると識別される場合、レーザビームをリボン上に合焦させて、リボンに形成された埋め込みウェルから流動的複合物を構造に転写するために使用される。 （もっと読む）

【課題】より低エネルギーで行われ、かつ、加工精度や加工品質にもより優れた、膜加工方法を提供する。
【解決手段】第１主面と当該第１主面に対向する第２主面とを有するガラス基板の前記第１主面上に形成された膜の除去予定部位にレーザ光を照射し、除去部を形成する膜加工方法であって、前記除去予定部位の側面部分を、ピコ秒レーザ光またはフェムト秒レーザ光の照射によって除去する第１工程と、前記第１工程によって側面部分が除去された前記除去予定部位を、ナノ秒レーザ光の照射によって除去し、前記除去部を形成する第２工程と、を備える膜加工方法。 （もっと読む）

【課題】居住可能な建造物の表面を加工する。
【解決手段】レーザの基本ユニットは、レーザ発生器３１０と、レーザ発生器３１０に結合されたレーザヘッド２００とを含む。レーザヘッド２００は、気体格納器２４０を含み、当該気体格納器は、材料を閉じ込め相互作用領域から除去する。気体格納器２４０は、ゴム製シールを含み、当該シールは、建造物と接触し、相互作用領域を実質的に取り囲むので、材料の閉じ込めおよび相互作用領域からの除去が促進され、建造物内における活動に対する妨害が減少する。本装置は、固定用メカニズム１１０をさらに含み、この固定用メカニズムは、建造物に取り外し可能に結合され、レーザヘッド２００に取り外し可能に結合される。本装置は、レーザの基本ユニットに電気的に接続された制御器５００をさらに含む。制御器は、使用者の入力に応答してレーザの基本ユニット３００に制御信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】ブーツ装着側にリン酸皮膜処理等を施した防食用皮膜が形成されていたとしても、安定した接合力を発揮して、安定したシール性能を低コストに確保し得る等速自在継手用ブーツの取付構造を提供する。
【解決手段】樹脂製の等速自在継手用ブーツ１の筒状開口部２（３）が金属製取付部材１７（１１）の被取付部１８（１９）に外嵌されて、レーザー光照射によって、被取付部１８（１９）に筒状開口部２（３）が固着されるブーツ取付構造である。金属製取付部材１７（１１）の表面には表面処理層が形成され、被取付部１８（１９）の表面処理層が、被取付部１８（１９）に筒状開口部２（３）が固着される前工程において、レーザー光照射によって剥離されている。 （もっと読む）

【課題】生産性良く部材を分離して高品位な製品を製造できる部材分離装置及び部材分離方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る部材分離装置は、ステージと、照射部と、を備える。前記ステージには、加工部材が載せられる。前記加工部材は、第１部材と、第１部材と接する第２部材と、を含む。前記第１部材は、第１波長を含む波長領域の光に対して透過性を有する。前記第２部材は、前記第１部材と接する。前記第２部材の前記波長領域の光に対する吸収率は、前記第１部材の前記第１波長の光に対する吸収率よりも高い。前記照射は、前記第１波長の成分と、前記波長領域に含まれ前記第１波長とは異なる第２波長の成分と、を含むレーザ光を生成し、そのレーザ光を加工部材に照射する。 （もっと読む）

【課題】回路キャリアを製造する方法及び当該方法の使用を示す。
【解決手段】この方法は、プリント基板を提供し（ａ）、プリント基板をその少なくとも一方の面を誘電体でコーティングし（ｂ）、レーザーアブレーションを用いてそこに溝及びビア（凹部）を作るために誘電体を構造化する（ｃ）。次いで、誘電体の表面全体に下塗り層を析出し又は作られた溝及びビアの壁にのみ下塗り層を析出する（ｄ）。下塗り層に金属層を析出し、溝及びビアはそこに導体構造を形成するために金属で完全に満たされる（ｅ）。最後に、下塗り層が表面全体に析出されて誘電体が露光されるまで過度金属と下塗り層を除去し、導体構造は無傷のままである（ｆ）。 （もっと読む）

【課題】大型の被加工物表面の安定した微細加工とその高速化が容易にするパルスレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】クロック信号を発生する基準クロック発振回路と、クロック信号に同期した一定の周波数のパルスレーザビームを出射するレーザ発振器と、クロック信号に同期してパルスレーザビームを１次元方向のみに走査するレーザ・スキャナーと、被加工物を載置可能で１次元方向に直交する方向に移動するし、回転軸に保持されるロールと、レーザ発振器とレーザ・スキャナーとの間の光路に設けられ、クロック信号に同期してパルスレーザビームの通過と遮断を切り替えるパルスピッカーと、を備えることを特徴とするパルスレーザ加工装置。 （もっと読む）

【解決手段】 バンプ７を覆う被覆材８を除去して該バンプを露出させるレーザ加工方法に関する。第１ステップでは、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部９を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる。第２ステップでは、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径Ｒ_２を第１ステップにおける有効穿孔径Ｒ_１よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第１ステップで穿孔された凹部９内の被覆材８に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる。
【効果】 バンプ７の溶融を防止しながら、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）