【課題】被加工物に形成された２本のＶ溝から露出したアライメントマークを検出しアライメントマークを基準として加工予定ラインを設定する場合において、アライメントマークを効率よく検出できるようにする。
【解決手段】被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、保持テーブルと切削手段とが相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、撮像手段は、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出する。割り出し送り方向に形成された２列の溝のアライメントマークを同時に検出することができるため、切削加工の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、加工物からウェハをスライスするためのワイヤソーのためのワイヤスプールに関する。
【解決手段】固定的に接合された砥粒でコーティングされたソーイングワイヤ７が、ワイヤスプール１に単層状の態様において巻付けられる。この発明はシングルカットワイヤソーおよびマルチプルワイヤソーに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が０．９０〜０．９５質量％、ケイ素濃度が０．１２〜０．３２質量％以下、マンガン濃度が０．４０〜０．９０質量％以下、リン濃度が０．０２５質量％以下、イオウ濃度が０．０２５質量％以下および銅濃度が０．２０質量％以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が０．０７ｍｍ以上０．１６ｍｍ未満で、ワイヤの引張破断強度が４２００Ｎ／ｍｍ²より高く、ワイヤのカール径が４００ｍｍ以上のソーワイヤ２２を用いて、ソーワイヤに破断張力の５０％以上６５％以下の張力をかけて、ＩＩＩ族窒化物結晶体３０をスライスする。 （もっと読む）

【課題】遊離砥粒および固定砥粒の双方を用いてワーク切断能力（切れ味）を向上させてワーク切断を早くする。
【解決手段】固定砥粒２３と遊離砥粒２１の双方を用い、遊離砥粒２１の平均砥粒外径が、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均砥粒外径以下であるかまたは、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均突き出し量以下の規定範囲であるため、遊離砥粒２１が固定砥粒２３による切断を阻害することなく、固定砥粒２３が主体となってワーク７に対して遊離砥粒２１と固定砥粒２３の双方が確実に作用するようにワーク切断を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明はシリコンインゴットの切削工程において、従来品より加工熱の冷却性、浸透性、水とシリコンとの反応抑制性、抑泡性が良好であるため、切削加工効率を向上させることができる。また、シリコンウエハの平坦性も良好であるため、過酷なスライス条件下でも被加工面の表面精度を高く維持できる切削液を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが６．０〜２０．０であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化１】


［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基、（Ａ^１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を除いた残基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］ （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は８０μｍ以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は４００個／ｍｍ^２以上である固定砥粒ワイヤ。 （もっと読む）

【課題】切断加工の前後にワークの接着や剥離の作業を行う必要がなく、加工能率の向上及び製造コストの低減を図ることができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ１１間にワイヤ１２を複数回周回させる。ワイヤ１２の周回域の上方には、ワークＷを横方向から弾性的に挟持する挟持機構１３と、その挟持機構１３に挟持されたワークＷをワイヤ１２に向かって押し下げる押下機構２５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいＩＩＩ窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶体を準備する工程Ｓ１と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてＩＩＩ族窒化物結晶体をスライスすることによりＩＩＩ族窒化物結晶基板を作製する工程Ｓ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの断線の有無を高精度かつ安定して検出する。
【解決手段】走行するワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて当該被加工物Ｗを切断するワイヤソー１である。回転駆動されるワイヤガイド２，２間に略平行なワイヤ群３ａが形成されている。一対のワイヤ送り装置５，６がワイヤ３の巻き出し及び巻き取りを交互に行う。ワーク保持部７が被加工物Ｗを押し付けるワイヤ群３ａに液供給装置８が加工補助液を供給する。断線検出部材１６、振動センサ１７を有するワイヤ断線検出装置９が支持部４に取り付けられている。制御装置１０は、ワイヤ３が断線するとワイヤ３の走行を停止する。断線検出部材１６、振動センサ１７は除振部材１５を介して支持部４に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）