【課題】 切削抵抗を低減することによりウエハの表面精度を良好にすることが可能で、かつワイヤーや装置の腐食や水素発生を抑制することができるシリコンインゴットスライス用切削液を提供する。
【解決手段】 有機還元剤（Ａ）と水を必須成分として含有し、使用時のｐＨが４．０〜８．０であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用切削液を用いる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ供給側（新線側）ワイヤの張力を低減してワイヤの撓み量をワイヤ供給側からワイヤ回収側に渡って一定に保持して、ワイヤの断線リスクを抑制すると共に、ワイヤ供給側とワイヤ回収側でワーク切断能力を均一にできて切断厚さのバラツキを低減する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数（ここでは二つ）の溝付きローラ２，３の外周溝に巻き付けられた切断用のワイヤ４を走行させてワイヤ４の複数列でワークである半導体インゴット７を切断するワイヤソー装置１において、溝付きローラ２，３間に張架されたワイヤ張力のうち、ワイヤ回収側のワイヤ張力を大きくし、ワイヤ供給側のワイヤ張力を小さくした張力制御手段１６を有している。 （もっと読む）

【課題】上面に高低差がある被加工物であってもアライメントマークを鮮明に撮像できるようにする。
【解決手段】被加工物の加工予定ラインに対応して存在するアライメントマークを検出するアライメント装置１に、撮像手段３を外周側から包囲する位置に配設された照明手段５を備え、照明手段５には円周方向に均等配設された４つ以上の発光源５０ａ〜５０ｄを備え、切替手段６によってそれぞれの発光源の点灯または消灯を個別に制御して切り替えることができる構成とする。被加工物１０の被撮像面１０ａに凹凸があっても、発光源を個別に点灯または消灯させることにより、影がない状態で撮像を行うことができ、鮮明な画像を取得してアライメントマークを確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】揺動切断の際に発生するワイヤの局所的な張力変動を抑制する。
【解決手段】往復走行しながら揺動する切断用ワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて切断するワイヤソー装置１である。揺動するワイヤガイド支持部４や、ワイヤガイド支持部４に配置された一対のワイヤガイド２、２、切断用ワイヤ３を一対のワイヤガイド２、２に巻き付けることにより、これらワイヤガイド２、２の間に形成されるワイヤ群３ａ、切断用ワイヤ３の巻き出し及び巻き取りが可能なワイヤ供給装置６とワイヤ巻取装置７、変位して被加工物Ｗをワイヤ群３ａに押し付けるワーク保持部５０、制御装置８を備える。制御装置８が、切断用ワイヤ３の走行速度を制御する走行速度制御手段８ａと、切断用ワイヤ３の走行速度の増減に応じてワイヤガイド支持部４の揺動速度を増減制御する揺動速度制御手段８ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】大径，薄肉の外周刃鋸を回転振れすること無く安定して回転駆動できるようにし、より大きな円柱状シリコンインゴットの外周部の切断および切り粉の削減に対応可能とする。
【解決手段】切断機構８０の回転モータにより回転駆動され、ワークＷ１の外周部を切断する外周刃鋸８１と、切断機構８０およびスライダ機構５０に設けられ、外周刃鋸８１の回転駆動時における回転振れを抑制する回転振れ抑制機構（サブチャック６３，カバー部材８３，液圧供給パイプ８４，液圧導入室および液圧安定部材）を備えている。これにより、外周刃鋸８１を大径，薄肉にしてもその回転振れを抑制でき、より大径のワークＷ１の外周部の切断および切り粉の削減に対応できる。また、基台の長手方向に沿って移動するスライダ機構５０によりワークＷ１を移動させるので、より長尺のワークＷ１の外周部の切断に対応できる。 （もっと読む）

【課題】揺動切断の際に発生するワイヤの局所的な張力変動を抑制する。
【解決手段】走行しながら揺動するワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて切断するワイヤソー装置１である。揺動するワイヤガイド支持部４に、各々が互いに離れて回転する一対のワイヤガイド２が配置されている。１本のワイヤ３を一対のワイヤガイド２の周囲に巻き付けることにより、これらワイヤガイド２の間に略平行なワイヤ群３ａが形成されている。ワイヤ３の巻き出し及び巻き取りが可能なワインダ６，７とワイヤガイド２との間に、ワイヤ３を案内するワイヤ走行経路１４が設けられている。制御装置８は、ワイヤガイド支持部４の揺動に同調させてワインダ６，７の回転速度を制御するワインダ速度制御手段８ａを有している。 （もっと読む）

【課題】
加工条件を決定するに際して、オペレータの入力作業を少なくし、基本的な加工条件の数値を入力することによって、自動演算により加工条件に適合する数値データを制御装置に自動的に設定できるようにする。
【解決手段】
複数のメインローラ６の間にワイヤ２を多重に巻き掛け、往復走行状態のワイヤ２にワーク１４を押し当てることによって、ワーク１４を所定の厚みの多数の板状体に切断し、ウェーハとして産出するワイヤソー１において、必要な加工条件を入力し、加工条件にもづいて複数の計算式から１サイクルでのワイヤ２の送り距離、戻り距離を演算し、入力した加工条件および計算により求めた送り距離および戻り距離を制御装置に自動的に設定する。 （もっと読む）

【課題】所望の傾斜角度に高精度に対応する切断面をもち、表面の平坦度が高い単結晶ウエハを得ることができる。
【解決手段】単結晶体２０ａ、２０ｂの中心軸に沿った結晶方位を、複数の単結晶体２０ａ、２０ｂ同士でいずれも平行な結晶方位とし、複数の該単結晶体２０ａ、２０ｂを、中心軸を走行方向に対して直交させて配置し、中心軸に垂直な単結晶体２０ａ、２０ｂにおける中心を通る仮想面を、押圧方向に対して所定角度傾けるとともに、隣り合う２つの単結晶体２０ａ、２０ｂ同士で押圧方向に対する仮想面の傾斜の向きを異ならせて、ワイヤソー１９に対して押圧し、仮想面に対して所定角度傾いた切断面を有する単結晶切断体を得る。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ径を必要以上に大きくすることなく、高い耐久性を有するワイヤソー等を提供する。
【解決手段】 ワイヤソー７は、主に芯線１１、樹脂製保護層１３、フィラー１５、砥粒保持層１７、砥粒１９等から構成される。芯線１１は、高純度石英ファイバである。高純度石英ファイバは、例えば気相合成したガラスファイバであり、不純物を含まず、高い抗張力を有する。芯線１１としては、５０００ＭＰａ以上の抗張力を有するものが望ましい。このような芯線１１としては、例えば、従来光ファイバとして使用されるガラスファイバを用いることができる。芯線１１の外周には、フィラー１５を含有した樹脂製保護層１３が設けられる。樹脂製保護層１３は、芯線１１を保護するためのものである。樹脂製保護層１３は、後述する砥粒１９と芯線１１との接触を防止し、砥粒１９との接触による芯線１１の破断を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、（１１１）方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット１を準備する工程と、当該インゴット１を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット１を、ワイヤソーを用いて（１００）±７°または（５１１）±７°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ７を（０１−１）方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット１をワイヤ７の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ７を用いてスライスする工程とを備える。 （もっと読む）