説明

国際特許分類[B82Y20/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | ナノ技術 (5,073) | ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理 (1,056) | ナノ光学,例.量子光学またはフォトニック結晶 (95)

国際特許分類[B82Y20/00]に分類される特許

71 - 80 / 95


本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの1つまたは複数を含む方法が記載されている。
(もっと読む)


量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含み、ナノ粒子の少なくとも一部は、電荷中性状態である、光学材料が開示される。また、量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を含み、ナノ粒子の少なくとも一部は、電荷中性状態である、光学部品も開示される。さらに、量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を少なくとも部分的にカプセル化し、少なくとも部分的にカプセル化された光学材料に、ナノ粒子の少なくとも一部上の電荷を中和するのに十分な期間光束を照射することにより得ることができる、光学材料が開示される。さらに、量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を含む光学部品を少なくとも部分的にカプセル化し、少なくとも部分的にカプセル化された光学材料に、ナノ粒子の少なくとも一部上の電荷を中和するのに十分な期間光束を照射することにより得ることができる、光学部品が含まれる。方法もまた開示される。
(もっと読む)


周波数依存性の光スイッチングのためのデバイス、方法、および技法が提供される。一実施形態では、デバイスが、基板と、基板上に位置する第1の光場閉込め構造体および第2の光場閉込め構造体と、第1の光場閉込め構造体と第2の光場閉込め構造体の間に配置された量子構造体とを含む。第1の光場閉込め構造体は、光子を受け取る表面を含むことができる。第2の光場閉込め構造体は、第1の光場閉込め構造体から離隔させることができる。第1の光場閉込め構造体および第2の光場閉込め構造体は、間に光子の光場を実質的に閉じ込めるように構成することができる。
(もっと読む)


半導体ナノ結晶を添加したマトリックスを提供する。特定の実施形態において、これらの半導体ナノ結晶は、特定波長の光を吸収または放射するようにサイズおよび組成を有する。これらのナノ結晶には、最小部分の光がこれらのマトリックスにより散乱されるように、重合体類を含む種々なマトリックス物質との混合を可能にする配位子が含まれ得る。これらのマトリックスを、任意に、これらの配位子から作る。本発明のマトリックスは、屈折率適合用途において利用することもできる。他の実施形態において、半導体ナノ結晶はマトリックス内に埋め込まれ、ナノ結晶密度勾配を形成し、それゆえに、有効屈折率勾配を作る。本発明のマトリックスは、光学素子上のフィルターおよび反射防止コーティングとして、ならびに低周波数変換層としても使用することができる。半導体ナノ結晶を含むマトリックスを生成するプロセスも提供する。II〜VI族のシェルを用いてリン化インジウムナノ構造およびコアシェルナノ構造を生成する方法、ならびに高量子効率で小規模の、および/または狭いサイズ分布を有するナノ構造についても記載する。 (もっと読む)


ウイルス、細胞、細胞内構造または細胞外構造などの標的構造が媒介するかまたはそうした標的構造と関連がある状態、障害または疾患を治療することを含めた、生物学的活性を媒介するかまたは生物学的活性と関連がある標的構造を改変するための製品、組成物、システムおよび方法。これらの方法は、対象の標的構造付近に、表面の少なくとも一部分上に金属シェルを有するナノ粒子を置き、開始エネルギーを対象に適用することによって、in situにおいて非侵襲性の様式で実施し、こうして、標的構造に対する作用または変化を、直接的にまたは調節剤を介して発生させることができる。ナノ粒子は、第1の波長λに曝露されると、第1の波長λよりも高いエネルギーを有する照射の第2の波長λを発生させるように構成される。さらに、これらの方法は、in situにおいて開始エネルギーを対象に適用することによって実施することもできる。
(もっと読む)


電荷制御剤を使用して、長距離での静電気斥力を確立し、無極性溶媒中で磁気的に調節可能なフォトニック特性を持つ、超常磁性コロイドを規則構造にする方法。AOT分子などの電荷制御剤の導入による逆ミセルは、n−オクタデシルトリメトキシシラン修飾Fe34@SiO2粒子の表面の電荷分離を増大できる。著しく改良された長距離での静電反発力によって、磁気的に誘導される引力と釣り合うことができ、その結果、無極性溶媒中で超常磁性コロイドを規則正しく配列させることができる。この系は、外部磁場に対して高速で完全に可逆的な光応答性、性能の長期安定性、および良好な回折強度を持つ。 (もっと読む)


本願は、少なくとも1%の光輝性量子収量を有する、発光性窒化物ナノ粒子、例えばナノ結晶体を提供する。この量子収量は、従来の窒化物ナノ粒子よりもはるかに高い。従来の窒化物ナノ粒子は、弱い放射のみであり、製造されるナノ粒子のサイズの制御が困難であった。ナノ粒子は、窒化物結晶体の表面に供給されており且つ結晶体の表面に位置する窒素原子を不動態化するための電子求引基を含む、少なくとも1つのキャッピング剤を含んでいる。本発明は、非発光性のナノ粒子も提供する。
(もっと読む)


窒化物ナノ粒子を製造する方法は、金属、ホウ素またはケイ素を包含する材料と、窒素を包含する材料と、窒化物ナノ構造体の量子収量を増加させるための電子求引基を有するキャッピング剤とを含む構成成分から、窒化物ナノ構造体を製造する工程を含む。少なくとも1%、最大で少なくとも20%の光輝性量子収量を有する、窒化物ナノ粒子、例えば窒化物ナノ結晶体を取得し得る。
(もっと読む)


本発明によると、ナノ構造デバイスは、基板から突き出した第1ナノワイヤ群を有し、第1ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれは少なくとも一つのPN又はPIN接合を有する。第1接触は、前記第1ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれが有する前記PN又はPIN接合の第1側面を少なくとも部分的に取り囲んで、前記第1側面へと電気的に接続されている。第2接触手段は、前記基板から突き出した第2ナノワイヤ群を含み、前記PN又はPIN接合の第2側面との電気的な接続を提供するように設けられている。
(もっと読む)


デバイスは、基板、その上に存在する層、および前記層を貫通するナノ構造を備え、ナノ構造は、分析される分子が通過可能なナノスケールの通路を規定し、ナノ構造は断面図において、実質的に三角形状を有するようにした。この形状は、ナノ構造の傾斜側壁を規定する結晶ファセットを有するエピタキシャル層の成長によって特に達成する。それは、特に表面プラズモン増強透過分光を用いた、分子構造の光学的特性評価のための使用に極めて好適である。
(もっと読む)


71 - 80 / 95