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国際特許分類[C01B33/037]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 無機化学 (31,892) | 非金属元素;その化合物  (21,484) | けい素;その化合物 (4,055) | けい素 (1,305) | 精製 (223)

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【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 (もっと読む)


【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いるフラックス中の不純物、特にBを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するBが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いることで、Si中のBを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてBを除去したSiに、高真空下、局所高温加熱等によりPを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度6N程度の太陽電池に使用可能な高純度Siとすることができる。 (もっと読む)


【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末1を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域8を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域8を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域8を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域28を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 (もっと読む)


【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第1の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第1の圧力よりも低い第2の圧力下で脱気する工程と、を含む。 (もっと読む)


【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Gと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Cmと、凝固速度Vとを用いて表される組成的過冷却指数{VOGC=(V/G)×Cm}が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配mと不純物元素の拡散係数Dにより表される組成的過冷却の臨界値{0.59(D/m)}に対して、1/10{0.59(D/m)}≦VOGC<0.59(D/m)の関係を維持するように、融液の加熱及び/又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 (もっと読む)


【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を400〜1000℃の心棒温度で、少なくとも1つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、UV光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 (もっと読む)


【課題】真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。
【課題手段】真空ポンプ1を装備した処理室2内に、シリコン溶湯3を収容する坩堝4と坩堝4を加熱する加熱手段5とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。 (もっと読む)


【課題】トリクロロシラン(TCS)からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をTCSに変換して、ジクロロシラン(DCS)およびその他の化合物を効果的に再利用する。
【解決手段】本発明は、ホウ素化合物の量を減じたTCS製造方法に関し、(A)TCS含有反応ガスを生成するために、流動床反応器1において冶金級シリコン11と塩化水素ガス19とを反応させ、(B)第1蒸気留分16と第1蒸留残渣15とを分離するために、第1蒸留塔3頂部の蒸留温度をTCSの沸点とテトラクロロシランの沸点との間に設定することにより、反応ガスの第1蒸留を実施し、第1蒸気留分を第2蒸留塔4へ供給し、(C)TCS17と、ホウ素化合物を含有する第2蒸気留分18とを分離するために、第2蒸留塔頂部の蒸留温度をDCSの沸点とTCSの沸点との間に設定することにより、第2蒸留を実施し、(D)第2蒸気留分を流動床反応器に再供給する。 (もっと読む)


【課題】シリコンの炭素濃度を高精度、短時間かつ低コストで測定することが可能な炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】シリコンの炭素濃度を測定する方法であって、シリコンを酸に溶解して溶液を作製する工程と、溶液をフィルタにより濾過する工程と、フィルタ上の残渣について測色する工程と、測色する工程により得られた測色値から炭素濃度を算出する工程と、を含む、炭素濃度測定方法である。 (もっと読む)


【課題】 亜鉛還元法によって四塩化珪素から多結晶シリコンを製造する際に、容器内壁へのシリコンの付着による回収量低下並びに、容器材質からのシリコンへの汚染を防止する、供給ノズルに二流体ノズルを用いて反応させることで効率的かつ高純度のシリコンの製造方法と、このシリコンの製造法に適した精製装置を提供する。
【解決手段】 反応容器内で四塩化珪素と亜鉛の気相反応によって、前記四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを精製する太陽電池用シリコンの製造方法において、反応容器内に原料であるガス状の四塩化珪素および亜鉛を個別に送り込む噴射口を各々有する内管と外管で構成される二重管構造の二流体ノズルを用いて、原料の四塩化珪素と亜鉛を異なる線風速で二流体ノズルから反応容器内に送り込み、反応させることを特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法。 (もっと読む)


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