【課題】臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させる超伝導線材を作製する方法を提供する。
【解決手段】超伝導線材を作製する方法であって、延伸中間要素が、変形ステップで初期要素から形成され、最終反応熱処理により、超伝導フィラメントが形成される方法は、最後の反応熱処理に先立って、変形ステップに続く１つ以上の高圧高密度化ステップにおいて中間要素中のフィラメントの密度が高められ、前記高密度化ステップでは、軸長Ｌを有する中間要素の一部分上に高圧Ｐ≧１００ＭＰａがつくり出され、延伸中間要素の軸に対して垂直な少なくとも４つの硬表面へ同時に作用されることを特徴とする。このことが、臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させ、これによって、異方性因子Γはほとんど影響を受けることなく、ほぼ等方性の線材またはテープの生産が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、元素状ホウ素の精製方法及び当該方法により得られたホウ素に関する。 （もっと読む）

【課題】安全性、酸化安定性、熱安定性の改善されたリチウム二次電池を提供すること。
【解決手段】負極と、正極と、セパレータと、非プロトン性溶媒中に保持されるリチウムに基づいた電解質とから構成されたリチウム二次電池であって、以下の式、即ち、
Ｌｉ₂Ｂ₁₂Ｆ_xＺ_12-x
（式中、ｘは４以上であり、ＺはＨ、Ｃｌ及びＢｒを表す）のリチウム塩を使用することで改良されたリチウム二次電池を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】太陽光等が照射されたときに青白色に変色する現象（ブルーヘイズ）を抑制できる赤外線遮蔽材料微粒子分散液と赤外線遮蔽膜等を提供する。
【解決手段】一般式ＸＢｍで表されるホウ化物微粒子により構成される赤外線遮蔽材料微粒子が溶媒中に含まれる赤外線遮蔽材料微粒子分散液であって、動的光散乱法で測定した赤外線遮蔽材料微粒子の粒度分布で、５０％径が１０ｎｍ〜３０ｎｍ、９５％径が２０ｎｍ〜５０ｎｍおよび平均粒径が１０ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする。また、赤外線遮蔽膜は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の媒体が添加された赤外線遮蔽材料微粒子分散液を基材表面に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜から溶媒を蒸発させて得られることを特徴とする。 （もっと読む）

超伝導体構造物は、基板の表面に沿って、基板内にチャネルを形成することと、基板のチャネル内に材料を堆積させることであって、材料は、超伝導体材料および超伝導体材料の前駆体のうちの１つを含む、ことと、単一の凝集構造物として形成される細長い超伝導体ワイヤを形成するように基板のチャネル内で物質を熱処理することとによって製造される。基板は、チャネル内に形成された超伝導体ワイヤを有する複数のチャネルをさらに含み得る。さらに、互いに対して異なる空間位置に配列された個別の超伝導体ワイヤの束を含むケーブルが形成される。
（もっと読む）

【課題】微細で、針状形状を有し、しかも適切な長さを有する針状ホウ化物粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】タンタルホウ化物又はニオブホウ化物を含み、直径１０〜５００ｎｍ、長さ１〜１０μｍの針状形状を有する針状ホウ化物粉末。酸化タンタル又は酸化ニオブ、ホウ素源、及び、還元剤を配合し、これらの混合物を得る混合工程と、前記混合物を減圧下において加熱し、固相反応させる反応工程とを備えた針状ホウ化物粉末の製造方法。前記反応工程は、０．１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ）未満の真空度において、前記混合物を固相反応させるものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】直流アーク放電を利用して二ホウ化マグネシウムのナノチューブを製造する方法、及びそのような方法で製造される特定構造の二ホウ化マグネシウムナノチューブを提供すること。
【解決手段】陽極先端部に設けた凹部にマグネシウム及びホウ素の混合粉末、又は二ホウ化マグネシウ粉末を充填し、極低温流体中において陰極及び陽極間に直流アーク放電を起こすことにより、陰極表面に二ホウ化マグネシウムナノチューブを含む結晶が析出する。 （もっと読む）

【課題】
in−situ法を用いたＣｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材の長尺化と高いＪｃを両立させる中間熱処理条件を提供する。
【解決手段】
Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材におけるＣｕとＦｅのシース厚み比を、Ｃｕが１に対してＦｅを１.５以上にした複合シース材を用い、その複合材にＭｇとＢを充填して構成される線材を、加工工程の途中で５００〜５４０℃の中間熱処理を行いつつ伸線加工する。これにより、高Ｊｃ化と長尺化を両立したin−situ法Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材を作製できる。 （もっと読む）

（ＣＡＳシステムに従った）ＩＶＢ群、ＶＢ群、及びＶＩＢ群の金属、並びにＡｌから選択される一種類以上の金属で被覆された、耐摩耗性、及び耐腐食性のＷＣを基礎とした材料を製造するための方法を開示する。この方法は、前記被覆された構造体を、ハロゲン化された化合物を実質的に含まない電解質中で、電気化学的ホウ素化処理で処理することを含み、ここで該電解質はアルカリ炭化物及びホウ素供給源を含み、そして前記電解質は、電気分解の間、５０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの間の電磁周波数を有する誘導加熱措置の下で加熱される。 （もっと読む）

【課題】Ｔｃが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂からなる超伝導物質層と、ＭｇＢ₂及びＮｉからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 （もっと読む）