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国際特許分類[C01G19/02]の内容

国際特許分類[C01G19/02]に分類される特許

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【課題】インジュム酸化スズ(ITO)ナノ粒子を少ない工程で作成する。
【解決手段】超臨界、亜臨界水中での水熱反応を利用し、インジューム(In)およびスズ(Sn)の金属塩水溶液あるいは水酸化物を原料とし、インジュム酸化スズ(ITO)ナノ粒子を作成する。また、作成されたITOナノ粒子の表面にチオール、アルコール、アルデヒドなどの有機基を化学結合させた、有機表面修飾型のインジュム酸化スズ(ITO)ナノ粒子を作成する。 (もっと読む)


【課題】酸化スズ粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化スズ粒子は、粉末X線回折において、酸化スズの(110)面のピークの高さに対する(101)面のピーク強度比が1.0以上であることを特徴とする。また、本発明の酸化スズ粒子は薄片状の形状を有し、好ましくは、薄片面の最長幅及び最短幅がそれぞれ0.05〜40μmの範囲にあり、厚みが0.005〜2μmの範囲である。
本発明の酸化スズ粒子は、2価のスズ化合物とアルカリとを、反応器内のpHを6以下に維持するように添加して、スズ化合物を加水分解して製造し、必要に応じてその後に焼成する。
酸化スズ粒子は、導電性材料、触媒、ガスセンサー等に有用であり、酸化スズ粒子を分散体、塗料、樹脂組成物等に配合して用いることができる。 (もっと読む)


【課題】アークプラズマ法を用いなくとも、導電性を損なうことなく、アルコールなどの溶媒に対する分散性が良好で、かつ安価な導電性微粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】塩素、臭素及びヨウ素の少なくとも1種のハロゲン元素を0.01〜5質量%含有する導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を形成及び結合させて、誘電率の変化が容易な透明無機/高分子複合層をゲート絶縁層として用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁体であって既存ゲート絶縁体に比べ、非常に高くて調節が容易な誘電率を有する金属酸化物ナノ粒子を含む光硬化透明無機/高分子複合層30を用い、駆動電圧は下げながらon/off電流比を増加させることができ、高い誘電率による電気容量の低下なく、ゲート絶縁体の厚さを厚くすることができ、漏洩電流を最小化することによって有機薄膜トランジスタとしての優れた特性を発揮する。また、有機薄膜トランジスタは光硬化透明高分子70の特性をそのまま維持するので、光硬化及び微細パターン形成ができ、高い工程性を示す。 (もっと読む)


【課題】酸化第一錫粉末を直接めっき液中に添加しSn成分を補給する方法に好適な、酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高い酸化第一錫粉末を製造する方法を提供する。
【解決手段】第一錫塩の酸性水溶液とアルカリ水溶液とを中和して水酸化第一錫沈殿を生成させる中和工程と、水酸化第一錫沈殿を加熱下で熟成し脱水させて酸化第一錫とする脱水工程と、酸化第一錫をろ別して水洗し乾燥する回収工程とを含む酸化第一錫粉末の製造方法において、中和工程が窒素ガス雰囲気中で行われ、脱水工程が窒素ガス雰囲気中で行われ、回収工程における乾燥が真空乾燥により行われることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化第一錫粉末を直接めっき液中に添加してめっき液中のSn成分を補給することを可能にする、酸又は酸性めっき液に対する溶解性が極めて高い、Sn合金めっき液のSn成分補給用酸化第一錫粉末を提供する。
【解決手段】酸化第一錫粉末が温度23〜28℃のアルカンスルホン酸水溶液300mlに、酸化第一錫粉末20gを添加して攪拌したとき、5秒以内で溶解する溶解速度を有することを特徴とする。酸化第一錫粉末は平均粒径がD50値で10〜20μmの範囲内であり、かつタップ密度が0.6〜1.2g/cm3であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ニオブ、タンタル、リン等をドーパントとしたアンチモンフリー導電性二酸化錫粉末が知られているが、これら粉末は初期の導電性には優れているものの、その熱安定性(耐熱性)は十分ではなく、より一層耐熱性に優れたアンチモンフリー導電性二酸化錫粉末が求められている。
【解決手段】二酸化錫粉末及び水酸化第二錫粉末から選ばれる少なくとも一種の錫化合物粉末と窒化珪素粉末とを混合した後、非酸化性雰囲気下で加熱焼成することを特徴とする珪素含有二酸化錫粉末の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ITO薄膜形成に好適な高密度化と成分の均一性に優れた焼結体を得ることができる酸化錫粉末及び該粉末を用いて焼結したITO膜形成用スパッタリングターゲットを提供するものであり、これによってITO薄膜形成時に発生するノジュール等やそれに伴う薄膜の品質の低下を抑制できるITO膜形成用酸化錫−酸化インジウムターゲットを低コストで提供する。
【解決手段】粒度分布から求めたメジアン径が0.40〜1.0μmの範囲にあり、かつ粒度分布から求めた90%粒径が3.0μm以下の範囲にあることを特徴とするITOスパッタリングターゲット用酸化錫粉末。 (もっと読む)


本発明は、リチウムイオン電池用の正極活物質及びその調製方法を提供する。前記正極活物質はリチウムリン酸鉄を少なくとも一つの金属酸化物と一緒に焼結して形成される焼結産物を含む。上記金属酸化物はIIA、IIIA、IVA、VA、IIIB、IVB及びVB族の元素からなる群より選択される金属の酸化物である。本発明において提供されるリチウムイオン電池用正極活物質から調製されるリチウムイオン電池の容量は大幅に改善される。 (もっと読む)


【課題】酸化スズ粉末を表面処理することによって酸化スズ中に含まれるリンを安定化し、リンの触媒作用を抑制した導電性酸化スズ粉末とその製造方法等を提供する。
【解決手段】リンを含む酸化スズ粉末を、アクリル酸エステルによって表面処理し、次いで不活性雰囲気下で焼成することによって、酸化スズ中のリンを安定化したことを特徴とする導電性酸化スズ粉末であって、リン含有量0.5〜5wt%、表面処理後の炭素量100〜10000ppm、粉末固有抵抗100Ω・cm以下であり、該粉末を含む薄膜が成膜後10日経過時のヘーズ値の変化が±0.2以下であって上記経過時の膜強度が初期鉛筆硬度内である導電性酸化スズ粉末とその製造方法および用途。 (もっと読む)


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