【課題】含銅複合酸化物において容易に高い結晶成長を実現し、作業性にも優れた酸化銅粉末を提供する。
【解決手段】１次粒子の形状が柱状であり、当該１次粒子のＳＥＭ粒子径の平均値が、短軸は１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下、長軸は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、且つ、アスペクト比が１．５以上であることを特徴とする酸化銅粉末である。 （もっと読む）

【課題】含銅複合酸化物において容易に高い結晶成長を実現し、作業性にも優れた酸化銅粉末の提供する。
【解決手段】１次粒子の平均粒子径が、０．５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化銅粉末を提供する。 （もっと読む）

【課題】長期保存性に優れた酸化第一銅濃厚分散体を提供することである。高純度の酸化第一銅分散体を容易に希釈作製することである。
【解決手段】１次粒径が１００ｎｍ以下の酸化第一銅微粒子の分散体であって、該酸化第一銅微粒子の含量が４０重量％以上であり、水含有量が最大で８．０重量％であることを特徴とする分散媒が有機分散媒である酸化第一銅濃厚分散体。１次粒径が１００ｎｍ以下の酸化第一銅微粒子軟凝集体を有機分散媒に分散する工程（１）、及び、分散した分散体を超遠心分離濃縮もしくはＵＦ濃縮する工程（２）とを含む製造方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化銅系半導体薄膜の製造方法として、スピンコート法やインクジェット印刷法、スクリーン印刷等の塗布型プロセスにより製造することができ、しかも、均一な結晶性の高い亜酸化銅薄膜を形成することにより、良好な半導体特性を示す酸化銅系半導体薄膜の製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、エポキシ樹脂系の光半導体封止用組成物について鋭意検討を重ねた結果、平均一次粒子径が１〜５０ｎｍの範囲内であり、表面が配位および／または結合可能な有機化合物により被覆されている酸化銅系微粒子を含有する液状組成物を基板上に付着させる工程と、当該微粒子を加熱焼結する工程とを備えている酸化銅系半導体薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】バルクの金属薄膜と同等程度の導電性を有し、かつピンホールの少ない金属薄膜を形成できる金属薄膜前駆体分散液を提供することである。
【解決手段】 金属薄膜前駆体を含有する分散液であって、該分散液の表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下、および、該分散液に５重量％以上含有する、該金属薄膜前駆体を除く化合物の沸点が１５０℃以上４００℃以下である、若しくは該化合物の焼失温度が１５０℃以上４００℃以下であることを特徴とする金属薄膜前駆体分散液。 （もっと読む）

【課題】 プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。
【解決手段】 その製造方法は２態様あるが、第１の態様は塩化銅及び塩酸を主成分とする銅エッチング廃液と、酸素を含む気体又は酸化剤と金属銅とを接触させることにより、該エッチング廃液中の第２銅イオンの酸化作用を利用して該金属銅を溶解させた濃厚液を得る第１工程と、前記第１工程で得た濃厚液と酸素を含む気体又は酸化剤を接触させることにより該濃厚液中の塩化第1銅成分を低減し、その後該濃厚液とアルカリ剤とを混合してｐＨ９以上の混合液を形成し、該混合液中に析出する固形分を酸化第２銅とする第２工程とからなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】銅メッキに好適に用いられる酸化第二銅粉末を提供する。
【解決手段】酸化第二銅粉末を、平均粒子径が１５μｍ以上４５μｍ以下、安息角が５０°以下、ＣｕＯ含有量が９７．０重量％以上であって、易溶解性とする。 （もっと読む）

【課題】 プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。
【解決手段】 その製造方法は塩化銅及び塩酸を主成分とする銅エッチング廃液にアルカリ剤をｐＨ１１．５以上になるまで混合し、その混合中は混合液の温度を３０℃以上５０℃未満に維持し、混合後も前記ｐＨ及び温度を維持して所定時間放置し、放置後混合液中の固形分を分離することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 基質上での結合性且つ高度な導電性構造における使用に適切な金属ナノ粒子を有する組成物が開示されている。さらに、前記組成物を合成する方法及び前記組成物から結合性且つ高度な導電性構造を形成する方法も開示されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどの用途への使用が期待できる新規なマイクロ・ナノ構造体、及び自己組織化を利用したマイクロ・ナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】銅酸化物からなり、外径に対する長さの比であるアスペクト比が１．５以上で、半導体特性を有し、内部が中空なナノチューブであることを特徴とするマイクロ・ナノ構造体。及び、低真空中で金属銅の表面に高エネルギービームを照射して、励起した銅原子と低真空中に残留する酸素原子とを結合させつつ、自己組織化によって、内部が中空なナノチューブを製造することを特徴とするマイクロ・ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）