【課題】 ジアリール誘導体を低コストかつ短時間で製造する。
【解決手段】
一般式（１）
Ａｒ^１−Ａｒ^２ ・・・・・・・・・（１）
（ここで、Ａｒ^１、Ａｒ^２は、１個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２とは同じでもよいし、異なっていてもよい。）
で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式（２）
Ａｒ^１−Ｂ（ＯＲ^３）_２ ・・・・・（２）
（ここで、Ａｒ^１は前記と同じものを表す。Ｒ^３は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。）
で示されるホウ素誘導体と、一般式（３）
Ｘ−Ａｒ^２ ・・・・・・・・・（３）
（ここで、Ｘは沃素、臭素、Ｒ^４−ＳＯ_３−を表し、Ｒ^４はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ａｒ^２は前記と同じものを表す。）
で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、デンドリティック（樹状）なポリフェニレン構造を有し、配位子として有効で、かつ種々の反応において、有用な触媒作用を有する新規化合物を見出すことを目的とする。
【解決手段】次の一般式（１）
【化１】


（式中、Ｂは窒素原子又はリン原子を示し、Ｒ^１は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は２’，３’，４’，５’−テトラフェニルビフェニル基（以下、ＴＰＢＰという。）を示し、ｍは１又は２の整数を示し、ｍが１のときはＲ^２は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又はＴＰＢＰを示し、ｍが２のときはＲ^２は、２価の炭素数１〜３０の炭化水素残基を示す。）
で表される２’，３’，４’，５’−テトラフェニルビフェニル化合物又はその塩。 （もっと読む）

本発明は、一般式IのN′-置換N-アシルアミジン-遷移金属錯体に関するものであり、式中においてMは、金属Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPtの群から選択される遷移金属であり；Xは、Cl、Br、トリフレート、メタンスルホネートまたはp-トルエンスルホネートであり；mは0、1または2であり；nは1、2または3であり；各基は下記で定義の通りであり；R¹、R²はそれぞれ、モノもしくはポリ不飽和であることができる1〜20個の炭素原子を有する直鎖、分岐もしくは環状炭化水素基；直接結合しているかC₁-〜C₆-アルキルまたはC₂-〜C₆-アルキレン基を介して結合していることができる3〜6個の環員を有する芳香族基であり；前記の基は、１以上の置換基を有することができる。Arは、5〜10個の環員を有するC₆〜C₁₀-アリールまたはヘタリールであり；前記の基は、C₁-〜C₆-アルキル、C₁-〜C₄-ハロアルキル、NR¹⁰R¹¹、COOR⁶、Si(R⁷)₃、Si(R⁷)₂R⁸、OR³および／またはハロゲンによって置換されていても良い。本発明はさらに、この新規な種類の遷移金属錯体の製造方法ならびにそれらの触媒としての使用に関するものでもある。
【化１】

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本発明の１つの態様は遷移金属に対する配位子である。本発明の第２の態様は、前記配位子を含む触媒を、遷移金属によって触媒される炭素−ヘテロ原子間、および炭素−炭素間結合形成反応において使用することに関する。対象の方法は、適切な基質の範囲、反応条件および効率を含む、遷移金属によって触媒される反応の多くの特徴に改善をもたらす。 （もっと読む）

式(I)[式中、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及びR⁶は、独立して、H、C_1-7アルキル、C_5-20アリール、C_3-20ヘテロシクリル、ハロ、エステル、アミド、アシル、スルホ、スルホンアミド、エーテル、チオエーテル、アゾ及びアミノから選択されるか、又は、R¹とR²はそれらが結合している環と一緒になって、3員〜8員の炭素環又はヘテロ環を最大3つ含んでいる飽和又は不飽和の炭素環式基又はヘテロ環式基(ここで、炭素環又はヘテロ環の各環は、1つ以上の他の炭素環又はヘテロ環に縮合していてもよい)を形成しており；Xは、中性であるか又は負に荷電しているN-ドナー配位子又はS-ドナー配位子であり；Yは、対イオンであり；mは、0又は1であり；qは、1、2又は3であり；C'は、2つのA基に結合しているC_1-12アルキレンであり；pは、0又は1であり、pが0である場合はrは1であり、pが1である場合はrは2であり；A及びBは、それぞれ独立して、O-ドナー配位子、N-ドナー配位子又はS-ドナー配位子であり、そして、互いに連結していてもよい]で表されるルテニウム(II)化合物又はその溶媒和物若しくはプロドラッグ。該化合物は、癌の治療で使用される。
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ビフェニルから４，４′−ジイソプロピルビフェニルへの高選択的イソプロピル化の連続フロープロセスを見いだした。すなわち、デカリン中のビフェニル及びプロペンを、流動反応器内の固体ゼオライト触媒床を通して適当な温度（２２０℃）及び圧力（１０〜３０ａｔｍ）で窒素の連続流と共に流す。驚くべきことに、反応器に反応体及び溶媒と共に窒素を連続的に導入することによって触媒性能が改良される。すなわち、生成物への転化率（％）の向上、ジイソプロピル化生成物の収率の向上及び不都合なトリイソプロピル化生成物の収率の低下で測定される性能の向上が、窒素のような希釈剤ガスを使用したときに観察される。ゼオライト触媒、好ましくはＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３モル比約１０：１〜約５００：１の脱アルミ化モルデナイトを使用するアルキル化プロセスは、４，４′−ジイソプロピルビフェニルに対して選択的である。 （もっと読む）

本発明は、一般式（Ｉ）で表されるホスホニウムボレート化合物（以下、化合物（Ｉ））に関し、Ａ）工業的規模で安全に高い収率で、簡便な反応操作による新しい製造方法、Ｂ）取り扱いの容易な新規化合物及び、Ｃ）新規な触媒用途を提供することを目的とする。
一般式（Ｉ）：（Ｒ^１）（Ｒ^２）（Ｒ^３）ＰＨ・ＢＡｒ_４ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３、Ａｒは明細書中の記載と同一である。］
Ａ）ホスフィンと、ａ）ＨＣｌ又はｂ）Ｈ_２ＳＯ_４とを反応させてａ）塩酸塩又はｂ）硫酸塩を生成させ、次いでこの塩とテトラアリールボレート化合物とを反応させることを特徴とする。
Ｂ）Ｒ^１として第２，３級アルキル基等を有し、空気中でも特段の注意を要することなく容易に取り扱いができることを特徴とする。
Ｃ）Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｎ及びＣ−Ｏ結合形成反応に用いる遷移金属錯体触媒において、不安定なホスフィン化合物の代わりに化合物（Ｉ）を使用し、同等の効果を発揮することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、シリカゲル及びアルカリ金属若しくはアルカリ金属合金を含有する１族金属／シリカゲル組成物に関する。本発明による組成物は、段階０の物質、段階Iの物質、段階IIの物質及び段階IIIの物質として記載される。これらの物質は、調製法と化学的反応性の点で相違する。各々の連続的段階の物質は、下記の方法を用いて直接的に調製してもよく、或いは、先行段階の物質から調製してもよい。段階０の物質は、例えば、等温条件下又は室温若しくは室温よりも僅かに高い温度においてＮａとＫの液状合金をシリカゲル（多孔性ＳｉＯ_２）に急激に吸収させることにより、親金属の大部分の還元能を保持する弛緩性黒色粉末を形成させることによって調製してもよい。融点の低い１族金属をシリカゲルに吸収させると、穏やかな発熱反応によって段階Iの物質が形成される（該物質は、乾燥空気中では不安定な弛緩性の黒色粉末である）。段階Iの物質を４００℃まで加熱すると、段階IIの物質が形成される（該物質も弛緩性黒色粉末である）。この物質をさらに４００℃よりも高い温度まで加熱すると段階IIIの物質が形成される。この際、１族金属の一部が放出される。段階Iの物質、段階IIの物質及び段階IIIの物質は、１族金属の吸収後にシリカゲルを還元させると考えられる。本発明による好ましい１族金属／シリカゲル組成物は、ナトリウム、カリウム又はナトリウム−カリウム合金を含有するものであるが、ナトリウム及びナトリウム−カリウム合金を含有するものが最も好ましい。本発明による１族金属／シリカゲル組成物を各段階の物質は、アルカリ金属とこれらの合金に対して知られている方法と同じ方法において、多数の還元性有機物質と反応する還元剤として使用してもよい。

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本発明は、架橋可能基と受容基とをカップリングさせることを含む炭素−炭素結合の生成方法に関する。本発明の方法は、次の工程：（ａ）架橋可能基を有する珪素含有化合物を活性化剤によって活性化させ、（ｂ）受容基を有する誘導体を、同時に又は任意の連続する順序で添加し、（ｃ）炭素−炭素結合の生成による該架橋可能基と受容基とのカップリング反応の触媒として作用するパラダサイクル型化合物を添加することを含む。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）の新規の窒素を有する単座配位子ホスファンリガンドおよび触媒反応における、特にハロゲン化芳香族化合物の改善におけるその使用に関する。
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