【課題】本発明は、穏和な条件下で効率的にハロゲン化を効率よく進めるための高活性の触媒を開発し、かつ反応後に容易に回収でき、反応にリサイクルできる触媒を開発することを目的としている。
【解決手段】一般式（１）
Ａ_xＭＯ_(2+0.5x) （１）
（式中、Ａはアルカリ金属を示し、Ｍはクロム、マンガン、コバルト、ニッケルおよび鉄からなる群から選ばれた少なくとも１種の遷移金属元素を示し、ｘは０＜ｘ≦２の数字を示す。）で表される酸化遷移金属複合体（ａ）を含有するハロゲン化触媒。若しくは前記酸化遷移金属複合体（ａ）と酸素（ｂ）から形成されるハロゲン化触媒。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸塩。


（Ｒ¹はＣ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１５のアリール基又はＣ４〜１５のヘテロアリール基。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α，β−位がフッ素で部分置換されているため強い酸性度を示す上、様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、ＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少ない。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、レジスト廃液を適切に処理することで、低分子量の低蓄積性化合物へと変換可能で、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。 （もっと読む）

【課題】 照射した光を減衰又は遮蔽する着色剤等の物質が高濃度で存在する場合や厚い膜厚の場合でも少エネルギー量で硬化可能な感光性組成物を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）を含有する感光性組成物であって、ラジカル開始剤（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び塩基発生剤（Ｃ）の内の少なくとも１つが活性光線の照射により活性種（Ｈ）を発生し、該活性種（Ｈ）がラジカル開始剤（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）又は塩基発生剤（Ｃ）と反応して新たな活性種（Ｉ）を生成して該新たな活性種（Ｉ）による重合性物質（Ｄ）の重合反応が進行し、該活性種（Ｈ）又は（Ｉ）が酸又は塩基であることを特徴とする感光性組成物；
（１）ラジカル開始剤（Ａ）
（２）酸発生剤（Ｂ）又は塩基発生剤（Ｃ）
（３）重合性物質（Ｄ）
（４）着色剤（Ｅ）、金属酸化物粉末（Ｆ）又は金属粉末（Ｇ）。 （もっと読む）

【課題】高純度且つ高収率で３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハロゲノベンゼンを製造できる工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（１）で示される１，３，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンとハロゲン化剤とをアンチモン化合物の存在下で反応させることを特徴とする、一般式（２）で示される３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハロゲノベンゼン化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】芳香族化合物とハロゲン化不飽和化合物との新規な脱ハロゲン化水素カップリング反応を提供する。
【解決手段】塩基（アルコキシドなど）および含窒素有機化合物（脂肪族第２級ポリアミン、脂肪族第３級ポリアミン、芳香族第３級ポリアミン、ポリイミンなど）を含む触媒の存在下、芳香族化合物と炭素−炭素二重結合を構成する炭素原子にハロゲン原子を有するハロゲン化不飽和化合物（例えば、ハロゲン化芳香族化合物）とを反応させる。この反応により、前記芳香族化合物の芳香環に結合した水素原子と、前記不飽和化合物のハロゲン原子とで脱ハロゲン化水素したカップリング化合物が得られる。 （もっと読む）

【課題】優れたパターンの解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化合物及びそれを用いたレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ−Ｐｂ）で表される化合物。


［式中、Ｘ^Ｐｂは、単結合又は−Ｏ−；Ｒ^Ｐｂは、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい；Ｙ^Ｐｂは重合性基；Ｚ^Ｐｂは有機基；Ｘ^Ｐｃは、単結合又はアルキレン基；Ｒ^Ｐｃは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の置換基を特定の箇所に有するフラーレン誘導体、露光により酸を発生する酸発生剤、含窒素有機化合物、及び有機溶媒を含有するＥＵＶ（極紫外線）光露光用レジスト組成物、酸発生剤としてはオニウム塩系のものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レジスト溶剤及び樹脂に対する溶解性（相溶性）が十分高く、保存安定性が良好であり、ＰＥＤ安定性があり、焦点深度がより広く、感度が良好であり、特に解像性とパターンプロファイル形状に優れた化学増幅型レジスト材料を与える化学増幅型レジスト材料用として有効な新規スルホン酸塩と光酸発生剤及びこれを用いたレジスト材料、フォトマスクブランク、並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸塩。
Ｒ^１−ＣＯＯＣ(ＣＦ_３）_２−ＣＨ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （２）
（式中、Ｒ^１はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜５０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｍ^＋はカチオンを示す。） （もっと読む）

本発明は、式（ＩＩ）で表される芳香族塩素化合物又は芳香族臭素化合物を調製するための新規方法に関し、ここで、該方法は、水性塩酸又は水性臭化水素酸の存在下で亜硝酸ナトリウム又は亜硝酸カリウムを用いて式（Ｉ）をジアゾ化し、次いで、場合により追加量の塩化水素若しくは臭化水素又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の塩化物若しくは臭化物の存在下で、鉄（ＩＩ）化合物又は鉄（ＩＩＩ）化合物を用いて変換することによる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トランスヨード化反応に使用される陽イオン交換ゼオライト触媒およびこれを用いたモノ−ヨードベンゼンの製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の陽イオン交換ゼオライト触媒は、Ｓｉ／Ａｌのモル比が５〜１００であり、イオン交換量の２％〜５０％がアルカリ金属またはアルカリ土類金属でイオン交換された陽イオン交換ゼオライト触媒である。また、本発明のモノ−ヨードベンゼンの製造方法は、トランスヨード化反応によって、ジ−ヨードベンゼンおよびトリ−ヨードベンゼンからなる群より選択される１種以上のマルチ−ヨード化ベンゼンとベンゼンとを含む反応物からモノ−ヨードベンゼンを製造するステップを含む。 （もっと読む）