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国際特許分類[C07C31/28]の内容

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国際特許分類[C07C31/28]に分類される特許

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【課題】低い蒸気圧を有する、高粘度の又は固体の有機金属前駆体のDLIのための、改良された組成物の開発に関して、継続した必要性が未だ存在している。
【解決手段】次の(a)及び(b)を含有する配合物:(a)一以上の配位子が、β−ジケトナート、β−ケトイミナート、β−ジケトエステラート、β−ジイミナート、アルキル、カルボニル、アルキルカルボニル、シクロペンタジエニル、ピロリル、アルコキシド、アミジナート、イミダゾリル、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属−配位子錯体であって、その金属が元素周期表の2族〜16族の元素から選択される、少なくとも一つの金属−配位子錯体;及び(b)RNRORNR、RORNR、O(CHCHNR、RNRN(CHCHO、RNRORN(CHCHO、O(CHCHNRORN(CHCHO及びこれらの混合からなる構造から選択されるアミノエーテルであって、R1〜6は、C1〜10直鎖アルキル、C1〜10分岐鎖アルキル、C1〜10環状アルキル、C〜C10芳香族、C1〜10アルキルアミン、C1〜10アルキルアミノアルキル、C1〜10エーテル、C〜C10環状エーテル、C〜C10環状アミノエーテル及びこれらの混合物からなる群より個々に選択されるアミノエーテル。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における成膜原料であるテトラ−t−ブトキシハフニウム、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム、等の製造方法の提供。
【解決手段】テトラ−t−ブトキシハフニウム、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム、等の製造方法において、一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnfmで示される化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分に一般式:Li(NR34)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分にt−ブタノール、アセチルアセトン、1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール、等を添加した後、減圧蒸留を行う工程を順次実施する。 (もっと読む)


【課題】無水希土類塩化物よりも安価な希土類金属を原料に用いて、高収率で安全に、希土類オキソイソプロポキシドを合成する方法を提供する。
【解決手段】イソプロピルアルコールを90重量%以上含む溶媒中で希土類金属とイソプロピルアルコールを水銀化合物触媒存在下で反応させた後、溶媒を添加または一部交換し、炭素数6〜10の芳香族炭化水素溶媒または炭素数5〜12の飽和炭化水素溶媒を25重量%以上含む溶媒中で、水を添加し、部分加水分解反応させることにより、希土類オキソイソプロポキシドを合成する。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属アルコラートのアルコール性溶液を製造する。
【解決手段】反応塔中でアルカリ金属水酸化物およびアルコールから、アルカリ金属アルコラートのアルコール性溶液を製造し、その際、アルコールおよびアルカリ金属水酸化物を向流で導き、反応塔において少なくとも0.05の還流比に調整することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ニオブアルコキシド、特にニオブエトキシド、ニオブ n−プロポキシド、異性体のニオブブトキシド及び異性体のニオブペントキシドを、高純度で、淡色形において、産業において容易に実現可能で、費用がかからず、かつ非常に良好な再現性を有する単純な方法によって提供する。
【解決手段】一般式(I)
Nb(OR)5 (I)
[式中、Rは、明細書中に示される意味を有する]で示される高純度で淡色のニオブアルコキシドの製造方法において、一般式(I)の粗製ニオブアルコキシドを、一般式(II)
1OH (II)
[式中、R1は、明細書中の意味を有する]で示される1種以上のアルコール0.01〜5質量%、有利には0.1〜2質量%の添加によって、又は空気もしくは他の酸素を含む気体混合物での処理によって、かつ場合により引き続き蒸留することによって精製する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、水素貯蔵物質として、安全で且つ可逆的に高容量の水素貯蔵が可能な有機−遷移金属複合体とその製造方法を提供する。
【解決手段】これを実現するための本発明による水素貯蔵物質は、ヒドロキシグループ(-OH)を含む有機物質と遷移金属を含む化合物と結合しながら生成される複合体に関するもので、一分子当たり遷移金属が一つ以上結合することにより、より効率的に水素を貯蔵できる物質に関する。前記ヒドロキシグループ(-OH)を含む有機物質は、エチレングリコール、トリメチレングリコール、グリセロールなどを含むアルキル誘導体、及びヒドロキノン、フロログルシノールなどのヒドロキシグループを含むアリール誘導体が例として挙げられる。また、遷移金属としては、水素とクバス結合(Kubas binding)が可能なチタニウム(Ti)、バナジウム(V)、スカンジウム(Sc)などが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド(アルコレート)M(OR)の新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】(a)不純物として少なくとも0.05重量%の単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを含む、ハロゲン含有量>200ppmの粗アルコキサイド生成物M(OR)を、(b)粗アルコキサイドの合計を基準に、多くとも30重量%のROH[RはC〜C12アルキル基]と混合し、(c)その後又は同時に、単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを基準として過剰のアンモニアを配量する方法である。 (もっと読む)


【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。
【解決手段】 下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。
Zn(OR12 ・・・[I]
M(OR23 ・・・[II]
(式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が1〜20の置換、又は無置換のアルキル基を表す。) (もっと読む)


本発明は、式RO-M(L1)x(L2)y(L3)z〔式中、Mは、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、鉄(III)、コバルト(III)、またはアルミニウムから選択される金属であり;L1とL2が、ジケトナート、アセト酢酸のエステルもしくはアミド、ヒドロキシカルボン酸もしくはそのエステル、R1COO-(式中、R1は、置換もしくは未置換のC5-C30分岐鎖アルキルまたは直鎖アルキル、あるいはナフチルやアントラシル等の多環構造体を含めた置換もしくは未置換のアリールである)、ホスファート、ホスフィナート、ホスホナート、シロキシ、またはスルホナートから互いに独立的に選択され;但し、L1が、金属原子と2つの共有結合を形成するリガンドであって、x=1であるとき、y=0であり;L3は、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、R2COO-(式中、R2は、直鎖もしくは分岐鎖のC6-C30アルキル、または置換もしくは未置換のアリールである)、ポリオキシアルコキシ基、またはヒドロキシアルコキシアルキル基から選択され;Rは、アルキル基であるか、またはヒドロキシ-アルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、もしくは(ヒドロキシ)ポリオキシアルキル基であり;x、y、およびZは互いに0または1であって、(x+y+z)≦V−1(式中、Vは金属Mの原子価である)である〕で示される有機金属化合物に関する。本発明はさらに、組成物、および市販の水銀ベース触媒を使用して製造される硬化物品と同等の性能を有する硬化物品が得られるよう、有機金属化合物を触媒として使用してポリウレタン物品を製造する方法に関する。 (もっと読む)


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