【課題】アルファ−オキソカルボキシレート及び臭化アリールからのケトンの新規製造方法を提供する。
【解決手段】化合物（Ｉ）を


、遷移金属触媒の存在下、化合物（ＩＩ）Ｒ^１−Ｂｒと反応させ、式（ＩＩＩ）


のケトンを製造する。 （もっと読む）

【課題】光学活性なβ−フルオロメチルカルボニル誘導体の製造法を提供することを解決すべき課題とする。

【解決手段】溶媒中，前記一般式（１）と（２）とを光学活性な相間移動触媒によって前記一般式（３）が得られる。得られた（３）のカルボニル基を還元することで前記一般式（４）または求核剤と反応させることで前記一般式（５）を得る。続く脱スルホニル化により前記一般式（６）に示されるβ−フルオロメチルアルコールが得られる。得られた（６）は酸化することで前記一般式（７）に示されるβ−フルオロメチルカルボニル化合物を得ることを特徴とする製造法。
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【課題】従来の塩化鉄(III)触媒に用いた酸化反応(Synth.Catal.2007,349,861)を更に改良し、水中における温和な条件で、アルカン化合物を酸化して対応するケトン化合物を高収率で合成するための方法とそのための触媒を提供する。
【解決手段】水中で、酸素架橋二核酸化鉄(III)触媒(J.Am.Chem.Soc.1997,119,8652)及び酸化剤の存在下で、下記一般式Ｒ^２−ＣＨ_２−Ｒ^３（式中、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも一方は芳香族基を表す。）で表されるアルカン化合物を酸化して、下記一般式Ｒ^２−ＣＯ−Ｒ^３（式中、Ｒ^２及びＲ^３は、上記と同様に定義される。）で表されるカルボニル化合物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高移動度、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
一般式（１） Ａ−（Ｙ）_n
（式中、Ａは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも３環以上縮合した縮合環を表し、
Ｙは、−ＣＯ−，−ＣＯＮＨ−，−ＳＯ₂−，−ＳＯ₂ＮＨ−、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも１つを部分構造として有する置換基を表す。ｎは、１〜８の整数を表す。但し、複数のＹは、同じでも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】ビピリジン化合物、遷移金属錯体及び該錯体を用いる共役芳香族化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立して、置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、置換されていてもよい炭素数１〜５のアルコキシ基又は置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表わし、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は独立して、水素原子又は置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基を表わす。）
で示されるビピリジン化合物。 （もっと読む）

【課題】 有機合成の属する分野および他の分野において要求されている，温和な条件下でのアルコール類のアルデヒド，ケトンへの選択的酸化法を提供すること。
【解決手段】 ４つのフェニル基の１つに置換基を導入したテトラフェニルビスムトニウム塩を酸化剤として用いることにより，上記課題を解決することができた。 （もっと読む）

【課題】新規アセトフェノン化合物及びアセトフェノン類の新規製造方法の提供。
【解決手段】


式（１）：［式中、XはBr等、Yはアルキル等、Zは、アミン等を表し、nは整数を表す。］で表される化合物に、式（２）：で表されるビニルエーテル化合物又はエタナミド化合物を塩基、ホスフィン又は芳香族アミン配位子及び担持パラジウム触媒の存在下にアルコール溶液中で反応を行い、反応系内で得られる式（４）：で表される中間体または式（５）：式（５）中、で表される中間体を酸と反応させることによる式（６）：で表されるアセトフェノン類の製造方法および（１２）で表されるアセトフェノン化合物。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ステップを行う必要が無く、単一の反応によって高収率で１，３−ジケトンを製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）エノンと（Ｂ）アルデヒドとのカップリング反応を、（Ｃ）VIII族金属を含有する金属錯体触媒の存在下で、行うことからなる１，３−ジケトンを製造する方法：


［式中、Ｒ^１およびＲ^４は、カップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基、
Ｒ^２およびＲ^３は、水素原子またはカップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基である。］。 （もっと読む）

本発明は、化合物Ｒ¹−Ａ（III）と元素Ｍ¹とをリチウム塩の存在下で反応させる、一般式Ｒ¹−Ｍ¹−Ａ_d・ｚＬｉＸ（Ｉ）を有する化合物の製造方法を開示する。本願はまた、化合物Ｒ¹−Ａ（III）とＭ³含有化合物とをＬｉ塩の存在下および元素金属Ｍ²の存在下で反応させる、一般式Ｒ¹_m−Ｍ³−Ｔ_n・ｚＬｉＸ（II）を有する化合物の製造方法を開示する。ここで、金属Ｍ³は、Ａｌ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ，Ｌｉ，Ｓｍ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｂ，ＳｉおよびＳから選ばれてよい。 （もっと読む）

【課題】 １，３，５位に電子吸引性基を有する芳香族化合物を工業的に効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】 本発明の芳香族化合物の製造法は、下記式（1a）又は（1b）
【化１】


（式中、Ｒはアルキル基を示し、Ｘは電子吸引性基を示す）で表される化合物をルイス酸の存在下で反応させて、下記式（２）
【化２】


（式中、Ｘは前記に同じ）で表される芳香族化合物を得ることを特徴とする。Ｘとしては、アシル基、置換オキシカルボニル基（エステル基）、シアノ基などが特に好ましい。ルイス酸として、例えば、周期表３族、４族、１２族、１３族、１４族または１５族元素を含む化合物が用いられる。 （もっと読む）