インデニル部分の４位および７位が大型芳香族置換基を有するメタロセン化合物が、実質的に１００パーセントのラセミ異性体を製造する方法に従って調製される。好都合なことに、本発明のメタロセンを含む重合触媒は、優れたオレフィン重合結果を提供する。
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【課題】 高収率で高純度のメタロセン化合物を効率よく製造する方法およびそのメタロセン化合物を提供する。
【解決手段】 一般式Ｃｐ_２ＶＣｌ_２（Ｃｐはシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基より選ばれた少なくとも一種）で表されるバナドセン化合物に塩素ガスを反応させてＣｐＶＯＣｌ_２を製造する方法において、生成した溶液のろ過時にろ過助剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高収率で高純度のメタロセン化合物およびそれを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式ＣｐＶ（Ｏ）Ｘ_２ で示されるバナジウムメタロセン化合物の製造において、一般式ＲＭ又はＲＭＸで示される有機金属化合物と一般式ＣｐＨで示されるシクロペンタジエニル化合物、一般式Ｒ1Ｏ−（ＣＨ）−ＯＲ2で表されるエーテル類を反応させ、得られた有機金属化合物を一般式Ｖ（Ｏ）Ｘ_３ で示されるバナジウム化合物と反応させる。 （もっと読む）

【課題】遷移金属イオン錯体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｍは元素の周期律表の第４族元素を表し、Ａは元素の周期律表の第１４族元素を表し、Ｄは元素の周期律表の第１６族元素を表し、Ｃｐはシクロペンタジエニル型アニオン骨格を有する基を表し、Ｅは対アニオンを表し、Ｒ^１−Ｒ^６は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、炭化水素で置換されたシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基又は炭化水素で置換されたアミノ基を表し、Ｘ^１はアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。）で示される遷移金属イオン錯体。 （もっと読む）

【課題】 高収率で高純度のメタロセン化合物およびそれを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式Ｃｐ_２ＶＣｌ_２（Ｃｐはシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基より選ばれた少なくとも一種）で表されるバナドセン化合物を含む反応混合物に塩素ガスを反応させてＣｐＶＯＣｌ_２を製造する方法において、前工程で用いた溶媒の残留量を塩素化に用いる溶媒中の１ｗｔ％以下に制限する。 （もっと読む）

原子層成長によるチタン含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含み、少なくとも一種の前駆体は構造が式Ｉ（式中、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシ又はアミノであり、かつアミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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【課題】
【解決手段】金属イオンＭに対して錯体形成した式（Ｉ）の配位子を含む錯体。
【化１０２】


（式中、Ｒ¹はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ_1-20ヒドロカルビル基、Ｎ（Ｒ⁵）₂、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、置換されていてもよいヘテロシクリル基であるか、あるいは隣接する炭素原子上の２個のＲ¹基は一緒になって、置換されていてもよい５〜８員縮合環を形成してもよく；
Ｒ²はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ_1-20ヒドロカルビル基、Ｎ（Ｒ⁵）₂、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、あるいは置換されていてもよいヘテロシクリル基であり；
インデニル基の６員環に結合するＲ³は、−（Ｓｉ（Ｒ⁵）₂）_p−、ここでｐは１もしくは２、または−（Ｃ（Ｒ⁵）₂）_n−、ここでｎは２以上の整数であり；
Ｒ⁴はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ_1-20ヒドロカルビル基、Ｎ（Ｒ⁵）₂、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、置換されていてもよいヘテロシクリル基であるか、あるいは隣接する炭素原子上の２個のＲ⁴基は一緒になって、置換されていてもよい５〜８員縮合炭素環を形成してもよく；
Ｒ⁵はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ_1-20ヒドロカルビル基であるか、あるいは２個のＲ⁵は一緒になって、置換されていてもよい５〜８員環を形成してもよく；
ａは０〜３であり；
ｂは０〜３であり；
ｃは０〜４である。）
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【課題】 より発光特性に優れたランタノイド金属錯体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記の一般式（Ｉ）
【化１】


（式中、Ｍは３価のランタノイド金属原子であり、Ｃｐはシクロペンタジエニル系配位子であり、Ａは単結合であるか又は炭素原子数１〜４個のアルキレン基、−ＳｉＲ_２−基もしくは−ＧｅＲ_２−基（ここでＲは水素原子又は炭素原子数１〜３個のアルキル基）であり、Ａｒは置換されてもよいアリール基又はヘテロアリール基であり、ｎは２又は３であり、ｎ＝２の場合にはＸはハロゲン原子であり、ｎ＝３の場合にはＸは存在せず、Ｂは反応溶媒由来の配位子である）で表される発光性金属錯体である。 （もっと読む）

【課題】特にＣＶＤ用原料として好適な揮発特性、熱安定性等の性質を有するストロンチウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムに、下記一般式（１）で表される二座配位化合物を付加させて得られるストロンチウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
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