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国際特許分類[C07F7/00]の内容

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本発明は、不斉金属錯体ならびにアクチベータを含む、線状のアイソタクティックポリマーを生成するための触媒コンビネーションに関する。
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【課題】気化安定性を向上し得る、有機金属化学気相成長法用原料を提供する。
【解決手段】Hf又はSiのいずれか一方又はその双方を含有するゲート絶縁膜用の酸化膜を形成するためのMOCVD法用原料であって、化合物の一般式がM[(R1)2N]4(但し、MはHf又はSiであり、R1はメチル基又はエチル基である。)で示され、化合物中に不純物として含まれる塩素量が200ppm以下、かつ不純物として含まれる水分量が30ppm以下である有機金属化合物からなる有機金属化学気相成長法用原料。有機金属化学気相成長法用溶液原料を製造することができ、この溶液原料を用いて蒸着法により金属含有薄膜を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の課題は、金属錯体ガスと水蒸気を用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属酸化膜を製造する方法において、上記問題点を解決し、優れた成膜性を有する金属酸化膜の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の課題は、金属錯体ガスと水蒸気とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属酸化膜を製造する方法において、金属錯体として、シリルエーテル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする金属錯体を使用することを特徴とする、金属酸化膜の製造方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】 特にCVD用原料として合致する熱及び/又は酸化による分解特性、熱安定性、蒸気圧等の性質を有するチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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柔軟性、耐衝撃性、耐熱性および低温ヒートシール性に優れたプロピレン・1−ブテンランダム共重合体、該共重合体を含むポリプロピレン組成物、該組成物からなるシート、(延伸)フィルムおよび前記組成物からなる層を有する複合フィルムを提供しようとするものであって、プロピレン・1−ブテンランダム共重合体は、プロピレン単位を60〜90モル%、1−ブテン単位を10〜40モル%含有し、トリアッドアイソタクティシティーが85%以上97.5%以下、分子量分布(Mw/Mn)が1〜3の範囲、極限粘度が0.1〜12dl/g、融点(Tm)が40〜120℃、Tmと1−ブテン単位含量M(モル%)とが
146exp(−0.022M)≧Tm≧125exp(−0.032M)を満たす。
また、オレフィン重合用触媒成分として有用な遷移金属化合物、該遷移金属化合物を含むオレフィン重合用触媒も提供する。 (もっと読む)


【課題】 プラスチックレンズなどの光学部材に要求される高い透明性を有しつつ、かつ、屈折率(nd)1.7を超える高屈折率を有する樹脂の原料となる重合性化合物、該樹脂からなる光学部材を提供する。
【解決手段】 一般式(1)で表される化合物、


(1)

(式中、MはSn原子、Si原子、Zr原子、Ti原子またはGe原子を表す)

該化合物を含有する重合性組成物、該重合性組成物を重合して得られる樹脂、ならびに、該樹脂からなる光学部材に関する。 (もっと読む)


重合触媒であって、(1)式Aの窒素含有遷移金属化合物、及び(2)有機アルミニウム又はヒドロカルビルホウ素活性剤からなり、ここにおいて(a)R及びRは一価の基であるか又は(b)R及びRは炭素原子を介してトリアゼンユニットの末端窒素原子を架橋して二価の基Rを完全に形成するかの何れかであり;R及びR並びに二価の基Rは(i)脂肪族炭化水素、(ii)脂環式炭化水素、(iii)芳香族炭化水素、(iv)アルキル置換芳香族炭化水素、(v)複素環基、及び(vi)前記(i)乃至(v)の基のへテロ置換誘導体であり;Mは周期律表の3乃至11族の金属又はランタニド金属であり;Xは陰性基であり、Lは中性供与体基であり;nは1又は2であり、y及びzはX及びL基の数が金属Mの酸化状態及び価数を満たす独立した整数又はゼロである。触媒は1−オレフィン、特にエチレン及びプロピレンを重合するために使用される。高分子量単独−及び共−ポリプロピレンが開示されている。
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下記式(1)


(式中、R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよく、下記式(2)


(式(2)中、Qは置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいシクロアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい二価の複素環基を表わし、Rは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を表わし、Rは金属原子と配位又は結合可能な置換基を表すか、又はRとRとが一緒になって環を形成していてもよい)で示される基を表し、Q及びQは同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキレン基又は単結合を表し、Xは二価のスペーサーを表す)で示されることを特徴とする配位子。
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【課題】 気相化学反応(CVD)により薄膜を形成させるための原料として有用な、気化性、安定性に優れた含フッ素金属錯体の合成方法を提供する。
【解決手段】 Zr、Hf、またはTiの含フッ素β−ジケトン錯体を合成するに際し、Zr、Hf、またはTiの無水金属塩化物を非プロトン性溶媒中に溶解または懸濁・分散させ、超強酸と無水金属塩化物とを反応させ、さらに含フッ素β−ジケトンを反応させた後、60〜140℃の温度範囲で還流しながら、1〜50Paの不活性ガス加圧下で反応させ、遊離する超強酸、塩化水素を除去した後、二層分離した溶液から上層溶媒を除去したのち、再度非プロトン性溶媒を添加し、60〜140℃の温度範囲て還流した後、−20〜15℃の温度範囲で冷却して結晶を析出させ、結晶を濾別後、再度非プロトン性溶媒を添加して60〜140℃の温度範囲て還流した後、−20〜15℃の温度範囲で冷却して結晶を析出させる。 (もっと読む)


本発明は、1,4,6−置換された、1,4−置換された、1,6−置換された、または1−置換されたフルベン化合物の簡単な合成法、フルベン化合物の中間体、及び該フルベン化合物を利用し、炭素一つで橋架けされ、シクロペンタジエニル配位子の橋架け点の隣だけに置換体を有しているアンサ型メタロセン化合物の製造方法に関する。 (もっと読む)


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