金属塩を（ベンジル)_nMgX_2-n化合物と化合させることを含むジ−、トリ−またはテトラベンジル−金属化合物の合成方法であって、ｎは１または２であり、Ｘは一価のアニオン性基であり；化合は混合希釈液中で行い、該混合希釈液は、混合希釈液中０〜８０体積％のエーテルの他に、芳香族化合物、ハロゲン化炭化水素およびそれらの混合物からなる群から選択される希釈液である方法を開示した。当該方法は、様々な種類の希釈液を使用することができ、ある場合には、エーテルを使用しない。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、即ち、低い融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体（例えば、周期律表第IVA族の金属原子を中心金属とする金属錯体）を提供するものである。又、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜（例えば、周期律表第IVA族の金属の含有薄膜）の製法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体によって解決される。本発明の課題は、又、該金属錯体を金属供給源として用いた、化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製法によっても解決される。 （もっと読む）

【課題】 ナノメートルサイズの亜鉛含有発光体及び透明性に優れた発光組成物を提供する。
【解決手段】亜鉛イオンを発光中心とする発光体であって、亜鉛イオンが酸素を介して異種金属元素に隣接してなる発光体。発光体が液相中又は固相中に分散されてなる発光組成物であり、分散される発光体の直径が１〜５０ｎｍであることが好ましく、亜鉛と隣接する金属元素Ｍと前記亜鉛とのモル比率Ｍ／Ｚｎが、１から４であることが好ましい。金属元素がＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族、ＩＩＩb族元素より選ばれた１種もしくは２種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｍはジルコニウム、チタン、又はハフニウムであり；Ｘは、水素、ハロゲン、又は炭化水素基であり；Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、及びＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｒ^１及びＲ^２は、互いに同一か又は異なり、線状又は分岐鎖のＣ_１〜Ｃ_２０アルキル基であり、Ｒ^３は、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基である）
のメタロセン化合物。
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【課題】 ＣＶＤ法により金属薄膜を製造する方法に有利に用いることのできる新規なβ−ジケトナト金属錯体を提供する。
【解決手段】 下記式で表わされる金属錯体：
【化１】


［上記式において、
Ｘは、特定構造のシリルエーテル基を表し、
Ｙは、上記のシリルエーテル基或はアルキル基を表し、
Ｚは、水素原子或はアルキル基を表し、
Ｍは、Ｌｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｉｔ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはＡｇを表し、
ｎは、金属原子Ｍの価数を表す。
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【課題】炭素−ブリッジを有するシクロペンタジエニル−フルオレニルリガンド。
【解決手段】モノ−炭素ブリッジを有する置換シクロペンタジエニル−フルオレニル触媒成分の効率的な製造方法。 （もっと読む）

酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムの化学気相成長法、特にＡＬＤに適切な前駆体は、一般式（Ｉ）：（Ｒ^１Ｃｐ）_２ＭＲ^２Ｒ^３［式中、Ｃｐはシクロペンタジエニルリガンドを表し、Ｒ^１はＨ又はＣｐリガンドを置換しているアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｒ^２及びＲ^３はアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｍはハフニウム又はジルコニウムである］を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリオレフィンを経済的に製造することができる遷移金属化合物を構成成分としたオレフィン重合用触媒を提供する。
【解決手段】［ジフェニルメチレンビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド］等の［ジアリールメチレンビス（シクロペンタジエニル）］配位子を有する遷移金属化合物とアルミノオキサン等の活性化助触媒および場合により、有機金属化合物からなるオレフィン重合用触媒。この触媒を用いてオレフィンを重合する。 （もっと読む）

【課題】 プレカーサを気化させて用いるＣＶＤ法、ＡＬＤ法等の薄膜製造方法において使用する原料に好適なチタニウム、ジルコニウム等の４族金属の化合物であり、薄膜堆積時においては、熱及び／又は酸化による分解が容易に進行し、気化及び輸送時においては、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、また、多成分の薄膜を製造する場合に、得られる薄膜の組成制御が容易な化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（I）で表される金属化合物。
【化１】
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（Ａ）式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｍはジルコニウム、チタン、又はハフニウムであり；Ｘは、互いに同一か又は異なり、水素原子、ハロゲン原子、場合によってはヘテロ原子を有する炭化水素基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹³は、水素原子、或いは、場合によってはヘテロ原子を有するＣ₁〜Ｃ₄₀炭化水素基であり；Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、場合によってはヘテロ原子を有する線状又は分岐鎖のＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基である）
に属するメタロセン化合物；（Ｂ）アルモキサン、又はアルキルメタロセンカチオンを形成することのできる化合物；及び場合によっては（Ｃ）有機アルミニウム化合物；を接触させることによって得られる触媒系の存在下で、１−ブテンを重合するか、又は１−ブテンと、エチレン、プロピレン、又は式：ＣＨＴ₂＝ＣＨＴ（式中、ＴはＣ₃〜Ｃ₁₀アルキル基である）のα−オレフィンとを共重合することを含む、１−ブテンポリマーの製造方法。
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