ジアルキル誘導体と、式Ｒ³_xＴＬ_w（式中、Ｌは塩素、ヨウ素または臭素であり；Ｒ³は水素または炭化水素基であり；Ｔは元素の周期率表の２−１４族の金属であり；ｘ≧１であるため、ｘ＋ｗは金属Ｔの酸化状態に等しい）のハロゲン化剤と反応させる工程からなるハロゲン化メタロセン化合物の製造方法。 （もっと読む）

付加重合触媒として有用な、下記式（Ｉ）の第４族金属錯体類。


［式中、
Ｇ¹は水素を数に入れずに１から４０の原子を含む基であり、
Ｔは、モノ−もしくはジ−アリール置換メチレンもしくはシリレン基、または、モノ−もしくはジ−ヘテロアリール置換メチレンもしくはシリレン基から選択される、水素を数に入れずに１０から３０の原子からなる２価の架橋基であり、ここで、このようなアリール置換基またはヘテロアリール置換基の少なくとも１つは、そのオルト位の１つまたは両方を、第２級または第３級アルキル基、第２級または第３級ヘテロアルキル基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基で置換されており、
Ｇ²は、ルイス塩基官能性を含むＣ₆〜₂₀ヘテロアリール基であり、
Ｍは第４族金属であり、
Ｘ^''''はアニオン性、中性またはジアニオン性の配位基であり、
ｘ’’’’は０から５の数であり、および、
結合、任意の結合、および電子供与相互作用はそれぞれ実線、破線および矢印で表される。］。
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【課題】非常に低いレベルの金属不純物及び酸素含有不純物を有する、高純度金属含有化合物、特に有機金属化合物を一貫して提供する方法を提供する。
【解決手段】連続抽出を使用する金属含有化合物の精製方法が提供される。この金属含有化合物は高純度で提供され、および金属フィルム、特に電子デバイスで使用される薄い金属フィルムを堆積する際に使用するのに好適である。 （もっと読む）

式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｍは遷移金属であり；Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり；Ｌは二価の橋架基であり；Ｒ^１は、ヘテロ原子を有していてもよい線状Ｃ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｔ^１、Ｔ^２、Ｔ^３、及びＴ^４は、酸素又はイオウ原子、或いはＣ（Ｒ^１８）基であり、但し、Ｔ^１とＴ^２の中の少なくとも一つの基は酸素又はイオウ原子であり；Ｒ^１８は、水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；ｎは１、２、又は３であり；Ｒ^４は、水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｗは、芳香族の５又は６員環である）
の橋架メタロセン化合物。
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１）式Iのメタロセン化合物、


（ここで、Cpは、任意的に置換されていてもよいおよび／または任意的に縮合されていてもよいホモ−またはヘテロ−シクロペンタジエニル配位子であり、
Cp”は、少なくとも１のC_１〜２０アルキル基によって置換されたシクロペンタジエニルであり、
Rは、１〜７の架橋原子のブリッジであり、
Mは、第４〜６族遷移金属であり、
各Ｘは、−ＣＨ_２−Ｙであり、ここで、ＹはＣ_６〜２０−アリール、Ｃ_６〜２０−ヘテロアリール、C_１〜２０−アルコキシ、Ｃ_６〜２０−アリールオキシ、−ＮＲ’_２、−ＳＲ’、−ＰＲ’_３、−ＳｉＲ’_３、−ＯＳｉＲ’_３またはハロゲンであり、
Ｒ’は、C_１〜２０−ヒドロカルビルであり、または−ＮＲ’_２の場合には、２の置換基Ｒ’が、それらが結合している窒素原子とともに環を形成することができ、
そして各非シクロペンタジエニル環部分はさらに置換されることができ、
ｎは０または１である。）、および、
（II）アルミノキサン、
の存在下に、少なくとも１のC_２〜２０−α−オレフィンをスラリー相において重合することを含む、オレフィン単独重合体または共重合体を調製する方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における成膜原料として有用な有機金属アミド錯体の精製方法を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｍ［Ｎ（Ｒ^１）（Ｒ^２）］_ｎで示される有機金属アミド錯体の製造において、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素を精製除去するに際し、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素１当量に対し、１〜１００当量のリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う（但し、Ｍは、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、またはＳｂであり、Ｒ^１及びＲ^２はメチル基又はエチル基であり、ｎはＭの価数である。）。 （もっと読む）

式（Ｉ）：


（式中、Ｍは遷移金属の原子であり；Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭化水素をベースとする基であり；Ｒ^１はＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｒ^２及びＲ^３は、一緒になって縮合３〜７員環を形成し；Ｒ^４は水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｗは芳香族５又は６員環である）
の橋架メタロセン化合物。
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【化１】


遷移金属触媒を用いて、官能基で置換されたオレフィンの、重合の方法が提供される。この方法は、触媒構造に組み込まれた１以上の安定化基によるものであり、重合工程における、それぞれの連続的な反応の間、遷移金属錯体に対するそれぞれのオレフィンモノマーの立体配置を「固定」する。本発明は、実質的に、重合中に触媒の活性部位におけるオレフィン転移の可能性を減少させる。１つの特定の実施形態では、官能基は極性、電子供与性基であり、安定化基はルイス酸置換基であり；このような系で調製され得るポリマーの例は、ポリ（酢酸ビニル）、ポリ（ビニルアルコール）、およびポリ（ビニルエーテル）を含む。重合方法において有用な新規の錯体および触媒系もまた、提供される。 （もっと読む）

【課題】 溶液気化の化学気相成長法に用いるための高純度の（ノルマルブトキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムの原料溶液を容易に製造する方法および該溶液を用いたＰＺＴ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 精製したジルコニウムイソプロポキシドを原料として（イソプロポキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムを合成し、次いで、（イソプロポキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムを酢酸ノルマルブチルに溶解後、室温で５時間以上経ることにより、（ノルマルブトキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムに完全に変化した原料溶液が得られる。 （もっと読む）

【課題】オレフィン重合性能に優れた重合触媒用の遷移金属化合物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（1）で表される構造をもつ新規な遷移金属化合物。


〔一般式（1）において、Ｌは上記一般式(2)で表され、ここでR¹〜R⁴は、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基等を示し、R⁵およびR⁶は、R¹〜R⁴と同様の原子または基を示し、Ｑは４配位のホウ素、アルミニウム等を示す。Ｄは、カルベン、またはヘテロ原子を表すＶを介してＭに配位する、上記一般式（3）で表される基であり、Ｖはカルベン、窒素、酸素、硫黄、リン原子を示し、R^aおよびR^bは、炭素数1〜20の炭化水素基等を示す。Ｍは周期律表第4〜6族から選ばれる遷移金属原子を示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基等基を示し、Ｙは電子供与性基を有する中性配位子を示し、mはＭの価数を満たす数であり、nは、0〜3の整数を示す。〕 （もっと読む）