ａ）式（Ｉ）；［式中、Ｍは、遷移金属であり；ｐは０〜３の整数であり、Ｘは、同じかまたは異なっていて、水素原子、ハロゲン原子、または炭化水素基であり；Ｌは、二価のＣ₁−Ｃ₄₀炭化水素基であり；Ｒ¹は、Ｃ₁−Ｃ₄₀炭化水素基であり；Ｔ¹は、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：（式中、Ｒ²およびＲ³は、Ｃ₁−Ｃ₄₀炭化水素基であり、または、それらは一緒になってＣ₃−Ｃ₇員環を形成することができ；Ｒ⁴は、Ｃ₁−Ｃ₄₀炭化水素基である）で表される基であり；Ｔ²およびＴ³は、式（ＩＩＩａ）；（式中、Ｒ⁶およびＲ⁷は、互いに同じかまたは異なり、水素原子、または、Ｃ₁−Ｃ₄₀炭化水素基であり；Ｒ⁵は、水素原子またはＣ₁−Ｃ₄₀炭化水素基である）で表される基であり；その場合、Ｔ¹が式（ＩＩａ）で表される基である場合、Ｔ²とＴ³の少なくとも１つは式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、また、Ｔ¹が式（ＩＩｂ）で表される基である場合、Ｔ²とＴ³の少なくとも１つは式（ＩＩＩａ）で表される基であるという条件が付く］で表されるメタロセン化合物と；ｂ）少なくとも１種のアルモキサン、またはアルキルメタロセンカチオンを形成できる化合物とを接触させることによって得ることができる触媒系の存在下で、１−ブテンおよび任意にエチレン、プロピレンまたはより高級なを重合させる工程を含む１−ブテンポリマーを調製する方法。
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本発明は、式（Ｉ）、
【化１】


（但し、
Ｒ¹、Ｒ¹が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが水素又は１〜４０個の炭素原子を含む有機基であり、
Ｒ²、Ｒ²が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが水素又は１〜４０個の炭素原子を含む有機基であり、
Ｒ³、Ｒ³が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが１〜４０個の炭素原子を含む有機基であり、
Ｔ、Ｔ’が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが、１〜４０個の炭素原子を有する二価の有機基であり、及びシクロペンタジエニル環と一緒に、少なくとも１種の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の、５〜１２原子の環サイズを有する環状基を形成し、Ｔ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環状基内にヘテロ原子Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含んで良く、
Ａが、二価の原子又は二価の基からなるブリッジであり、
Ｚが、二価の原子又は二価の基からなるブリッジであり、
Ｅが、Ｐ、Ａｓ又はＳｂであり、
Ｍ¹が、元素周期表の第４族の元素であり、
Ｍ²が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハロゲン化部分であり、
ｐが、正の２価に荷電した金属イオンの場合には１であり、又は正の１価に荷電した金属イオン又は金属イオン部分の場合には２であり、
基Ｘが、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが、シクロペンタジエニルアニオンによって置換可能な有機基又は無機基であり、
及び、
ＬＢが、無荷電のルイス塩基リガンドである）
のアンサ−メタロセン錯体を、ラセモ選択的に製造するための方法、及びまた、これら錯体を後に式（ＩＶ）のアンサメタロセンに転化する方法、式（ＩＩＩ）
【化２】


の遷移金属化合物、及びこれらをアンサ−メタロセンのラセモ選択的な製造のために使用する方法、式（Ｉ）のアンサ−メタロセン錯体、及びこれらをオレフィン性不飽和化合物の重合用の触媒組成物の成分として使用する方法に関する。
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本発明は、式（Ｉ）
Ｚ¹Ａ_nＺ²ＭＸ_m （Ｉ）
（但し、
Ｚ¹が、Ｍに直接的に配位結合する６−π−電子中央基を含む配位結合基であり、及び該配位結合基は、少なくとも１個の縮合した飽和又は不飽和Ｃ₂−Ｃ₃₀環状基を有し、該縮合環状基は、原素Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから成る群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を環内に含み、該ヘテロ原子は、６−π−電子を含む中央基の炭素原子に直接的に結合し、及び前記ヘテロ原子は、環の構成要素ではない基も帯びて良いものであり、
Ａが、基Ｚ¹及びＺ²の間の二価のブリッジであり、
Ｚ²が、Ｚ¹と同じ意味を有する配位結合基であり、又はＺ²は、オープンペンタジエニルを含有する基、シクロペンタジエニルを含有する基又は複素環の、５−又は６−員の、６−π−電子含有基であり、
ｎ＝０又は１、
Ｍが、元素周期表の３、４、５又は６族の元素又はランタニドの元素であり、
基Ｘが、同一又は異なるもので、及びそれぞれが、有機基又は無機基であり、２個の基Ｘが互いに結合することも可能であり、
ｍが、０、１又は２であり、
及び、３個の分子部分Ｚ¹、Ｚ²及びＡの内、少なくとも１個が、少なくとも１種のオレフィン性Ｃ＝Ｃ二重結合を含んだ、２〜４０個の原子を有する１価の有機基を有する、）
の有機金属遷移金属化合物に関する。 （もっと読む）

式（II）：
【化１】


で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：
【化２】


で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、式（Ｉ）：
【化３】


で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法であり、且つ
上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、Ｒ¹、Ｒ^1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ²、Ｒ^2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ³が、炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ⁴が、水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含んでいても良く、Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、Ｍ¹が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表し、ｘが、３〜６の自然数を表し、Ｍ²が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、ｐが、電荷が＋２価の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１価の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表し、ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そしてｙが、０〜６の自然数を表す、ことを特徴とする方法、第１の方法で製造された式（Ｉ）で表されるアンサ−メタロセン錯体から出発して式(IV)で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する別の方法、メタロセンを製造するために式（III）の遷移金属化合物の使用する方法、及び式（III）の特定の遷移金属化合物、に関する。 （もっと読む）

【課題】当該技術分野の状態の不都合な点を排除し、そしてより可溶性であり、そして同じかまたは改善された触媒特性プロフィールを有する化合物を利用可能にし、そして／または代替架橋概念、適切なリガンド置換パターン、およびリガンド置換基の驚くべき相乗効果を使用して、望ましい異性体を産生し、そして同時に多数の反応工程を免じ、そしてさらに明白な経済的な利点を生じる、直接合成を利用可能にすること。また、置換しそして架橋したメタロセンを用いて、担持メタロセン触媒を提供し、そして本発明の触媒系を用いて、産業的に適切な重合条件下で、環境にやさしく、そして経済的なポリオレフィン調製法を提供すること。
【解決手段】触媒系は、式、Ｒ^９Ｌ^１Ｌ^２Ｍ^１Ｒ^１Ｒ^２を有するメタロセン化合物を含む（式中、Ｒ^９は、リガンドＬ^１およびＬ^２の間の架橋であり、そしてＭ^１は、周期表のＩＶＢ族の金属、例えばチタン、ジルコニウムおよびハフニウムであり、そしてＲ^１およびＲ^２は、水素であるか、あるいは脂肪族基または芳香族基であることも可能である。架橋Ｒ^９は、ケイ素、ゲルマニウムまたはスズを含むことも可能である。）。合成時の本発明のメタロセン化合物は、５：１より大きいラセミ異性体対メソ異性体比を有し、それによって、メソ異性体を続いて分離する必要性を排除する。 （もっと読む）

本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）におけるエミッター分子としての周期律表の第４副族の金属のメタロセン錯体の使用、ＯＬＥＤｓにおける発光層としてのメタロセン錯体の使用、少なくとも１つのメタロセン錯体を含有する発光層、この発光層を含むＯＬＥＤならびに本発明によるＯＬＥＤを含む装置に関する。 （もっと読む）

本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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オレフィン重合用触媒の成分として有用な、遷移金属化合物及び高分子量を持つオレフィン重合体を与える高活性な重合触媒を提供する。具体的には、式（１）で表される遷移金属化合物を用いたオレフィン重合用触媒である。
【化１】


［式中、Ｍは、周期律表第３〜１０族又はランタノイド系列の金属元素であり、Ｘは、Ｍと結合するσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙは、ルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なってよい。Ａ^１、Ａ^２の内、少なくとも一つはホウ素又はリン原子が架橋原子となっている架橋基を示し、ｑは１〜５の整数で、［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数を示す。Ｑ^１及びＱ^２は、特定構造を有する。Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ異なっていてもよく、同じであってもよい。］ （もっと読む）

本発明の金属化合物は、下記一般式（I）で表されるもので、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、しかも他の金属化合物と混合しても配位子交換や化学反応により変質せず、金属化合物を気化させて薄膜を形成するＣＶＤ法等の薄膜製造方法に用いられる原料に適している。
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式(I)：


［式中、Mは遷移金属の原子であり；Xは同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、またはR、OR、OSO₂CF₃、OCOR、SR、NR₂もしくはPR₂基（ここで、RはC₁-C₄₀の炭化水素基である）であり；Lは2価の架橋基であり；R¹はC₁-C₄₀の炭化水素基であり；R³はC₁-C₄₀の炭化水素基であり；R²、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷およびR⁸は、同一または異なって、水素原子またはC₁-C₄₀の炭化水素基である］
のメタロセン化合物。 （もっと読む）