イミノフラン単位を有する新規な三座配位子化合物と、この化合物の製造方法と、エチレンの単独重合およびα−オレフィンとの共重合用触媒の製造でのその使用。 （もっと読む）

【課題】十分な力学特性を持ち、立体規則性と耐熱性のバランスに優れ、反応前駆体としても有用なオレフィン重合体の製造方法、該製造方法において用いられる高活性なオレフィン重合触媒、該オレフィン重合触媒に含まれる二重架橋型メタロセン錯体である遷移金属化合物、並びに十分な力学特性を持ち、同一立体規則性を有するものであっても融点が高く、反応前駆体としても有用な末端不飽和プロピレン系重合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】特定の構造の新規な非対称型の二重架橋型メタロセン錯体である遷移金属化合物、該遷移金属化合物を用いたオレフィン重合触媒、そして該遷移金属化合物を用いたオレフィン重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】凝集物の生成が抑制可能でかつ金属原子に対する配位子の数を制御可能な金属−珪素複合アルコキシドを提供する。
【解決手段】本発明に係る金属−珪素複合アルコキシドは下記一般式（１）で表される。


一般式（１）中、「Ｍ」は金属原子を表す。「Ｒ」はアルキル基を表し、互いに異なっていても互いに同一のものを含んでいても良い。「Ｒ’」は炭素数４以下のアルキル基を表し、互いに異なっていても互いに同一のものを含んでいても良い。「Ｑ」は二価の炭化水素基またはイオウ原子を含有する二価の有機基を表し、互いに異なっていても互いに同一のものを含んでいても良い。「Ｘ」は一価の炭化水素基を表し、互いに異なっていても互いに同一のものを含んでいても良い。「ａ」は０〜３の整数を、「ｂ」は１〜５の整数を、「ｎ」はｂを超えない整数を表す。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、多成分のホスホン酸が均一に導入され、かつフッ素原子を含まない新規な架橋型層状ホスホン酸金属化合物及びその製造方法、並びに、貯蔵液及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】所定の条件を備えた少なくとも１種の有機ジホスホン酸又はその誘導体と、少なくとも１種のモノホスホン酸又はその誘導体と、反応時に金属酸化物八面体の中心原子（Ｍ）となる６配位金属原子のイオンを生成可能な金属源とを硫酸触媒下で反応させる反応工程を備えた架橋型層状ホスホン酸金属化合物の製造方法、このような方法により得られる架橋型層状ホスホン酸金属化合物、並びに、このような架橋型層状ホスホン酸金属化合物の合成に用いられる貯蔵液及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】遷移金属錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】シクロペンタジエン化合物（例えば２−アリロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル（ジメチル）（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）シラン）に対し、1．5から２．５モル倍の有機リチウム化合物（例えばｎ−ブチルリチウム）を反応させた後、１から１．７５モル倍の遷移金属化合物（例えば四塩化チタン）を反応させることを特徴とする、遷移金属錯体（例えばジメチルシリル（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロライド）の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、空気中でも安定で、長期保存の可能な実用的な高分子固定型のキラルなジルコニウム触媒を提供する。
【解決手段】
本発明は、キラルな配位子を有するキラルジルコニウムにおいて、当該ジルコニウムがさらにポリマーに結合したイミダゾール基を配位子とていることを特徴とするキラルなジルコニウム化合物、その製造方法、及びそれを用いた触媒に関する。 （もっと読む）

少なくとも１つのオルト−金属化された芳香族配位子基を含有する多価ヘテロアリールドナー配位子の遷移金属錯体と、エチレン性官能基又はポリ（エチレン）性官能基を有する粒子化された有機固体又は無機固体との反応生成物を含む担持された金属錯体、その調製方法、及び、付加重合触媒としてのその使用。 （もっと読む）

架橋した、立体安定性の、ジアステレオマー的に純粋な、一般式が
Ｑ（Ｃｐ）（Ｃｐ’）Ｍ（ＯＲ^３）_２
であるジアルコキシドメタロセン、ジアリールオキシドメタロセン及び好ましくはジフェノキシドメタロセン
（式中、
Ｃｐ ＝シクロペンタジエニル、インデニル又はフルオレニル基、
Ｃｐ’＝Ｃｐ基の１種、
Ｑ ＝ＣｐとＣｐ’の間の１員又は多員の架橋（Ｒ^１−Ｚ−Ｒ^２）_ｂ（ここで、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なってもよく、それぞれ水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_１０−アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール基であり、Ｚは炭素、シリコン又はゲルマニウムであり、ｂ＝１、２又は３である）、
Ｍ＝４族の遷移金属、特にＺｒ及びＨｆ及びＴｉ、
Ｏ＝酸素、
Ｒ^３＝Ｃ_１〜Ｃ_１０−アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール基（ここで、アルキル基は分岐又は非分岐でよく、アリール基で置換されてもよく、アリール基はさらに置換基を含んでいてよい））を調製する方法であって、
第１段階で、一般式
Ｑ（Ｃｐ）（Ｃｐ’）Ｍ（Ｘ）_２
を有する架橋した、立体安定性のメタロセンジハライドの形のｒａｃ／ｍｅｓｏ混合物を、一般式
Ｒ^４−Ｍ−（Ｘ）_ｎ
のアルキル化試薬
（式中、
Ｒ^４＝Ｃ_１〜Ｃ_１０−アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール基、
Ｍ＝アルカリ金属又はアルカリ土類金属、好ましくはＭｇ、Ｎａ、又はＬｉ
Ｘ＝ハロゲン、特にＣｌ及びＢｒ、
ｎ＝酸化数Ｍから１を引く）、
と反応させ、次いで、得られた反応混合物又は中間で分離したジアルキルメタロセンを、一般式
ＨＯ−Ｒ^３
のアルコール、アリールアルコール又はフェノール
（式中、
ＨＯ＝ヒドロキシル基、
Ｒ^３＝Ｃ_１〜Ｃ_１０−アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール基（ここで、アルキル基は分岐又は非分岐でよく、アリール基で置換されていてよく、アリール基はさらに置換基を含んでいてよい））と反応させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】優れた帯電制御性能を有する荷電制御剤、および優れた帯電立ち上がり特性を有し、使用環境に関わらず安定して高い画質の画像を得ることのできるトナーを提供すること。
【解決手段】荷電制御剤は、特定の金属錯体よりなることを特徴とし、また、トナーは、少なくとも樹脂と着色剤と荷電制御剤とを含有してなるトナーにおいて、前記荷電制御剤が、２〜４価の金属原子を含有し、タンニン酸よりなる配位子を有する構造のタンニン酸金属錯体を含有するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における成膜原料として好適なハフニウムアミド錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム成分を含有する式：Ｈｆ［Ｎ（Ｒ_１）（Ｒ_２）］_４で示されるハフニウムアミド錯体を製造するに際し、式：Ａ（Ｏ_ｙＸＯ_ｎＲ_ｆ）_ｍで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加し、減圧蒸留を行い（但し、Ｒ_１及びＲ_２はメチル基又はエチル基を表わし、Ａは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。Ｘは炭素原子又は硫黄原子を表わす。ｍ,nは１又は２、ｙは１又は０を表わす。Ｒ_ｆは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のペルフルオロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数４〜１２のヘテロアリール基を表わす。）、さらに得られた蒸留物に、式：Ｌｉ（ＮＲ_３Ｒ_４）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う（但し、Ｒ_３及びＲ_４はメチル基又はエチル基を表わす。）。 （もっと読む）