原子層堆積、化学気相堆積および有機金属化学気相堆積のような成膜プロセスにおいて出発原料として用いるための溶液型の先駆物質。この溶液型の先駆物質は、蒸発する間に分解と凝固を起こす傾向があるために気相堆積法のためには不適切であった固体先駆物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】長鎖分岐含有ポリオレフィン製造に有用な１分子中に２つの遷移金属原子を有する有機遷移金属化合物を提供すること、ならびに、それを用いたポリオレフィンの製造方法を提供する。
【解決手段】同一分子に持つ特定の構造を有する二核有機遷移金属化合物と、活性化助触媒を組み合わせて成るオレフィン重合用触媒を用いてオレフィンを重合する。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】オレフィン重合触媒として使用したときに分子量を飛躍的に高めたオレフィン共重合体が得られる遷移金属化合物の提供。
【解決手段】遷移金属化合物は、メタロセン誘導体であって、例えば、遷移金属化合物Ａ：ジフェニルメチレン（３−tert−ブチル−５−メチル−シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、遷移金属化合物Ｂ：ジフェニルメチレン（３−tert−ブチル−５−メチル−シクロペンタジエニル）（３,６−ジ−tert−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、遷移金属化合物Ｃ：ジフェニルメチレン（３−tert−ブチル−５−メチル−シクロペンタジエニル）（２,７−ジ−tert−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、遷移金属化合物Ｄ：ジ（ｐ−トリル）メチレン（３−tert−ブチル−５−メチル−シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロリドなどが例示される。 （もっと読む）

【課題】高い割合でビニル構造を持つように制御されたプロピレン系重合体を製造可能なメタロセン錯体およびそれを含むオレフィン重合用触媒を提供する。
【解決手段】下記の一般式［Ｉ］で表されるメタロセン錯体およびそれを含むオレフィン重合用触媒。
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【課題】添加成分を主成分中へより分散させたセラミックス前駆体の製造方法を提供する。
【解決手段】主成分であるａ成分を含む第１原料および添加成分であるｂ成分を含む第２原料の全てもしくは一部を架橋性配位子によって取り囲まれた錯体配位子１２および１４とし、水、メタノール及びエタノールのうちいずれか１以上の溶媒へ第１原料及び第２原料を該溶媒の溶解度に比して過剰量となるように添加して懸濁流動体とし、過剰量で添加された第１原料及び第２原料が溶出して溶媒中で高濃度状態となることにより、この溶媒からセラミックス前駆体２０を析出させるセラミックス前駆体の製造方法。 （もっと読む）

工業的に適切な重合条件下で担持重合触媒中の成分として使用されるときに、インデニルリガンドの２つの利用可能な２位のいずれかにおける任意のα−分岐置換基を必要とせずに、ポリプロピレンまたはプロピレン／エチレンコポリマーなどの高モル質量ホモポリマーまたはコポリマーを提供する、特定のメタロセン化合物が提供される。一方のインデニルリガンドの２位の置換基は、水素、メチル、またはα位で分岐していない任意の他のＣ_２−Ｃ_４０炭化水素を含む任意のラジカルであってよく、他方のインデニルリガンドの２位の置換基は、任意のＣ_５−Ｃ_４０炭化水素ラジカルであってよい（ただしこの炭化水素ラジカルはβ位で分岐し、β−炭素原子は四級炭素原子であり単環炭化水素系の一部である）。このメタロセン形態によって、高い融点、非常に高いモル質量のホモポリプロピレンおよび非常に高いモル質量のプロピレン系コポリマーが提供される。さらに、本発明のメタロセンを含む触媒の活性／生産性レベルは並外れて高い。
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【課題】 ハフニウム含有酸化膜を提供できる半導体成膜用材料として好適なハフニウムアミド錯体を高収率でかつ簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｈｆ［Ｏ（ＣＲ_１Ｒ_２Ｒ_３）］_４で示される第３級ハフニウムアルコキシド錯体に、一般式：Ｌｉ（ＮＲ_４Ｒ_５）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し反応させた後、減圧蒸留を行うことを特徴とする、一般式：Ｈｆ（ＮＲ_４Ｒ_５）_４で示されるハフニウムアミド錯体の製造方法。
（式中において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立で、フェニル基、ベンジル基、炭素数１〜６の１級又は２級又は３級のアルキル基のいずれか一つを表し、Ｒ_４、Ｒ_５はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基のいずれか一つを表わす。但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３が全てメチル基の場合及びＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３のいずれか一つがエチル基で他の二つがメチル基の場合は除く。） （もっと読む）

本発明は、キノキサリン化合物、その利用、有機半導体材料、有機発光ダイオード、有機薄膜トランジスタ、または有機太陽電池素子、並びに長期安定性の増加及び／または短絡強度の改善のための、このような有機半導体材料の、電子素子、光電素子、もしくは電子発光素子での利用、ｐｎ転移、並びにｐｎ転移の電子素子、光電素子、もしくは電子発光素子での利用に関する。
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【課題】金属酸化物の製造法および金属酸化物コーティング法の提供。
【解決手段】次式Ｉの化合物を加水分解して金属酸化物を製造する。


式中、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等であり、ＸはＯ_1/2又はＯＲであり、Ｒはアルキルであり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は各々独立にＨ、アルコキシ、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル等である。式Ｉの１種以上の化合物で基材を被覆してから上記化合物を加水分解すること及び／又は上記化合物を約５０〜約４５０℃に加熱することによって、１種以上の金属酸化物を含有する物品を製造する。 （もっと読む）