【課題】本発明は、上記の状況を鑑みてなされたものであり、その目的は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子とアルミニウム（Ａｌ）合金との濡れ性を改善できて、ナノオーダーからサブミクロンの粒径のセラミックス粒子をアルミニウム合金に複合化することができる炭化ケイ素粒子強化アルミニウム−ケイ素系アルミニウム合金複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】溶湯ケイ素に炭化ケイ素粒子を添加することにより得られる、あるいは、炭化ケイ素粒子とケイ素粒子を混合して成形した後、ケイ素の融点以上に加熱して、ケイ素の融点以上の温度で焼成することにより得られる、炭化ケイ素粒子を分散させたケイ素基複合材料を、溶湯アルミニウムまたは溶湯アルミニウム−ケイ素系合金に添加して、前記ケイ素基複合材料のマトリックスであるケイ素を溶湯アルミニウムまたは溶湯アルミニウム−ケイ素系合金に溶かして、炭化ケイ素粒子強化アルミニウム−ケイ素系アルミニウム合金複合材料を得る。 （もっと読む）

【課題】銀合金からなる電気接点材料においては、満足する温度特性を得つつしかも耐消耗性能、耐溶着性能を保持するような改善策が求められている。
【解決手段】材料中に酸化物として析出する卑金属と酸化物として析出しない未酸化の卑金属とが混在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボイドが存在する恐れが少なく、製造コストが安価な薄板状のＳｉＣ／Ａｌ系複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融ＡｌにＳｉＣ粉末と溶融Ａｌに対して１〜３重量％のＭｇとを添加した溶湯Ｍを生成する工程と、溶湯Ｍを鋳造して中間板状体Ｃを形成する工程と、中間板状体Ｃを１ＭＰａ以下の加圧力で熱間鍛造して薄厚化し、厚さ２ｍｍ以下の薄板材を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】設置対象に効率よく放熱できる複合部材、この複合部材を用いた放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置を提供する。
【解決手段】複合部材1aは、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板2と、基板2の表面に形成された金属被覆層3,4とを具え、一面に半導体素子などが実装され、他面が冷却装置などの設置対象に固定されて、半導体素子の放熱部材として利用される。複合部材1aは、冷却側面及び素子側面の少なくとも一面が反った形状である。冷却側面の反りを押し潰すように複合部材1aを設置対象に固定する。この押圧力により、複合部材1aを設置対象に密着できる。従って、複合部材1aは、半導体素子などの熱を設置対象に効率よく放出でき、半導体装置の放熱部材に好適に利用できる。 （もっと読む）

【課題】 既存の問題点であるアルミニウムと炭素材料の接合に関する問題を解決し、電気アーク又は電気化学的方法を用いて、重さが軽く力学的強度に優れた炭素材料−アルミニウム複合体を製造した。
【解決手段】 本発明は、電気化学的方法を用いてアルミニウム−炭素材料のＡｌ−Ｃ共有結合を形成する方法を提供する。上記方法は、陽極と、炭素材料の連結された陰極とで構成され、電解液で満たされた電気化学装置に電位を印加して、陰極に連結された炭素材料の表面をアルミニウムでメッキする段階を含むことができる。更に、本発明は、上記電気化学装置に電位を印加し炭素材料の表面をアルミニウムでメッキして共有結合を形成したアルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法、及び上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属−セラミックス複合材料は、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れからなるセラミックス粉末と有機バインダとにＳｉ、Ａｌ、Ｃｕの何れからなる金属粉末を添加した混合物を成形した成形体を焼成して多孔質焼結体を得て、該多孔質焼結体に金属粉末と同種の金属を含浸させることにより製造される。 （もっと読む）

【課題】
耐クラック性及び耐剥離性に優れたアルミニウム合金−セラミックス複合体を効率的に生産することができるアルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によれば、平板状のセラミックス多孔体にアルミニウム合金を含浸することにより、両主面にアルミニウム合金層を有する平板状のアルミニウム合金−セラミックス複合体母板を形成する工程と、前記複合体母板の少なくとも一主面に直線状欠陥又は断続的欠陥を導入し、その後、割断することにより、側面において前記セラミックス多孔体及び前記アルミニウム合金層が露出したアルミニウム合金−セラミックス複合体を形成する工程を備え、前記セラミックス多孔体は、炭化珪素と黒鉛の少なくとも一方を含有し、セラミックス充填量が５０質量％以上であり、且つ厚さが０．３５ｍｍ〜３．８ｍｍであり、前記アルミニウム合金は、アルミニウムの含有量が７０質量％以上であり、前記複合体母板は、厚さが０．５ｍｍ〜４．０ｍｍであり、前記アルミニウム合金層は、厚さが０．０１ｍｍ〜０．３ｍｍである、アルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が０．３μｍ以下の粒子状で分散してなるトリウムタングステン（Ｔｈ−Ｗ）合金、Ｔｈ−Ｗ線、及び耐変形性が改善されたコイル、並びに電子管用陰極構体の提供。
【解決手段】Ｗマトリクス中にＴｈ及び／又はＴｈ化合物が粒子状で分散してなるＴｈ−Ｗ合金であって、前記Ｔｈ及び／又は化合物の含有量が０．５〜２重量％でありかつこのＴｈ及び／又はＴｈ化合物粒子の平均粒径が０．３μｍ以下である、Ｔｈ−Ｗ合金、
上記Ｔｈ−Ｗ合金よりなる、Ｔｈ−Ｗ線、
上記のＴｈ−Ｗ線よりなるコイル、及び
一対の支持部材間に加熱線条が支持されてなる電子管用陰極構体であって、前記加熱線条が上記Ｔｈ−Ｗ線よりなる、電子管用陰極構体。 （もっと読む）

【課題】
高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面のめっき性及び表面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体であって、ダイヤモンド粒子の含有量が、４０〜７０体積％であり、両側表面に厚さ０．０１〜０．３ｍｍのアルミニウムを主成分とする表面層３ａ、３ｂを有し、複合体の少なくとも１方の表面に直線状または断続的な欠陥を導入後、表面に、厚さ０．５〜１５μｍのＮｉめっき層又はＮｉ＋Ａｕの二層のめっき層を設け、更に欠陥に沿って割断して、側面の一部が複合化部２が露出する構造であるアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体１であって、上記アルミニウム−ダイヤモンド系複合体は複合化部２及び上記複合化部の両面に設けられた表面層３からなり、上記表面層３が厚さが０．３〜５０μｍのダイヤモンドライクカーボン材料からなり、上記ダイヤモンド粒子の含有量が、上記アルミニウム−ダイヤモンド系複合体全体の４０体積％〜７０体積％であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体。 （もっと読む）